INFINEON IKW15T120 说明书 IKW15T120是英飞凌推出的一款大功率IGBT模块，采用NPT技术，具有低EMI、低门极电荷、低损耗、短路承受时间为10微秒、非常柔软的快速恢复反并联EmCon HE二极管等特点，适用于频率转换器和不间断电源等应用。
INFINEON SPW47N60CFD 说明书 SPW47N60CFD是CoolMOSTM功率晶体管，具有新的革命性高压技术，内置快速恢复体二极管，极低的反向恢复电荷，超低门极电荷，极端的dv/dt额定值，高峰电流能力，周期性雪崩额定值，符合JEDEC1) 的目标应用要求，无铅铅镀层；RoHS 兼容。
INFINEON IPP60R199CP 说明书 IPP60R199CP CoolMOSTM功率晶体管具有最低的R ONxQg值、超低的栅极电荷、极高的dv/dt额定值、高峰值电流能力，符合JEDEC1)的目标应用要求，采用无铅镀层，符合RoHS标准。CoolMOS CP专为服务器和电信的硬开关拓扑设计。
INFINEON SPA15N60CFD 说明书 SPA15N60CFD 是意法半导体生产的一种功率晶体管，该产品具有内置的快速恢复体二极管、极低的反向恢复电荷、超低的栅极电荷、极端的dv/dt额定值、高峰值电流能力，并且根据JEDEC1)针对目标应用进行了认证。该产品适用于软开关PWM阶段和LCD和CRT电视。
INFINEON IPP90R1K0C3 说明书 IPP90R1K0C3 CoolMOS™ 功率晶体管具有最低的功率损耗 RON x Qg，极端的 dv/dt 额定值，高峰电流能力，符合 JEDEC1) 目标应用的合格认证，无铅焊料，符合 RoHS 标准，极低的栅极电荷。CoolMOS™ 900V 适用于以下应用：准谐振反激/正向拓扑、PC 银盒和消费类应用、工业 SMPS。
INFINEON IDT12S60C 说明书 IDT12S60C 2nd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode是IDT公司生产的一种新型肖特基二极管，它具有无反向恢复/无正向恢复、高浪涌电流能力、铅免焊等特点，适用于CCM PFC、电机驱动等快速开关应用场合。
INFINEON IKP01N120H2 说明书 IKP01N120H2是一款高速功率半导体产品，采用软、快速恢复反并联EmCon HE二极管。适用于开关电源、灯泡镇流器、零电压开关转换器等软开关/谐振拓扑应用。该产品在1200V应用中采用第二代高速技术，具有降低谐振电路损耗、温度稳定行为、并联开关能力、参数分布紧密、适用于IC=1A的Eoff优化等特点。
INFINEON IPB60R299CP 说明书 IPB60R299CP CoolMOSTM功率晶体管具有最低的R ONxQ g，超低的栅极电荷，极高的dv/dt额定值，高峰值电流能力，符合JEDEC1)的目标应用要求，采用无铅镀层，符合RoHS标准。CoolMOS CP适用于硬开关SMPS拓扑结构。
INFINEON IPW60R045CP 说明书 IPW60R045CP CoolMOS® 功率晶体管，特点包括：全球最佳 R ds,on 在 TO247，超低栅极电荷，极限 dv/dt 额定值，高峰电流能力，根据 JEDEC1) 针对目标应用进行合格认证，铅免除铅镀，符合 RoHS 要求。 CoolMOS CP 专为：硬开关 SMPS 拓扑而设计。
INFINEON SPP08N50C3/SPI08N50C3/SPA08N50C3 说明书 SPP08N50C3, SPI08N50C3 SPA08N50C3 Cool MOS™ 功率晶体管，具有 560 V 的 VDS@Tjmax、0.6 欧姆的 RDS(on) 和 7.6 A 的 ID。其特点包括：新的革命性高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩额定值、极端 dv/dt 额定值、超低有效电容和改进的传导率。
