IXYS IXFC 80N10 数据手册
该文件介绍了IXYS公司的一款N-Channel Enhancement Mode高dv/dt、低trr、HDMOSTM系列的HiPerFETTM MOSFET产品。该产品具有ISOPLUS220TM特性，采用硅芯片和直接铜键合基板，具有高功率耗散、隔离安装表面和2500V电气隔离等特点。此外，该产品还具有低漏极到导热片电容(<35pF)、低RDS (on)和坚固的多晶硅栅电池结构等特性。
厂商: IXYS
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上传时间: 2012-06-15 00:36:00
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