飞利浦说明书大全

PBSS4480X是一款高hFE和低VCEsat的NPN低VCEsat（BISS）晶体管，具有高电流能力和高效率。它适用于中功率外围驱动器、闪光灯单元、逆变器、电源开关、中功率DC-DC转换和电池充电器等应用。

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该数据表提供了50V，2A NPN低VCEsat（BISS）晶体管PBSS4250X的特性、应用、描述、引脚、参数等信息。

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PBSS4320T是一款20V低VCEsat NPN晶体管，具有低的集电极-发射极饱和电压VCEsat和相应的低RCEsat，高集电极电流能力，高集电极电流增益以及降低热量产生带来的改进效率等特点。

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PBSS4320X是PHILIPS生产的一款低VCEsat（BISS）型号的NPN晶体管，其特点是SOT89（SC-62）封装，低饱和压降，高效率，低发热，适用于驱动功率转换器，电池充电器，LCD背光等应用

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PBSS4330X是一款30V、3A的NPN低VCEsat (BISS)晶体管。它具有低饱和压降、高集电极电流能力、更高的效率以及减少的PCB需求。

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PBSS4350D是一款NPN型晶体管，具有高电流能力和低VCEsat特性。适用于重型电池供电设备（汽车、通信和音视频）以及VCEsat关键应用。可用于各种电池驱动设备以节省电池功耗。

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该文件是关于PBSS4350S型50V低VCEsat NPN晶体管的产品说明书。该晶体管具有高功率耗散、超低集电极-发射极饱和电压、3A连续电流和高电流开关等特点。适用于中功率开关、线性稳压器、DC/DC转换器、供电线路开关电路、电池管理应用、闪光灯单元和重型电池供电设备等应用。

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本文档介绍了PBSS4350SA型号的低VCEsat NPN晶体管的特点和特性，包括低饱和电压VCEsat和相关的等效电阻RCEsat、高集电极电流能力IC和ICM、高集电极电流增益hFE以及更高效率的热量生成等。该晶体管适用于低中功率DC/DC转换器、低电压调节(LDO)、MOSFET驱动器、供电线开关和电池充电器等应用。

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该文档介绍了PBSS4350T型号的50V低VCEsat NPN晶体管的特点和特性，包括低集电极-发射极饱和电压VCEsat和相应的低等效电阻RCEsat，高集电流能力，高集电流增益以及由于降低热量而提高的效率。该晶体管适用于功率管理应用、低功率和中功率直流/直流变换器、供电线开关、电池充电器以及低压降（LDO）的线性电压调节。

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PBSS4240Y是一款高性能的40V低Vcesat NPN晶体管。它具有低收集器-发射极饱和电压、高电流能力和增强的性能。它广泛应用于电源线切换电路、电池管理应用、DC/DC转换器应用、闪光灯单元和重型电池供电设备(电动机和灯驱动器)。

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PBSS4240V是一款低VCEsat和高电流能力的NPN晶体管，适用于电源管理和外围驱动应用。

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PBSS4240T是一款40V低VCEsat NPN晶体管，具有低集电极-发射极饱和电压、高电流能力和改进的器件可靠性等特点，可用于电源线开关电路、电池管理应用、DC/DC转换器应用、闪光灯单元和重型电池供电设备（电机和灯驱动器）等。

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PBSS4240DPN是菲利普半导体公司生产的一款NPN/PNP低VCEsat晶体管，具有低集电极-发射极饱和电压、高集电极电流能力、高集电极电流增益、高效率等特点，广泛应用于电源管理和外围驱动等领域。

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PBSS4230T是一款NPN低VCEsat（BISS）晶体管，具有低集电极-发射极饱和电压VCEsat、高集电流能力IC和ICM、高效率、降低电路板要求和成本效益高的特点。

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本文档介绍了PBSS4160T型号的特点和特性，该型号是一种60V、1A的NPN低VCEsat（BISS）晶体管。

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这是一款低Vcesat NPN 晶体管，其特点是功耗小、封装小巧、电流能力强。该晶体管适用于一般用途开关和静音、LCD 背光、供电线开关电路和电池驱动设备（如手机、摄像机和掌上设备）。

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该文档介绍了PBSS3540M型号的40V、0.5A PNP低VCEsat (BISS)晶体管的特点特性，包括低饱和压降、高集电极电流能力、高效率以及减少印刷电路板要求等。适用于电源管理和外围驱动等应用。

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PBSS4120T是一款20V、1A的NPN低VCEsat（BISS）晶体管。它具有低的集电极-发射极饱和电压VCEsat、高的集电极电流能力IC和ICM、高效率、减少热量产生和降低印刷电路板要求的特点。它是MOSFET在特定应用中的经济有效替代品。适用于电源管理、外围驱动等领域。

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PBSS4130T是一款30V、1A的NPN低Vcesat(BISS)晶体管，具有低集电极-发射极饱和电压Vcesat、高集电流能力Ic和ICM、高效率、低发热、印刷电路板要求低、是特定应用中MOSFET的成本效益替代品。

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