Fairchild说明书大全

FDC610PZ是Fairchild Semiconductor Corporation生产的P通道PowerTrench®MOSFET，它具有极低的导通电阻和低栅极电荷，适用于电池供电应用，如负载切换和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。

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FDC6302P是Fairchild的双P通道数字场效应晶体管，其最大耗散功率为0.9瓦，工作温度范围为-55至150℃。该器件适用于低压应用，可替代负载开关应用中的数字晶体管。

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FDC6303N是双N沟道逻辑级增强型场效应晶体管，采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术制造，具有很低的导通电阻。该器件专为低压应用而设计，可替代负载开关应用中的数字晶体管。由于不需要偏置电阻，这种N沟道FET可以替代具有不同偏置电阻的多个数字晶体管。

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该文件介绍了1997年7月生产的FDC6304P数字FET双P通道晶体管的特点和绝对最大额定值，包括电压、电流、功耗、温度等参数。该产品采用了高密度DMOS工艺，具有低电压驱动、低导通电阻、ESD抗干扰等特点，适用于笔记本电脑和手机等电池供电应用。

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FDC6305N是Fairchild Semiconductor的双N通道2.5V指定PowerTrench MOSFET，具有低门极电荷、高开关速度和极低的RDS(ON)。

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fdc6306p是fairchild semiconductor公司生产的一款p通道2.5v指定mosfet，采用了fairchild semiconductor的先进的powertrench工艺，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，适用于负载开关、电池保护和电源管理等应用。

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FDC6310P是Fairchild Semiconductor Corporation生产的双P通道2.5V规格PowerTrench MOSFET，其特点是低导通电阻和低栅极电荷，适用于负载开关、电池保护和电源管理等应用。

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这份文件介绍了Fairchild Semiconductor公司生产的FDC6312P双P通道1.8V指定MOSFET。该产品采用Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺生产，旨在最小化导通电阻，同时保持低栅极电荷以实现卓越的开关性能。

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这份文件介绍了Fairchild Semiconductor公司的FDC6318P双路P通道1.8V PowerTrench MOSFET。该产品采用先进的PowerTrench工艺，具有低导通电阻和低栅极电荷，从而实现了卓越的开关性能。

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该文件介绍了1997年10月发布的FDC6320C双N&P通道数字场效应晶体管的特点和特性，包括工作电压、最大功率、温度范围等参数。该产品具有低电平门极驱动需求，可以直接在3V电路中操作。适用于替代双极数字晶体管的低压应用。

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FCP380N60E / FCPF380N60E是Fairchild Semiconductor Corporation的600V N沟道MOSFET，其最大额定值为600V，最大关断电阻为380mΩ，具有超低栅极电荷和低有效输出电容。

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FCP4N60是一款600V N沟道MOSFET，具有低导通损耗、优异的开关性能和高抗电压冲击能力，适用于各种AC/DC功率转换应用。

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FCP7N60/FCPF7N60/FCPF7N60YDTU是Fairchild公司推出的新一代高压MOSFET产品系列，具有低导通电阻、低门电荷等特点，适用于各种AC/DC功率转换和开关模式操作。

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FCP9N60N / FCPF9N60NT N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款高压超结MOSFET，采用深沟填充工艺，具有0.33Ω（典型值）@ VGS = 10V，ID = 4.5A的低RDS（on），低门极电荷（典型值Qg = 22nC），低有效输出电容，100％雪崩测试，符合RoHS标准

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该文件介绍了FCPF400N60 N-Channel MOSFET的特点和特性，包括最大漏电流、热特性、最大工作温度范围等。

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SupreMOS TM FCP7N60N/FCPF7N60NT N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款高压超结MOSFET，采用深沟填充工艺，RDS(on)典型值为0.46欧姆，Qg典型值为17.8纳法，符合RoHS标准。

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FDA032N08是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N通道MOSFET，具有低RDS(on)、高开关速度、低栅极电荷、高性能Trench技术等特点，适用于DC/DC转换器/同步整流等应用场合。

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该文件介绍了UniFET TM系列的FDA15N65 650V N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括16A的电流、650V的电压、0.44Ω的导通电阻、低门电荷、快速开关速度等。

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FDA16N50 / FDA16N50_F109 500V N-Channel MOSFET 是一款低阻抗、低栅极电荷、低寄生电容、高开关速度、100% 雪崩测试的 N 沟道 MOSFET。

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