FAIRCHILD FQP8N60C/FQPF8N60C 600V N-Channel MOSFET 说明书 FQP8N60C/FQPF8N60C是飞兆半导体公司生产的一种N沟道增强型功率场效应晶体管，采用飞兆半导体公司专有的平面条纹DMOS工艺。该工艺专为最小化开关导通电阻、提供卓越的开关性能以及承受雪崩和换流模式下高能脉冲而量身定制。该器件非常适用于高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯光镇流器等应用。
FAIRCHILD FQPF8N60CF 600V N-Channel MOSFET 说明书 FQPF8N60CF 600V N-Channel MOSFET是一款由Fairchild Semiconductor Corporation生产的低导通电阻、低栅极电容、快速开关、100% 雪崩测试的产品，适用于高效开关电源、有源功率因数校正、半桥拓扑电子灯泡镇流器等场景。
FAIRCHILD FQPF8N60CF 数据手册 FQPF8N60CF 600V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种N沟道增强型功率场效应晶体管，具有低导通电阻、高开关速度、高可靠性等特点。该产品适用于高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器等应用。
FAIRCHILD FQP8N80C/FQPF8N80C 800V N-Channel MOSFET 说明书(1) 这份文件介绍了 FQP8N80C/FQPF8N80C 这款800V N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括低导通电阻、快速开关速度、高能脉冲承受能力等。
FAIRCHILD FQP8N90C/FQPF8N90C 900V N-Channel MOSFET 说明书 FQP8N90C/FQPF8N90C N-Channel MOSFET是Fairchild生产的，使用DMOS技术，特点是低导通电阻，快速开关，100% avalanche测试，改进了dv/dt能力。
FAIRCHILD FQPF8P10 数据手册 FQPF8P10是一款100V P通道MOSFET，具有低门极电荷（典型值为12nC）、低Crss（典型值为30pF）、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温额定值。
FAIRCHILD FQPF90N08 80V N-Channel MOSFET 说明书(1)(1) FQPF90N08 是 Fairchild Semiconductor 生产的一款 N 通道 MOSFET，其最大电压为 80V，最大电流为 44A。该器件具有低导通电阻、高开关速度、高浪涌能力等特点，适用于汽车、DC/DC 转换器和直流电机控制等低压应用场合。
FAIRCHILD FQPF90N08 80V N-Channel MOSFET 说明书(1) 该数据手册介绍了FAIRCHILD FQPF90N08 80V N-Channel MOSFET的特点特性，包括工作电压、工作电流、开关速度、结温等。
FAIRCHILD FQPF9N08 80V N-Channel MOSFET 说明书(1)(1) FQPF9N08是Fairchild Semiconductor International生产的80V N型通道MOSFET，它使用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关性能和高能脉冲承受能力。该设备适用于汽车、DC/DC转换器的高效率开关和DC电机控制等低压应用场合
FAIRCHILD FQPF9N08 80V N-Channel MOSFET 说明书(1) 该文件介绍了FQPF9N08型号的80V N沟道MOSFET产品的特点和特性，适用于低电压应用，如汽车、高效率DC/DC变换器和直流电机控制。
FAIRCHILD FQPF9N08L 80V LOGIC N-Channel MOSFET 说明书(1) 该文件介绍了Fairchild FQPF9N08L型号的80V逻辑N沟道MOSFET产品的特点和特性。该产品具有低电源电阻、快速开关、低门电荷、低Crss和改进的dv/dt能力等特点。适用于低电压应用，如汽车、高效率DC/DC转换器和直流电机控制。
