INFINEON - IPP60R250CP 说明书 IPP60R250CP CoolMOSTM功率晶体管具有最低的RONxQg值，超低的门电荷，极高的dv/dt额定值和高峰值电流能力。它适用于硬切换的开关模式电源拓扑结构。
INFINEON - SPP20N60CFD 说明书 SPP20N60CFD是新一代高压场效应晶体管，其RDS(on)为0.22欧姆，ID为20.7安培。产品具有极低的门电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、高峰电流能力、固有快速恢复体二极管和极低的反向恢复电荷。
INFINEON - PROFET ITS428L2 说明书 PROFET® ITS428L2 是一款智能高侧功率开关，适用于工业应用。其集成了高性能的 N 通道垂直功率 MOSFET、充电泵、地参考 CMOS 兼容输入和诊断反馈，采用 Smart SIPMOS® 技术进行单片集成。
INFINEON - SPW15N60CFD 说明书 SPW15N60CFD CoolMOSTM功率晶体管具有快速恢复体二极管、极低的反向恢复电荷、超低的栅极电荷、极高的dv/dt额定值、高峰值电流能力等特点，适用于软开关PWM级、LCD和CRT电视等应用。
INFINEON - BFR380F 说明书 该文档介绍了BFR380F型号的NPN硅射频晶体管的特点和特性，如高电流能力、低噪声系数、低电压操作等。适用于宽动态范围应用和低相位噪声振荡器，频率范围可达3.5 GHz。
INFINEON - PROFET BTS721L1 说明书 该数据手册介绍了PROFET® BTS721L1四通道高侧功率开关的特点特性，包括过载保护、电流限制、短路保护、热关断、过压保护（包括负载释放）等
INFINEON IKW25T120 说明书 IKW25T120 是英飞凌推出的一款低损耗双封装 IGBT，采用 TrenchStop 和 Fieldstop 技术，具有软、快速恢复的 anti-parallel EmCon HE 二极管。
INFINEON IPI60R199CP 说明书 IPI60R199CP CoolMOSTM Power Transistor 是用于服务器和电信领域的硬开关拓扑的理想选择。其具有极低的RONxQg、超低的栅极电荷和极端的dv/dt额定值，以及高峰值电流能力。
INFINEON IPA90R500C3 说明书 IPA90R500C3 CoolMOS™ 功率晶体管具有最低的RON x Qg，极端的dv/dt额定值，高峰电流能力，符合JEDEC1)目标应用要求，铅免铅镀锡，RoHS兼容，超低栅极电荷CoolMOS™ 900V 设计用于：准谐振反冲/正向拓扑结构，PC银盒和消费类应用，工业SMPS
