ST说明书大全

ST M27C256B 256 Kbit (32Kb x 8) UV EPROM and OTP EPROM 数据手册

M27C256B是256Kbit的EPROM,提供UV(紫外线擦除)和OTP(一次可编程)两种类型。它非常适合微处理器系统,并组织为32,768 x 8位。FDIP28W(窗口陶瓷熔封包装)有一个透明的盖子,允许用户将芯片暴露在紫外线下擦除位图案。然后可以通过遵循编程程序将新图案写入设备。对于内容仅编程一次且不需要擦除的应用,M27C256B提供PDIP28、PLCC32和TSOP28(8 x 13.4 mm)封装。

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ST M27C160 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16) UV EPROM and OTP EPROM 数据手册

M27C160是一种16 Mbit的EPROM,适用于需要大容量数据或程序存储的微处理器系统。它具有快速的访问时间,低功耗,可以通过紫外线擦除,可编程一次,具有电子签名等特点。

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ST M29W160ET M29W160EB 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory 数据手册

M29W160ET M29W160EB是16Mbit(2Mb x8或1Mb x16,引导块)3V供应闪存,具有电压范围为2.7V至3.6V的编程、擦除和读取功能。该产品具有70、90ns的访问时间,10μs的编程时间,35个存储块,1个引导块(顶部或底部位置)——2个参数和32个主块。其编程/擦除控制器具有嵌入的字节/字编程算法,擦除挂起和恢复模式允许读取和编程另一个块,并且擦除挂起期间还可以使用绕过编程命令进行更快的生产/批量编程。此外,该产品还支持临时块非保护模式、64位安全代码、低功耗(待机和自动待机)和100,000次编程/擦除循环/块。电子签名包括制造商代码(0020h)、顶部设备代码(M29W160ET:22C4h)和底部设备代码(M29W160EB:2249h)。该产品支持TSOP48(N)和TFBGA48(ZA)两种封装。

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ST M29W200BT M29W200BB 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory 数据手册

M29W200BT/M29W200BB是2Mbit低电压单供电闪存,单电源供电范围为2.7-3.6V,读取时序为55ns,编程时间为10µs/字节,支持7个内存块,包括1个启动块(顶部或底部位置)、2个参数块和4个主块,支持嵌入式字节/字编程算法、嵌入式多块/片擦除算法、状态寄存器轮询和切换位、就绪/忙输出引脚,支持擦除暂停和恢复模式、解锁绕过编程命令、临时块解锁模式、低功耗(待机和自动待机)、100,000次编程/擦除循环/块、20年数据保留(缺陷率低于1ppm/年)、电子签名(制造商代码:0020h,顶部设备代码M29W200BT:0051h,底部设备代码M29W200BB 0057h),支持TSOP48(N)和SO44(M)封装。

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ST µPSD3200 FAMILY 数据手册

µPSD3200系列是一种Flash PSD架构的产品,结合了8032微控制器核心。该系列具有双存储器、SRAM、通用I/O和可编程逻辑、监控功能以及通过USB、I2C、ADC、DDC和PWM通道进行访问的功能。此外,它还具有8032微控制器核心、两个UART、三个16位计时器/计数器和一个外部中断。该系列还支持通过JTAG ISP接口进行系统内编程(ISP)。产品还包括8KB SRAM、128KB或256KB主Flash存储器以及32KB辅助Flash存储器等特点。

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ST TS27M4C,I,M PRECISION LOW POWER CMOS QUAD OPERATIONAL AMPLIFIERS 数据手册

这些器件是低成本、低功耗的四运放,设计用于单电源或双电源操作。它们采用ST硅栅CMOS工艺,具有出色的功耗-速度比。这些系列非常适用于低功耗应用。有三种功耗可供选择,始终保持最佳的功耗-速度比:K ICC = 10µA/amp.:TS27L4(超低功耗) K ICC = 150µA/amp.:TS27M4(低功耗) K ICC = 1mA/amp.:TS274(标准)这些CMOS放大器具有非常高的输入阻抗和极低的输入电流。与JFET器件相比,它们的主要优势是输入电流随温度变化的漂移非常小。

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ST STW20NM50 数据手册

STW20NM50是一种N沟道功率MOSFET,具有低导通电阻、高dv/dt和优异的雪崩特性。它适用于提高高压转换器的功率密度,实现系统小型化和更高的效率。

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ST ST7263 数据手册

该文档介绍了ST7263低速USB 8位MCU系列产品的特点和特性,包括16K字节的程序存储器、512字节的数据RAM、8位ADC、WDG、TIMER、SCI和I2C等功能。

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ST ST20-JPI PC PARALLEL PORT TO JTAG INTERFACE 数据手册

The ST20-JPI parallel port to JTAG interface is a host interface to allow connection from a PC parallel port to any JTAG diagnostic controller based ST20 development board.

