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INFINEON SPP11N65C3 数据手册

该文件介绍了SPP11N65C3, SPA11N65C3和SPI11N65C3 Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括新的高压技术、超低门电荷、周期性雪崩能力、极限dv/dt能力、高峰值电流能力和改进的跨导等。

该文件介绍了2005-09-29 BFP193W 1 NPN硅射频晶体管的特点和特性，适用于低噪声、高增益放大器和线性宽带放大器，频率范围为2 GHz，fT = 8 GHz，在900 MHz处增益为1 dB。

该文件介绍了BSP89型号的SIPMOS小信号晶体管的特点和特性，包括最大电压、漏极电流、功率耗散、工作温度等参数。

IPD60R385CP CoolMOS® Power Transistor 是全球最佳 R ds,on 在 TO252，超低栅极充电，极端dv/dt额定，高峰电流能力，通过JEDEC1) 认证，符合RoHS标准。

PROFET® ITS621L1是英飞凌推出的一款智能双通道高侧功率开关，该产品具有过载保护、电流限制、短路保护、热关断、过压保护（包括负载回弹）等功能，可应用于工业应用中，适用于12 V和24 V直流接地负载，可替代电气机械继电器、保险丝和分立电路。

IKP03N120H2、IKW03N120H2是英飞凌的高性能功率半导体，适用于SMPS、Lamp Ballast、ZVS-Converter等应用。该系列产品具有温度稳定的特性，并通过了JEDEC2认证。

这是一份英飞凌C165 16位单片机的数据手册

IPP90R800C3 CoolMOS™ Power Transistor 是英飞凌公司推出的一款功率晶体管，该产品具有最低的R ON x Qg、极高的dv/dt、高峰值电流能力等特点，适用于各种开关电源应用。

BDP947, BDP949是两款硅NPN晶体管，具有高集电极电流、高电流增益和低集电极-发射极饱和电压。

BSM 200 GB 120 DN2是Bosh公司生产的一款IGBT模块，其最大额定值为Vce为1200V，IC为290A。

IKA15N60T是一款600V IGBT，具有软恢复的反并联EMCon HE二极管，最大结温为175°C，短路耐受时间为-5µs。

IPW50R350CP是一款功率晶体管，采用最新技术，具有最低的RON x Qg，超低的栅极电荷，极端dv/dt等特点。该产品适用于硬开关和软开关SMPS拓扑结构、CCM PFC用于灯具镇流器、LCD和PDP电视以及PWM用于灯具镇流器、LCD和PDP电视。

本文件是关于 TC1161/TC1162 32-Bit Single-Chip Microcontroller TriCoreTM 的 Data Sheet

IDT16S60C 2nd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode是IDT公司生产的一款高性能的肖特基二极管，具有开关行为基准、无反向恢复/无正向恢复、无温度影响的开关行为、高浪涌电流能力等特点。

IKP04N60T是英飞凌推出的一款功率半导体产品，采用了TrenchStop®和Fieldstop技术，具有低VCE(sat)、高可靠性、高开关速度等特点。