ST说明书大全

ST14C02C 是 ST 公司的一款 2Kbit 的 EEPROM，工作电压范围是 3V 到 5.5V，支持 I2C 接口，支持 BYTE 和 MULTBYTE WRITE，支持 PAGE WRITE，支持 BYTE、RANDOM 和 SEQUENTIAL READ，支持 Self-Timed Programming Cycle，支持 Automatic Address Incrementing，支持 Enhanced ESD/Latch-Up Behavior，支持 1 Million Erase/Write Cycles，支持 10 Year Data Retention。

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TLPxxM/G/G-1  PowerSO-10TM TLPxxM 是用于电信线路的三极过电压保护器。

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TLPxxM/G/G-1系列是用于敏感电信设备的三极过电压保护器。具有三极短路保护、适用于电信应用的电压范围、重复峰值脉冲电流、持续电流、低电容和低泄漏电流等特点。

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TLPxxM/G/G-1系列是用于敏感电信设备的三极瞬态浪涌保护器，用于主要和次要保护。具有三极短路保护、针对电信应用选择的电压范围、重复峰值脉冲电流、保持电流和低电容、低漏电流等特点。

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PSD913F2, PSD934F2, PSD954F2是三款可编程内存系统，工作电压为5V或者3.3V，具有2Mbit主存储器，256Kbit次要存储器，256Kbit SRAM，2000多个DPLD门，27个可重构I/O口，增强型JTAG串行端口，可编程电源管理单元，高耐久性

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NAND128-A, NAND256-A NAND512-A, NAND01G-A 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories 是高密度NAND闪存存储器，具有高达1 Gbit的存储阵列，高达32 Mbit的备用区域，以及成本效益高的大容量存储应用程序解决方案。

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TDA755X系列是一款高性能、全可编程的24位、50 MIPS数字信号处理器(DSP)，设计用于支持多种语音和音频应用，如自动语音识别、语音合成、说话人验证、回声和噪声抑制。该芯片集成了A/D和D/A转换器以及大量内存，为这类应用提供了有效的解决方案。

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74LX1G14是一种低压CMOS单稳态反相器，适用于1.65至5.5V的供电电压，并具有低功耗和低噪声的应用。该芯片具有3个电路阶段，包括缓冲输出，可提供高抗干扰性和稳定输出。此外，该芯片具有从0到7V的输入电压范围，可在混合3.3/5V系统中接口到5V信号环境。74LX1G14的引脚配置和功能与74LX1G04相同，但74LX1G14具有滞后，因此可以在具有慢速上升/下降输入信号的线路接收器上使用。该芯片的输入还具有防静电放电保护电路，可提供ESD免疫和瞬态过电压保护。

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74LVQ280是一款低压CMOS 9位奇偶校验发生器，采用亚微米硅栅极和双层金属布线C2MOS技术制造。它非常适合低功耗和低噪声3.3V应用。它由九个数据输入（A到I）和奇偶校验输出（ΣODD和ΣEVEN）组成。九个数据输入控制输出条件。当高电平输入的数量为奇数时，ΣODD输出保持高电平，ΣEVEN输出低电平。反之，当高电平数量为偶数时，ΣEVEN输出保持高电平，ΣODD输出低电平。IC可以生成奇数或偶数校验，使其具有灵活的应用。通过级联，可以轻松扩展字长能力。所有输入和输出都配备了防止静电放电的保护电路，使其具有2KV ESD免疫性和瞬态过电压。

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VND7N04/VND7N04-1 VNP7N04FI/K7N04FM是STMicroeletronics VIPower M0 Technology制造的一体式器件，用于替代标准功率MOSFET

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TSV991/2/4系列操作放大器具有低电压运作和轨到轨的输入和输出特性。该系列具有优异的速度/功耗比，提供20MHz的增益带宽，对增益大于3时（100pF电容负载）保持稳定，同时只消耗最大1.1mA的电流。它还具有超低的输入偏置电流。这些特性使TSV991/2/4系列非常适用于传感器接口、电池供电和便携应用，以及主动滤波。

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TSH6x系列是一款高性能视频运算放大器，可单独使用或串联使用。它们具有高增益带宽乘积、低失真度和高输出电流，可在标准150欧姆负载上提供卓越的视频质量。

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tl082是高速j–fet输入双运算放大器，具有高输入阻抗、高开环增益、低输入偏置电流、低输入失调电压和高短路电流保护等特点。

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BAR 42 BAR 43是Nexperia公司的肖特基二极管，额定反向峰值电压为30V，最大连续正向电流为100mA，最大浪涌非重复正向电流为750mA，最大工作温度为150℃。

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M93C86, M93C76, M93C66, M93C56, M93C46 16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit (8-bit or 16-bit wide) MICROWIRE® Serial Access EEPROM

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M87C257是一种高速的262,144位UV可擦除和电可编程EPROM。它具有用于最小化芯片计数、降低成本和简化多路复用总线系统设计的所有地址输入的锁存器。它提供了快速访问时间、低功耗、编程电压12.75V、自动编程电子签名和约3秒的编程时间。

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M74HC05是74HC系列的HEX INVERTER (OPEN DRAIN)，工作电压范围是2V到6V，静态电流为1µA，最大工作温度为85°C，最大工作功率为300mW。

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该文件介绍了一款名为M59DR032A和M59DR032B的32 Mbit闪存芯片，具有低电压供应、快速编程和抹除、双存储区、块保护/解锁等特点。

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M58BW016BT, M58BW016BB M58BW016DT, M58BW016DB 16 Mbit (512Kb x32, Boot Block, Burst) 3V Supply Flash Memories PE4 产品具有高性能、低功耗等特点，主要应用于便携式设备、网络、汽车、工业、消费电子等领域。

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M48T58 M48T58Y 5.0V, 64 Kbit (8 Kb x 8) TIMEKEEPER® SRAM是东芝公司的一款集成超低功耗SRAM,实时时钟，电源故障控制电路和电池的产品。该产品具有BCD编码的YEAR，MONTH，DAY，DATE，HOURS，MINUTES和SECONDS；频率测试输出用于实时时钟；自动电源故障芯片失选和写保护；写保护电压（VPFD=电源故障失选电压）：- M48T58：VCC=4.75至5.5V 4.5V≤VPFD≤4.75V - M48T58Y：VCC=4.5至5.5V 4.2V≤VPFD≤4.5V。产品采用自含电池和晶体SNAPHAT™DIP封装，包括28针SOIC和SNAPHAT®TOP（需单独订购）。SOIC封装提供直接连接到含有电池和晶体的SNAPHAT外壳的连接，并且兼容JEDEC标准8Kb x 8 SRAM的引脚和功能。

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