INFINEON说明书大全
INFINEON IKP06N60T 说明书
IKP06N60T是Infineon推出的一款IGBT产品，其特点是采用TrenchStop®和Fieldstop技术，具有很低的VCE(sat)、最大结温175 °C、短路承受时间-5µs。该产品适用于变速驱动、空调、感应烹饪等应用场景。
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INFINEON SPD06N80C3 Cool MOS Power Transistor 说明书
该文档介绍了SPD06N80C3 Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括高压技术、低RDS(on)、超低门电荷、周期性雪崩和极端dv/dt耐受能力等。
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INFINEON SPI80N06S2L-05 SPP80N06S2L-05,SPB80N06S2L-05 说明书
本文件介绍了SPI80N06S2L-05 SPP80N06S2L-05,SPB80N06S2L-05 OptiMOS Power-Transistor 产品的特点特性，包括最大电流、漏极电阻、引脚封装、型号、最大工作温度、功耗、电压、环境温度等。
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INFINEON TDA5255 E1 ASK/FSK 434MHz Wireless Transceiver 说明书
本文件介绍了TDA5255 E1 ASK/FSK 434MHz无线收发器的预备规格
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INFINEON IPA50R399CP 说明书
IPA50R399CP CoolMOS是一种功率晶体管，具有最低的RON x Qg、超低栅极电荷、极端dv/dt额定值、高峰值电流能力、无铅铅镀层，符合RoHS要求，符合JEDEC0)的目标应用。CoolMOS CP专为以下应用而设计：•硬切换和软切换SMPS拓扑结构•DCM PFC用于灯具镇流器•PWM-Stages灯具镇流器、LCD和PDP电视
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INFINEON SPD04N8C3 说明书
该文档介绍了SPD04N80C3 Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括新革命性的高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩耐压、极高dv/dt耐压、超低有效电容、改进的跨导等。
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INFINEON BSO104N03S 说明书
BSO104N03S是英飞凌推出的一款N通道MOSFET，具有优异的开关速度和低导通电阻，适用于笔记本电脑DC/DC转换器等应用场合。
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INFINEON XC164GM 说明书
这份文件是关于Infineon Technologies AG的XC164GM 16位单片微控制器的数据表。该微控制器具有C166SV2核心，提供了一些特点和特性。
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INFINEON IPW50R399CP 说明书
IPW50R399CP CoolMOSTM 功率晶体管的特点包括最低的 RON x Qg、超低栅极电荷、极端 dv/dt 额定值、高峰值电流能力、铅无铅引线镀层，符合 RoHS 标准，并且经过 JEDEC1) 针对目标应用的认证。CoolMOS CP 是为以下应用而设计的: 硬开关和软开关 SMPS 拓扑、DCM PFC 用于灯具镇流器、PWM 用于灯具镇流器、LCD 和 PDP TV。
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INFINEON PROFET BTS 410 E2 说明书
PROFET® BTS 410 E2是一款高侧功率开关，具有过载保护、电流限制、短路保护、热关断、过压保护(包括负载浪涌)、快速解磁等功能。
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INFINEON IPS50R520CP 说明书
IPS50R520CP是CoolMOSTM功率晶体管的一种，具有最低的RONxQg、超低栅极电荷、极限dv/dt额定值、高峰值电流能力、无铅铅镀层、RoHS兼容等特点。
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INFINEON IPP60R165CP 说明书
IPP60R165CP CoolMOSTM 功率晶体管具有最低的RONxQg、超低栅极电荷、极端的dv/dt额定值、高峰值电流能力、根据JEDEC1)目标应用的合格认证、无铅钎料，符合RoHS标准。CoolMOS CP专为服务器和电信的硬开关拓扑而设计。
文件类型: PDF 大小:322 KB
INFINEON SPW35N60CFD 说明书
该文件介绍了SPW35N60CFD CoolMOSTM功率晶体管的特点，包括高压技术、快速恢复体二极管、极低的反向恢复电荷、超低的栅极电荷等。
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INFINEON SPD02N60C3/SPU02N60C3 说明书
本文件为NXP 10-05 Rev. 2.4 P-Channel MOSFETs产品的规格书
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INFINEON BAR64... 说明书
BAR64系列是高压电流控制RF电阻器，适用于RF衰减器和开关。它具有频率范围超过1MHz到6GHz、零伏反向偏置下极低的电容（典型值为0.17pF）、低正向电阻（典型值为2.1欧姆@10毫安）和非常低的信号失真等特性
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INFINEON SPP80N08S2L-07 SPB80N08S2L-07 说明书
SPP80N08S2L-07和SPB80N08S2L-07是N沟道增强型逻辑级MOSFET，额定电压为75V，最大RDS(on)为6.8mΩ，额定电流为80A。
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INFINEON SPB03N60C3 说明书
本文件为75452-14 Rev. 2.5 P开关型电源模块数据表，主要介绍了该模块的封装、引脚定义、电气特性、电源特性、封装尺寸等信息。
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