飞利浦说明书大全
philips PBSS5320X 20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册
PBSS5320X是飞利浦半导体公司生产的一款PNP低VCEsat（BISS）晶体管，具有SOT89（SC-62）封装，低集电极-发射极饱和电压VCEsat，高集电流能力：IC和ICM，更高效率导致更少的热量产生，降低印刷电路板要求。应用包括电源管理、DC/DC转换器、电源线开关、电池充电器、LCD背光等。
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philips PBSS5320T 20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册
PBSS5320T是一款20V、3A的PNP低VCEsat(BISS)晶体管，具有低发热率、高效率、高电流等特点。适用于电源管理、低功耗DC/DC转换器、供电线路切换、电池充电器等应用。
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philips PBSS5250X 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册
该文档是关于PBSS5250X 50V、2A PNP低VCEsat (BISS)晶体管的数据表。该晶体管具有低饱和压降、高集电流能力、更高的效率、减少热量产生和减少印刷电路板需求等特点。适用于功率管理和外围驱动等应用。
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philips PBSS5250T 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册
该文档介绍了PBSS5250T型号的50V、2A PNP低VCEsat (BISS)晶体管的特点和特性，包括低饱和压降、高集电流能力、更高的效率、减少热量生成和减少印刷电路板需求等。该晶体管适用于电源管理、外围驱动等应用。
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philips PBSS5240Y 40 V low VCEsat PNP transistor 数据手册
PBSS5240Y是PHILIPS生产的一款低Vcesat PNP管，具有低饱和压降、高电流能力、改进的器件可靠性和增强的性能等特点，可应用于电源线开关电路、电池管理应用、DC/DC转换器应用、闪光灯单元和重型电池供电设备（电机和灯驱动器）等
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philips PBSS5240V 40 V low VCEsat PNP transistor 数据手册
PBSS5240V是一款低Vcesat PNP晶体管，具有高电流能力和高效率，可用于电源管理和周边驱动等应用。
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philips PBSS5240T 40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册
PBSS5240T 是 Philips Semiconductors 公司的 40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 。产品特点是低集电极-发射极饱和电压、高电流能力、降低热量产生提高了器件的可靠性。可应用于供电线路开关电路、电池管理应用、DC/DC 转换器应用、闪光灯单元和重型电池供电设备（电机和灯驱动器）中。
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philips PBSS5230T 30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册
该文件介绍了PBSS5230T型号的30V、2A PNP低VCEsat (BISS)晶体管的特点和特性，包括低饱和压降、高集电流能力、高效率、减少热量生成以及在特定应用中作为MOSFET的经济有效替代品等。
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philips PBSS5160T 60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册
PBSS5160T是一款60V、1A的PNP低VCEsat (BISS)晶体管，具有低饱和电压和高效率等特性，适用于汽车、电信基础设施和工业等领域的功率管理和外围驱动应用。
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飞利浦 PBSS5160DS 数据手册
PBSS5160DS是一款60V、1A PNP低VCEsat（BISS）晶体管，具有低集电极-发射极饱和电压VCEsat、高集电极电流能力、高集电极电流增益（hFE）和高效率等特点。
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philips PBSS5140V 40 V low VCEsat PNP transistor 数据手册
PBSS5140V 是飞利浦推出的一款低 VCEsat PNP 晶体管，最大功耗为 300 mW，封装尺寸为 1.6 mm × 1.2 mm × 0.55 mm。该晶体管适用于一般用途开关和静音、LCD 背光、电源线开关电路等应用场景。
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philips PBSS5140U 40 V low VCEsat PNP transistor 数据手册
该文档介绍了PBSS5140U 40 V低VCEsat PNP晶体管的特点和特性，包括低集电极-发射极饱和电压、高电流能力、降低热量生成、在SOT323（SC-70）塑料封装中的PNP低VCEsat晶体管。
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philips PBSS5140T 40 V low VCEsat PNP transistor 数据手册
PBSS5140T是飞利浦半导体推出的一种低Vcesat PNP晶体管，具有低集电极-发射极饱和电压、高电流能力和低发热的特点。该晶体管可用于通用开关和静音、LCD背光、电源线开关电路等应用。
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philips PBSS5140S 40 V low VCEsat PNP transistor 数据手册
PBSS5140S是飞利浦公司的一款低压饱和电压PNP晶体管，具有高功耗（830毫瓦）、超低集电极-发射极饱和电压、1安连续电流、高电流开关等特点。
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philips PBSS5140D 40 V low VCEsat PNP transistor 数据手册
该文件介绍了PBSS5140D型号的40V低VCEsat PNP晶体管的特点和应用领域。
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philips PBSS5120T 20 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册
PBSS5120T是菲利普半导体公司推出的一款PNP BISS晶体管，具有超低VCEsat和RCEsat参数。该晶体管适用于电源管理、DC/DC转换、供电线切换、电池充电器、LCD背光等应用。
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philips PBSS4540Z NPN medium power transistor 数据手册
该文件介绍了一种NPN中功率晶体管PBSS4540Z的初步规格。该晶体管具有高电流（最大10A）、低电压（最大40V）和低VCEsat的特点。适用于重型便携设备（汽车、电信和音视频）和低电源电压集成电路应用等领域。
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philips PBSS4540X 40 V, 5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 数据手册
PBSS4540X是一款高hFE和低VCEsat的NPN低VCEsat晶体管，具有高集电极电流能力(IC最大4A)和高效率，降低了发热量。适用于中功率外围驱动器(如风扇和电机)、DSC和手机的闪光灯单元、TFT显示器的逆变应用、LAN和ADSL系统的电源开关、中功率DC-DC转换和电池充电器。
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philips PBSS4520X 20 V, 5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 数据手册
PBSS4520X是Philips Semiconductors生产的一款NPN低Vcesat (BISS)晶体管，其特点是高hFE和低Vcesat，最高电流为5A，高效率，低热量
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