FAIRCHILD FQPF6N60 说明书(1) FQPF6N60 是 600V 的 N 沟道 MOSFET，它采用 Fairchild 的专有平面条纹 DMOS 技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于高效率开关电源。
FAIRCHILD FQP6N60C/FQPF6N60C 说明书 FQP6N60C/FQPF6N60C 600V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的具有优秀开关性能的增强型功率场效应晶体管。该器件具有5.5A的最大连续电流、600V的最大沟道电压、2.0Ω的典型导通电阻、16 nC的典型栅极电荷、7 pF的典型反向输出电容。该器件适用于高效率开关模式电源、有源功率因数校正、半桥拓扑结构的电子灯泡镇流器等应用。
FAIRCHILD FQPF6N70 数据手册 FQPF6N70是Fairchild生产的一款700V N沟道MOSFET，具有低门极电荷（典型值为30 nC）、低Crss（典型值为15 pF）、快速开关、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FQPF6N80 800V N-Channel MOSFET 数据手册 FQPF6N80 是 Fairchild Semiconductor 生产的 800V N 通道 MOSFET，具有 3.3A 的持续电流和 800V 的最大电压。其特点是低导通电阻，低栅极电荷和低 Coss。该器件经过 100% 的雪崩测试，适用于高效率开关电源。
FAIRCHILD FQPF7P06 说明书 FQPF7P06是一款由Fairchild生产的60V P通道MOSFET，具有低门极电荷、低Crss、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力等特点。
FAIRCHILD FQP6N80C/FQPF6N80C 说明书 FQP6N80C/FQPF6N80C 800V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的具有低导通电阻、高开关性能、抗高能脉冲的功率场效应晶体管。
FAIRCHILD FQPF6N90 说明书(1)(1) FQPF6N90是900V N通道MOSFET，采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优越的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于高效率开关电源。
FAIRCHILD FQPF6N90 说明书(1) 该文件介绍了FQPF6N90型号的N沟道增强型功率场效应晶体管的特点，包括最小的导通电阻、卓越的开关性能以及在雪崩和换流模式下的高能量脉冲承受能力。该器件非常适用于高效开关模式电源。
FAIRCHILD FQP6N90C/FQPF6N90C 说明书 FQP6N90C/FQPF6N90C是Fairchild生产的高性能N通道增强型功率场效应晶体管。该器件采用Fairchild公司专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、快速开关和100%雪崩测试等特点，适用于高效率开关电源。
FAIRCHILD FQPF6P25 说明书 该文档介绍了Fairchild Semiconductor International公司生产的FQPF6P25 250V P通道MOSFET的特点和特性。这些功率场效应晶体管采用了Fairchild独有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、卓越的开关性能和高能量脉冲耐受能力。适用于高效率开关DC/DC转换器。
FAIRCHILD FQPF70N08 说明书(1)(1) FQPF70N08是一款由Fairchild制造的N通道增强型功率场效应晶体管，使用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于汽车等低压应用。
