日立说明书大全

HITACHI H8/3437 Series Single-Chip Microcomputer Hardware Manual

该文件为Hitachi Single-Chip Microcomputer H8/3437 Series的硬件手册

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HITACHI VAM-EV1 数据手册

该文件介绍了Hitachi的视频放大器模块产品,包括FA4105A、FA4111、FA4111B、FA4113等型号。这些产品支持高端彩色显示器,包括17英寸、19英寸及以上的显示器。

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HITACHI HD14562B 128-bit Static Shift Register

本文件为HD14562B数据手册

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HITACHI 2SC3127, 2SC3128, 2SC3510 数据手册

2SC3127, 2SC3128, 2SC3510 是三款硅NPN结型晶体管,应用于 UHF/VHF 宽带放大器。该数据表提供了该系列产品的绝对最大额定值、电气特性、引脚配置和封装信息。

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日立 2SC1345(K) 说明书(1)

2SC1345(K)是NPN型三极管,可以应用于低频低噪声放大器中。

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日立 2SC1345(K) 说明书

2SC1345(K)是硅NPN结型晶体管,主要用于低频低噪声放大器。

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日立 2SC1344, 2SC1345 说明书

2SC1344和2SC1345是硅NPN外延型低频低噪声放大器应用的器件。它们具有低噪声系数和高频带宽乘积。

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日立 2SC1342 说明书

2SC1342是一种硅NPN外延平面晶体管,主要用于VHF放大器、混频器和局部振荡器。

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日立 2SC1213A(K) 说明书

2SC1213A(K)是三洋生产的一款NPN型晶体管,其应用场景包括低频放大器和中速开关。其典型封装为TO-92。

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日立 2SC1213, 2SC1213A 说明书(1)

2SC1213, 2SC1213A 是日本三菱电机生产的NPN型硅晶体管,具有低频放大器的应用特性,是2SA673和2SA673A的互补对偶。

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日立 2SC1213, 2SC1213A 说明书

2SC1213, 2SC1213A 是 NPN 型晶体管,主要用于低频放大。

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日立 2SC1212, 2SC1212A 说明书(1)

该文件介绍了2SC1212和2SC1212A的绝对最大额定值和电气特性。这是一种硅NPN外延型低频功放器件,适用于低频功率放大器应用。它具有较高的集电极到基极和集电极到发射极电压额定值,较低的发射极到基极电压额定值,最大1A的集电流,以及最大8W的集电功率耗散。电气特性方面,该器件具有较高的集电极到基极和集电极到发射极击穿电压,较低的集电极截止电流,较高的直流电流传输比,适中的基极到发射极电压和集电极到发射极饱和电压,以及较高的增益带宽积。此外,该文件还提供了器件的分组信息。

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日立 2SC1212, 2SC1212A 说明书

2SC1212和2SC1212A是硅NPN结型晶体管,应用于低频功率放大器。

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日立 2SC1162 说明书

2SC1162是一种硅NPN外延型晶体管,用于低频功率放大器。它与2SA715互补,适用于互补对。它具有较低的噪音系数和较高的增益带宽积。

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HITACHI 1SS277 Silicon Epitaxial Planar Diode for UHF/VHF tuner Band Switch 数据手册

1SS277是ADE的一种硅单片平面二极管,用于UHF/VHF调谐器带切换。1SS277具有低的正向电阻(rf = 0.5Ω 最大)和超小玻璃封装(UMD),易于安装,可靠性高。

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HITACHI 1SS286 Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching 数据手册

1SS286是用于各种检测器,高速度开关的硅肖特基势垒二极管,具有非常低的反向电流,检测效率很好,小玻璃封装(MHD)可以实现易于安装和高可靠性。

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HITACHI 1SS199 Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching 数据手册

1SS199硅肖特基势垒二极管适用于各种探测器和高速开关,具有良好的检测效率和小的温度系数。小型玻璃封装(MHD)易于安装,可靠性高。

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HITACHI 1SS120 Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching 数据手册

1SS120 是Si Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching,具有低电容(C = 3.0pF max)和短的反向恢复时间(trr = 3.5ns max)等特点。

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HITACHI 1SS119 Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching 数据手册

该文档介绍了1SS119硅外延平面二极管的特点,包括低电容、短的反向恢复时间和小型玻璃封装。该二极管适用于高速开关应用。

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HITACHI 1SS118 Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching 数据手册

1SS118是德州仪器生产的一种硅平面二极管,具有高平均正向电流和高可靠性。

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