ST说明书大全

ST M48T35 M48T35Y 256 Kbit (32Kb x8) TIMEKEEPER ® SRAM 数据手册

M48T35, M48T35Y是美国微芯科技公司生产的256 Kbit (32Kb x8) TIMEKEEPER® SRAM,内置超低功耗SRAM、实时时钟、电源故障控制电路和电池,具备字节宽度RAM一样的时钟访问、BCD编码的年、月、日、日期、小时、分钟和秒、实时时钟的频率测试输出、自动电源故障芯片解除选择和写保护功能,写保护电压为4.5V ≤ VPFD ≤ 4.75V,4.2V ≤ VPFD ≤ 4.5V,内置电池和晶振的CAPHAT DIP封装,SOIC封装提供直接连接SNAPHAT外壳,包含电池和晶振的SNAPHAT®外壳是可替换的,与JEDEC标准的32Kb x8 SRAM兼容。

文件类型: PDF 大小:139 KB

ST M41T80 SERIAL ACCESS RTC WITH ALARMS 数据手册

M41T80是一款具有闹钟功能的串行访问RTC芯片,工作电压为2.0-5.5V,具有分/百分秒、秒、分、时、日、日期、月份、年份和世纪计数器,支持I2C总线(400KHz),具有可编程闹钟和中断功能,工作电流为200µA,工作温度为-40至85°C。

文件类型: PDF 大小:122 KB

ST M29W641DH, M29W641DL M29W641DU 64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory 数据手册

M29W641DH, M29W641DL, M29W641DU 64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory产品特点包括电源电压、访问时间、编程时间、存储块、编程/擦除控制器、擦除挂起和恢复模式、解锁旁路编程命令、写保护选项、临时块非保护模式、公共闪存接口、扩展存储块、低功耗消耗和电子签名

文件类型: PDF 大小:305 KB

ST M29F200T M29F200B 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory 数据手册

M29F200T and M29F200B are 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory. It features fast access time, fast programming time and low power consumption.

文件类型: PDF 大小:234 KB

ST M27V512 说明书

M27V512 512 Kbit (64Kb x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM 是东芝公司生产的低电压512Kbit EPROM,具有3V到3.6V的低电压读取操作、100ns的快速访问时间、10mA的活动电流和10µA的待机电流。该产品的工作电压为12.75V ± 0.25V,编程时间为100µs/byte (typical)。

文件类型: PDF 大小:111 KB

ST M27C512 512 Kbit (64K x8) UV EPROM and OTP EPROM 数据手册

M27C512 512 Kbit (64K x8) UV EPROM 和 OTP EPROM 的特点总结

文件类型: PDF 大小:140 KB

ST M27C4002 4 Mbit (256Kb x16) UV EPROM and OTP EPROM 数据手册

M27C4002是4Mbit的EPROM,提供UV和OTP两种擦除方式。它非常适合需要大程序的微处理器系统,并且组织为262,144个16位字。

文件类型: PDF 大小:115 KB

ST M27C4001 4 Mbit (512Kb x 8) UV EPROM and OTP EPROM 数据手册

M27C4001是4MbitEPROM,供电电压为5V±10%,读取时延为35ns,低功耗,活动电流30mA,待机电流100µA,编程电压为12.75V±0.25V,编程时间为100µs/word。

文件类型: PDF 大小:152 KB

ST M24C64 M24C32 数据手册

M24C64和M24C32是64Kbit和32Kbit的串行I²C总线EEPROM,具有两线I2C串行接口,支持400kHz协议,单电源电压为4.5至5.5V,具有写控制输入、字节和页写(最多32字节)、随机和顺序读模式、自定时编程周期、自动地址递增、增强的ESD/锁存保护、超过100万次擦除/写入周期、超过40年的存储数据保持期。

文件类型: PDF 大小:365 KB

ST M082/A-M083/A-M086/A DATA SHEET

1

文件类型: PDF 大小:192 KB

ST M29F040 说明书

该文件介绍了M29F040 4 Mbit (512Kb x8, Uniform Block) Single Supply Flash Memory的特点和特性,包括供电电压、访问时间、编程时间、擦除时间、擦除和编程控制器、低功耗、数据保留时间、电子签名等。

文件类型: PDF 大小:240 KB

ST L7800AB/AC SERIES PRECISION 1A REGULATORS 数据手册

L7800AB/AC系列1A精密稳压器具有5、6、8、9、12、15、18、20、24V的输出电压,输出电流大于1A,具有过热保护、输出过渡SOA保护、2%输出电压容差等特点,保证在扩展温度范围内正常工作。

文件类型: PDF 大小:111 KB

ST L6206DMOS DUAL FULL BRIDGE DRIVER 数据手册

L6206是一种DMOS双全桥,适用于电机控制应用。它采用多功率-BCD技术,将隔离的DMOS功率晶体管与CMOS和双极器件集成在同一芯片上。具有热关断和非耗散式高侧功率MOSFET的过流检测以及可用于实现过流保护的诊断输出。

文件类型: PDF 大小:403 KB

ST M29F002T, M29F002NT, M29F002B 说明书

M29F002T, M29F002B, M29F002NT 是2 Mbit (256Kb x8, Boot Block) 单电源闪存,电压为5V ± 10%,读写时间为70ns和10µs,支持擦除、保护、暂时解除保护、冻结和恢复等功能,支持100,000次擦写循环,数据可保存20年

文件类型: PDF 大小:204 KB

ST SMTHDTxx 数据手册

该文件介绍了用于ISDN保护的A.S.DTM SMTHDTxx TRISIL离散解决方案。产品具有双向保护、低电容、很好的电容平衡等特点。

文件类型: PDF 大小:49 KB

ST PSD813F2, PSD833F2 PSD834F2, PSD853F2, PSD854F2 数据手册

该文件介绍了一款正在开发或评估中的新产品的初步信息。该产品是一款Flash In-System Programmable (ISP)外围设备,适用于8位MCU,5V供电。主要特点包括双存储器闪存、可同时操作读写两个存储器、可扩展的I/O端口、增强型JTAG串行端口、可编程电源管理等。

文件类型: PDF 大小:641 KB

ST PSD813F1-A Flash In-System Programmable (ISP) Peripherals For 8-bit MCUs 数据手册

PSD813F1-A Flash In-System Programmable (ISP) Peripherals是PSD公司生产的一款8位MCU,具有单一供电电压、高耐磨性、大容量存储等特点。

文件类型: PDF 大小:608 KB

ST TS512,A 数据手册

TS512是一款高性能双运算放大器,内置频率和相位补偿。

文件类型: PDF 大小:50 KB

ST M28W160BT M28W160BB 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) Low Voltage Flash Memory 数据手册(1)

M28W160BT M28W160BB 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) Low Voltage Flash Memory,该产品具有以下特点:供电电压为2.7V至3.6V,数据存储时间长达20年,缺陷率低于1ppm/年。

文件类型: PDF 大小:277 KB

ST M28W160BT M28W160BB 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) Low Voltage Flash Memory 数据手册

M27C256B是一款256 Kbit的EPROM产品,适用于微处理器系统,具有低功耗、快速读取、可编程等特点。

文件类型: PDF 大小:277 KB

没找到合适的结果? 您可以留下电子邮箱,我们帮您找一找

品牌



产品