INFINEON SPU01N60C3 数据手册 SPU01N60C3 SPD01N60C3 是一款新型高压 MOS 功率晶体管，具有超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端 dv/dt 额定、超低有效电容和改进的导通率。
INFINEON SDP04S60, SDD04S60 SDT04S60 数据手册 SDP04S60, SDD04S60 SDT04S60是世界首款600V肖特基二极管，开关特性达到业界领先水平，无反向恢复，无温度影响，开关速度快，非常适合用于功率因数校正应用。
INFINEON SGP10N60A, SGB10N60A SGW10N60A 数据手册 该文件介绍了SGP10N60A、SGB10N60A和SGW10N60A三种快速IGBT产品的特点和特性。这些产品采用NPT技术，具有较低的Eoff和导通损耗，适用于电机控制和逆变器应用。NPT技术使得这些产品具有非常紧密的参数分布、高强度和温度稳定性，并且可以进行并联开关。具体的产品参数和PSpice模型可以在相关网站上找到。
INFINEON IPW90R500C3 数据手册 IPW90R500C3是CoolMOS™ 900V系列的功率晶体管，具有极低的RON x Qg、极高的dv/dt额定值、高峰值电流能力和Pb-free lead plating；RoHS兼容性；超低栅极电荷
INFINEON BSP296 数据手册 BSP296 是由Infineon Technologies生产的一款N沟道增强型逻辑级功率MOSFET。其最大直流电流为1.1A，最大关断电阻为0.7Ω，最大反向二极管dv/dt为6kV/µs，最大电源耗散为1.79W。该设备采用PG-SOT-223封装，适用于-55°C至+150°C的温度范围。
INFINEON IPD50R520CP 数据手册 IPD50R520CP是一款功率晶体管，它的特点是RONxQg最低、极低的门极电荷、极端的dv/dt额定值、高峰电流能力、无铅铅镀层、符合RoHS标准，并根据JEDEC1)的目标应用进行了鉴定。
INFINEON PROFET ITS612N1 数据手册 PROFET® ITS612N1 是英飞凌科技公司推出的一款智能双通道高侧功率开关，适用于工业应用。它具有过载保护、电流限制、短路保护、热关断、过压保护（包括负载浪涌）、快速退磁感性负载、反向电池保护、欠压和过压关断、开漏诊断输出、开路负载检测、CMOS兼容输入、地和Vbb掉电保护、静电放电（ESD）保护等功能。它可用于12 V 和 24 V DC 接地的工业应用中的µC 兼容功率开关，用于所有类型的阻性、感性和电容性负载，可以替代电气机械继电器、保险丝和分立电路。
INFINEON IPP90R500C3 数据手册 IPP90R500C3 CoolMOS™ 功率晶体管具有最低的 RON x Qg 比率、极端的 dv/dt 等级以及高峰电流能力。它已经通过 JEDEC1) 认证，适用于目标应用。该产品不含铅，符合 RoHS 标准，具有极低的栅极电荷。CoolMOS™ 900V 专为以下应用而设计：准谐振反激/正向拓扑结构、PC 银盒和消费应用以及工业 SMPS。
