飞利浦说明书大全

philips PBSS4140DPN 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor 数据手册

该数据手册介绍了PBSS4140DPN低Vcesat NPN/PNP晶体管的特点特性,产品特点包括600 mW的总功耗、低集电-发射饱和电压、高电流能力等。

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philips PBSS4140S 40 V low VCEsat NPN transistor 数据手册

pbss4140s是飞利浦推出的一款低vcesat npn晶体管,具有高功耗、超低集电极-发射极饱和电压、1a连续电流、高电流开关等特点,广泛应用于中等功率开关和静音、线性稳压器、dc/dc转换器、lcd背光、电源线开关电路等领域。

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philips PBSS4140T 40 V, 1A NPN low VCEsat (BISS) transistor 数据手册

PBSS4140T是一款低Vcesat的NPN型晶体管,具有低发热量、高电流能力和可靠性。它广泛用于开关、静音、LCD背光、电源线切换电路以及手机、摄像机等各种便携设备。

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philips PBSS4140U 40 V low VCEsat NPN transistor 数据手册

该文件介绍了PBSS4140U型号的40V低VCEsat NPN晶体管的特点和特性,包括低集电极-发射极饱和压降、高电流能力、减少热量产生和改善器件可靠性等。该晶体管适用于一般用途开关和静音、LCD背光、电源线开关电路以及电池驱动设备(手机、摄像机和手持设备)。

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philips PBSS3540F 40 V low VCEsat PNP transistor 数据手册

PBSS3540F是一款40V低Vcesat PNP晶体管,具有低集电极-发射极饱和电压、高电流能力、平导线改进的热行为和优于SOT23通用晶体管的性能。

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philips PBSS3515VS 15 V low VCEsat PNP double transistor 数据手册

该文件介绍了PBSS3515VS型号的15V低VCEsat PNP双晶体管的特点和特性,包括300 mW总功耗、超薄封装、低饱和压降、高电流能力等。

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飞利浦 PBSS3515M 数据手册

PBSS3515M 是 Philips Semiconductors 生产的一款 15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

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飞利浦 PBSS3515F 数据手册

PBSS3515F是一种15V低VCEsat PNP晶体管,具有低的集电极-发射极饱和电压和高电流能力。它适用于一般用途开关和静音,低频驱动电路,LCD背光,音频频率通用放大器应用以及电池驱动设备(手机,摄像机和手持设备)。

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飞利浦 PBSS2540M 数据手册

PBSS2540M是一款40V,0.5A的低压失调NPN晶体管,具有低压失调、高电流能力和高效率等特点,适用于电源管理、外围驱动等应用

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飞利浦 PBSS2540F 数据手册

该文件介绍了PBSS2540F型号的40V低VCEsat NPN晶体管的特点和特性,包括低饱和电压、高电流能力、平坦引线的改善热行为以及对SOT23通用晶体管的增强性能。应用领域包括一般用途开关和静音、低频驱动电路、音频频率通用放大器应用以及电池驱动设备(手机、摄像机、手持设备)。

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飞利浦 PBSS2515YPN 数据手册

PBSS2515YPN是一种15V低VCEsat NPN/PNP晶体管。其特点包括低集电极-发射极饱和电压、高电流能力、可替代同一PCB区域上两个SC-70封装的低VCEsat晶体管、减少所需PCB区域和降低拾放成本。

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飞利浦 PBSS2515VPN 数据手册

PBSS2515VPN是PHILIPS公司生产的一款低Vcesat的NPN/PNP双管,其特点是功耗小(300mW),封装小(1.6x1.2mm),可用于开关、驱动、背光、音频放大等场合。

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飞利浦 PBSS2515M 数据手册

PBSS2515M是一款15V,0.5A的NPN低VCEsat(BISS)晶体管,具有低集电极-发射极饱和电压VCEsat,高集电流能力IC和ICM,高效率,降低热量产生,减少印刷电路板要求。适用于电源管理、边缘驱动等应用。

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飞利浦 PBSS2515F 数据手册

该文件介绍了PBSS2515F型号的15V低VCEsat NPN晶体管的特点和应用领域。

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飞利浦 PBSS2515VS 数据手册

PBSS2515VS是PHILIPS公司生产的一种低VCEsat NPN双晶体管,具有300mW的总功耗、1.6x1.2mm的超薄封装、优异的共平面性、低的集电极-发射极饱和电压、高的电流能力、改进的热性能和扁平的引线。

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PHILIPS PESD5V2S18U ESD protection array 数据手册

本文档介绍了PESD5V2S18U ESD保护数组的特点和特性,包括18线单向ESD保护、最大峰值反向功率、低夹持电压和低泄漏电流等。

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PHILIPS PESD5V0S2BT Low capacitance bi-directional double ESD protection diode in SOT23 package 数据手册

PESD5V0S2BT是一款低电容双向ESD保护二极管, 封装为SOT23小型塑料包装, 设计用于保护2条数据线免受静电放电(ESD)和其他瞬态的影响。

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PHILIPS PESD5V0L7BAS; PESD5V0L7BS Low capacitance 7-fold bidirectional ESD protection diode arrays 数据手册

该文件介绍了一种低电容7倍双向ESD保护二极管阵列,适用于保护多达七条传输或数据线免受静电放电(ESD)和其他瞬态引起的损坏。

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PHILIPS PESD5V0L6UAS; PESD5V0L6US Low capacitance 6-fold ESD protection diode arrays 数据手册

这是一个关于PESD5V0L6UAS; PESD5V0L6US低电容6倍ESD保护二极管阵列的产品数据表。该数据表主要介绍了产品的功能特点、应用场景、技术参数等信息。

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PHILIPS PESDxV4UW series 数据手册

该文档介绍了一种超小型SOT665塑料封装的四路ESD保护二极管阵列,用于保护最多四条信号线免受ESD和其他突发电压的损坏。其特点包括:最低电容、最低泄漏电流、最低击穿电压等。

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