INFINEON BAV70... Silicon Switching Diode 说明书 BAV70是ON Semiconductor公司生产的一款硅开关二极管，其最大反向电压为80V，最大反向电流为85V，最大正向电流为200mA，最大非重复峰值冲击正向电流为4.5A，总功耗为250mW，结温为150°C，存储温度为-65~150°C。
INFINEON SPW24N60C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 SPW24N60C3 是一款新型高压功率晶体管，具有极低的门极电荷、周期性雪崩等特性，最大电压为 650 伏，最大电流为 24.3 A。
INFINEON BFS17P NPN Silicon RF Transistor 说明书 该文件介绍了2005年11月17日发布的一款NPN硅射频晶体管BFS17P，可用于1 GHz以下的宽带放大器，集电流范围为1 mA至20 mA，静电敏感设备，需要注意操作预防。
INFINEON SPP06N80C3/SPA06N80C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 该数据表格是关于SPP06N80C3和SPA06N80C3这两款高压MOS管的产品信息，包括型号、封装形式、最大电流、门极电压、功耗等信息
INFINEON BA592/BA892... Silicon RF Switching Diode 说明书 BA592/BA892是富士通推出的一款硅射频开关二极管，用于电视/VTR调谐器和移动应用程序中的频段切换。它具有非常低的前向电阻（典型值为0.45欧姆@3mA）和小的寄生电容。
INFINEON IPA50R199CP CoolMOS ower Transistor 说明书 IPA50R199CP是CoolMOSTM功率晶体管，特点是RON x Qg最小，栅极电荷极低，dv/dt额定值极高，峰值电流能力高，符合RoHS标准。应用领域包括硬开关和软开关SMPS拓扑、CCM PFC、ATX、笔记本适配器、PDP和LCD电视。
INFINEON IKW08T120 说明书 IKW08T120 是 Infineon 公司生产的一种 IGBT 器件，该器件采用了 TrenchStop® 和 Fieldstop 技术，具有软恢复和快速恢复的特性，适用于频率转换器和不间断电源等应用场合。
INFINEON BAR65... Silicon PIN Diode 说明书 BAR65是一种硅PIN二极管，主要用于移动通信中的低损耗收发开关和电视调谐器的频段切换。它具有非常低的正向电阻和低电容，适用于快速切换应用。
INFINEON SPD07N60C3/SPU07N60C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 本文件详细介绍了804-10 Rev. 2.5 P-channel功率MOSFET的产品特性,包括最大电压、电流、功率和热阻等
INFINEON PROFET BTS 6133D Smart Highside Power Switch 说明书 该文件是关于PROFET® BTS 6133D 的数据表，产品具有反向电池保护、反向操作、短路保护、电流限制、过载保护、热关断、过压保护、失去接地保护、失去Vbb保护、低待机电流、快速退磁等功能。
INFINEON BAS116... Silicon Low Leakage Diode 说明书 该文件介绍了BAS116硅低漏电二极管的特点和特性，适用于低漏电应用和中等速度的开关时间。它具有80V的反向电压和250mA的正向电流。另外，该二极管具有较低的反向电流和快速的反向恢复时间。
INFINEON BTS 4141N Smart High-Side Power Switch 说明书 BTS 4141N 是德国公司 Infineon 生产的一种高侧功率开关器件，具有短路保护、过流保护、过载保护、过压保护、欠压关断、开关电感负载、输出负压钳位、CMOS 兼容输入、热关断、ESD 保护、掉电、低待机电流、外部电阻反向电池保护等功能