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ST ST19KF16 数据手册

STMicroelectronics ST19KF16 智能卡微控制器 (MCU) 具有 1088 位模块化算术处理器,支持 3V ± 10% 或 5V ± 10% 电源电压、32K 字节用户 ROM、1984 字节 RAM、16K 字节 EEPROM,以及快速的加密功能处理。

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ST PSD835G2 Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers 数据手册

PSD835G2 是一款可配置的存储系统芯片,用于 8 位微控制器。

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ST ST92185B 16K/24K/32K ROM HCMOS MCU WITH ON-SCREEN-DISPLAY 数据手册

ST92185B 16K/24K/32K ROM HCMOS MCU WITH ON-SCREEN-DISPLAY 是ST公司生产的一款集成度很高的8/16位单片机,具有8/16位寄存器文件、运行、待机、减速和停止模式、0°C至+70°C的操作温度范围、高达24MHz的操作频率(在5V±10%的电压下)、16、24或32K字节的ROM、256字节的寄存器文件(累加器或索引寄存器)RAM、256字节的片上静态RAM、2K字节的TDSRAM(显示存储RAM)和28个完全可编程I/O引脚。

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ST ST7MC1/ST7MC2 8-BIT MCU WITH NESTED INTERRUPTS, FLASH, 10-BIT ADC, BRUSHLESS MOTOR CONTROL, FIVE TIMERS, SPI, LINSCI 数据手册

ST7MC1/ST7MC2是ST公司推出的一款8位MCU,具有嵌套中断、闪存、10位ADC、无刷电机控制、五个定时器、SPI、LINSCI®等功能。

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ST LK112S SERIES LOW NOISE LOW DROP VOLTAGE REGULATOR WITH SHUTDOWN FUNCTION 数据手册

LK112S是一种低压差线性稳压器,具有内置的电子开关。内部开关可以由TTL或CMOS逻辑电平控制。当控制引脚被拉到逻辑高电平时,设备处于ON状态。可以使用外部电容器连接到噪声旁路引脚,将输出噪声水平降低到30µVrms。使用内部PNP通道晶体管实现低压降。LK112S在ON模式下具有非常低的静态电流,而在OFF模式下,Iq降低到最大100nA。内部热关断电路将结温限制在150°C以下。负载电流在内部进行监控,当输出出现短路或过电流时,设备将关闭。

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ST L7800 SERIES 说明书

L7800系列是一种三端正向稳压器,具有多种固定输出电压,适用于广泛的应用。它们能够提供本地板上调节,消除了单点调节带来的分布问题。每种型号都采用内部电流限制、热关断和安全区域保护,使其基本上不可破坏。如果提供足够的散热,它们可以输出超过1A的电流。虽然主要设计为固定电压稳压器,但这些器件可以与外部元件配合使用以获得可调电压和电流。

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ST BZV47C5V1 / 200 说明书

该文档介绍了BZV47C系列2W硅齐纳二极管的特点和特性,包括电压范围、封装类型、高浪涌能力等。

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ST SMAJ5.0A-TR,CA-TR SMAJ188A-TR,CA-TR 数据手册

SMAJ5.0A-TR,CA-TR SMAJ188A-TR,CA-TR 系列 TRANSILTM® 高端保护二极管,具有最大 400W 的峰值脉冲功率 (10/1000µs) 和从 5V 到 188V 的阻断电压范围。该系列具有低钳位因子和快速响应时间,适用于各种应用场合,如敏感设备的过电压保护。

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ST uPSD33xx 数据手册

uPSD33xx Turbo Series 快速 8032 MCU 具有可编程逻辑

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