INFINEON SPP21N50C3/SPI21N50C3/SPA21N50C3 说明书 SPP21N50C3 SPI21N50C3 和 SPA21N50C3 是 Cool MOS™ 功率晶体管，其特点是全球领先的 RDS(on) 和极低的有效电容。这些晶体管具有周期性雪崩等级、极端 dv/dt 等级、超低栅极电荷和改进的传导率。
INFINEON BC856...BC860 说明书 BC856, BC857, BC860 是三种 PNP 硅 AF 晶体管，具有高电流增益、低发射极-集电极饱和电压和低噪声，适用于 AF 输入级和驱动应用。
INFINEON IPI90R1K0C3 说明书 IPI90R1K0C3 CoolMOS™功率晶体管具有最低的固有电阻乘以总电荷，极高的dv/dt耐压能力和高峰值电流承受能力。它适用于准谐振反激/正激拓扑、PC Silverbox和消费类应用、工业开关电源等领域。
INFINEON IPP60R299CP 说明书 IPP60R299CP CoolMOSTM Power Transistor 是一款低 RonxQg、低栅极电荷、高 dv/dt 额定、高峰值电流能力的功率晶体管。
INFINEON SPP06N60C3 说明书 SPP06N60C3 CoolMOSTM Power Transistor 是一款高性能功率晶体管，具有超低栅极电荷、周期性雪崩额定值、高峰值电流能力、超低有效电容和极端dv/dt额定值等特性。
INFINEON - BFP620 数据手册 该文件介绍了BFP620 Apr-21-2004 1 NPN硅锗射频晶体管的特点和特性，适用于广泛的无线应用，特别适用于CDMA和WLAN应用。其在1.8 GHz和6 GHz时的噪声系数分别为0.7 dB和1.3 dB，最大稳定增益分别为21.5 dB和11 dB。该晶体管具有高可靠性的金属化处理。
INFINEON - IPW50R199CP 数据手册 IPW50R199CP CoolMOSTM功率晶体管具有最低的R ON x Qg特性、超低的栅极电荷、极高的dv/dt额定值、高峰值电流能力和符合RoHS的无铅电镀等特点。
INFINEON SPA15N65C3 CoolMOS Power Transistor 说明书 该文件介绍了SPA15N65C3 CoolMOSTM功率晶体管的特点特性，包括低门极电荷、极限dv/dt额定、高峰电流能力、符合JEDEC1)目标应用的合格认证以及无铅铅镀层;RoHS符合。
INFINEON IPA60R299CP 说明书 该文件介绍了IPA60R299CP CoolMOS®功率晶体管的特点和特性，包括最低的ON电阻和电荷乘积、超低的栅极电荷、极端的dv/dt耐受能力、高峰值电流能力等。
INFINEON Wireless Components ASK/FSK 915MHz Single Conversion Receiver TDA 5212 Version 1.3 说明书 该文档是TDA 5212的规格书
