INFINEON BFG235 说明书 该文件介绍了2005-10-11 BFG235 1 NPN硅射频晶体管的特点和特性，适用于2 GHz以下的天线和通信系统中的低失真宽带输出放大器级别，集成了发射极阻焊电阻。
INFINEON IPP90R340C3 说明书 IPP90R340C3 CoolMOS™ 功率晶体管具有最低的 RON x Qg 值和极端的 dv/dt 额定值，并且具有高峰值电流能力。它已根据 JEDEC1) 针对目标应用进行了认证，并符合 RoHS 标准。该器件采用无铅导电涂层，并具有全球最佳 R DS,on 和超低栅极电荷。CoolMOS™ 900V 适用于：准谐振反激/正向拓扑、PC 银盒和消费应用以及工业 SMPS。
INFINEON SPP12N50C3 SPI12N50C3, SPA12N50C3 说明书 该文件介绍了SPP12N50C3、SPI12N50C3和SPA12N50C3 Cool MOS™功率晶体管的特点。这些晶体管采用了新颖的高压技术，具有超低的栅极电荷、周期性雪崩能力和极端的dv/dt能力。此外，它们还具有超低的有效电容、改进的跨导和全隔离封装。该文件还列出了这些产品的型号、包装和订购代码，以及其最大额定值和热特性。
INFINEON SPD08N50C3 说明书 SPD08N50C3是英飞凌公司推出的一种新型MOS功率晶体管，其特点是具有非常低的RDS(on)，非常低的门电荷，极端的dv/dt额定值，非常低的有效电容和改进的传导率。
INFINEON BTS711L1 说明书 本文件是关于BTS711L1产品的详细介绍，主要介绍了其特点特性，包括过载保护、电流限制、短路保护、热关断、过压保护、快速退磁、反向电池保护、欠压和过压关断、开漏诊断输出、开路检测、CMOS兼容输入、掉电和掉电Vbb保护、静电放电（ESD）保护等
INFINEON BAS16... 说明书 BAS16系列是ON Semiconductor推出的一种硅开关二极管，该系列产品具有高开关速度特性，适用于高频开关应用场合。该系列产品采用SOT23、TSLP-2-1、SC79、SCD80、SOD323、TSLP-4-4、SOT363、SC74、SOT323等多种封装形式，可满足不同应用场合的需要。
INFINEON SPP80N08S2L-07 SPB80N08S2L-07 说明书 SPP80N08S2L-07和SPB80N08S2L-07是N沟道增强型逻辑级MOSFET，额定电压为75V，最大RDS(on)为6.8mΩ，额定电流为80A。
INFINEON BAR64... 说明书 BAR64系列是高压电流控制RF电阻器，适用于RF衰减器和开关。它具有频率范围超过1MHz到6GHz、零伏反向偏置下极低的电容（典型值为0.17pF）、低正向电阻（典型值为2.1欧姆@10毫安）和非常低的信号失真等特性
