INFINEON说明书大全
INFINEON IPI90R800C3 说明书
IPI90R800C3 CoolMOS™ Power Transistor是用于Quasi Resonant Flyback / Forward topologies,PC Silverbox和 consumer applications 以及 Industrial SMPS应用的低RONxQg,极端dv/dt额定,高峰电流能力,符合JEDEC1)的目标应用,铅免铅镀层;RoHS兼容,超低门控电荷产品。
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INFINEON IPB60R165CP 说明书
IPB60R165CP CoolMOS® Power Transistor 是一款低RONxQg、低门极电荷、高dv/dt额定值、高峰值电流能力、符合JEDEC1)目标应用的铅免铅镀层、RoHS兼容的产品。
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INFINEON BSM 10 GD 120 DN2 说明书
BSM 10 GD 120 DN2是英飞凌的一款功率模块,包括快恢复二极管,封装方式为ECONOPACK 2K,最大电压为1200V,最大电流为15A。
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INFINEON Wireless Components ASK/FSK Single Conversion Receiver TDA 5211 Version 2.0 说明书
该文件是关于TDA 5211的规格说明
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INFINEON IPB50R140CP CoolMOS Power Transistor 说明书
IPB50R140CP CoolMOSTM Power Transistor 是一种高性能功率晶体管,具有最低的 RON x Qg、超低栅极电荷、极限 dv/dt 额定值、高峰值电流能力、无铅焊锡和 RoHS 兼容性。它设计用于以下应用:硬开关和软开关 SMPS 拓扑、CCM PFC 用于 ATX 笔记本电脑适配器、PDP 和 LCD TV、PWM 用于 ATX、笔记本电脑适配器、PDP 和 LCD TV。
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INFINEON IDT06S60C 2 nd generation thinQ! SiC Schottky Diode 说明书
IDT06S60C 是IDT 的一种2A 600V 的肖特基二极管,其特点是开关行为卓越,无反向恢复/无正向恢复,无温度影响开关行为,高浪涌电流能力,无铅铅镀层,RoHS 兼容,符合 JEDEC 1) 的目标应用,击穿电压在 5mA2) 下测试。该二极管专门设计用于快速开关应用,如 CCM PFC 和电机驱动。
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INFINEON SPW17N80C3 Cool MOS Power Transistor 说明书
该文件介绍了SPW17N80C3 Cool MOS™功率晶体管的特点,包括新的高压技术、TO 247封装中全球最佳RDS(on)、超低栅极电荷、周期性雪崩额定和极高的dv/dt额定。
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INFINEON IPI60R299CP CoolMOS Power Transistor 说明书
IPI60R299CP CoolMOSTM 功率晶体管具有最低的 RONxQg、超低栅极电荷、极端的 dv/dt 额定值和高峰值电流能力。
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INFINEON BC846...BC850 NPN Silicon AF Transistors 说明书
BC846, BC850是NPN型硅AF晶体管,主要应用于AF输入级和驱动器应用,具有高电流增益、低集电极-发射极饱和电压、30Hz至15kHz之间的低噪声等特点
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INFINEON SPP12N50C3/SPI12N50C3/SPA12N50C3 Cool MOS Power Transistor 说明书
该数据表提供了SPP12N50C3, SPI12N50C3, SPA12N50C3的参数信息,包括最大电压、电流、功耗、温度等。
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INFINEON SPW16N50C3 Cool MOS Power Transisitor 说明书 PDJH�� 63:��
该文件介绍了一款产品的特点特性,包括温度控制、电压要求、波峰焊等信息。
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INFINEON PROFET ITS 716G 说明书
PROFET® ITS 716G是英飞凌的Smart High-Side Power Switch For Industrial Applications产品,特点是具有4个40V/140mΩ的状态反馈通道,应用于负载电压为12V/24V的工业应用中。
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INFINEON BAS40.../BAS140W Silicon Schottky Diode 说明书
BAS40./BAS140W是安森美半导体生产的一款硅肖特基二极管,主要应用于高压快速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测和混频等场景。
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INFINEON BUZ 73AL SIPMOS Power Transistor 说明书
该数据表详细介绍了BUZ 73 AL SIPMOS ®功率晶体管的特性。该晶体管具有N沟道、增强型、雪崩额定和逻辑电平功能。它具有200V的最大沟道-源击穿电压、5.5A的连续漏极电流和0.6Ω的漏极-源导通电阻。
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INFINEON SPP24N60CFD CoolMOS Power Transistor 说明书
本文件是SPP24N60CFD CoolMOSTM电源晶体管的产品手册,详细介绍了该产品的特性及参数,包括最大电流、最大电压、最大功耗、最大温度等。
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INFINEON BSP 373 SIPMOS Small-Signal Transistor 说明书
BSP 373 is a high voltage, high speed, low on-resistance, N-channel power MOSFET. It has a very low gate threshold voltage (VGS(th) = 2.1V to 4.0V) and a high breakdown voltage (V(BR)DSS = 100V). The BSP 373 is suitable for a wide range of applications, including automotive, industrial, and consumer electronics.
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INFINEON BAV199... Silicon Low Leakage Diode 说明书
BAV199是一个低漏电二极管,最大反向电压为85V,具有中等速度的开关时间。它可以用于低漏电应用。
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INFINEON SPU03N60S5 SPD03N60S5 说明书
该文件介绍了2005年10月5日发布的Rev. 2.4版本的SPU03N60S5和SPD03N60S5 Cool MOS™功率晶体管。这些晶体管具有新的高压技术、超低门电荷、周期性雪崩额定、极高的dv/dt额定、超低有效电容和改进的跨导等特点。
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INFINEON F3 ICE3AS02 / ICE3BS02 ICE3AS02G / ICE3BS02G 说明书
ICE3AS02 / ICE3BS02 ICE3AS02G / ICE3BS02G Off-Line SMPS Current Mode Controller with integrated 500V Startup Cell
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