INFINEON说明书大全

本文件详细介绍了804-10 Rev. 2.5 P-channel功率MOSFET的产品特性,包括最大电压、电流、功率和热阻等

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BAR65是一种硅PIN二极管，主要用于移动通信中的低损耗收发开关和电视调谐器的频段切换。它具有非常低的正向电阻和低电容，适用于快速切换应用。

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IKW08T120 是 Infineon 公司生产的一种 IGBT 器件，该器件采用了 TrenchStop® 和 Fieldstop 技术，具有软恢复和快速恢复的特性，适用于频率转换器和不间断电源等应用场合。

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IPA50R199CP是CoolMOSTM功率晶体管，特点是RON x Qg最小，栅极电荷极低，dv/dt额定值极高，峰值电流能力高，符合RoHS标准。应用领域包括硬开关和软开关SMPS拓扑、CCM PFC、ATX、笔记本适配器、PDP和LCD电视。

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BA592/BA892是富士通推出的一款硅射频开关二极管，用于电视/VTR调谐器和移动应用程序中的频段切换。它具有非常低的前向电阻（典型值为0.45欧姆@3mA）和小的寄生电容。

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该数据表格是关于SPP06N80C3和SPA06N80C3这两款高压MOS管的产品信息，包括型号、封装形式、最大电流、门极电压、功耗等信息

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该数据表详细介绍了8位XC886/888CLM单片微控制器的特性、功能和规格。

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该文件介绍了2005年11月17日发布的一款NPN硅射频晶体管BFS17P，可用于1 GHz以下的宽带放大器，集电流范围为1 mA至20 mA，静电敏感设备，需要注意操作预防。

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该数据表格主要介绍了SPB07N60C3 功率晶体管的最大额定值、特性、封装等信息。

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SPW24N60C3 是一款新型高压功率晶体管，具有极低的门极电荷、周期性雪崩等特性，最大电压为 650 伏，最大电流为 24.3 A。

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BAV70是ON Semiconductor公司生产的一款硅开关二极管，其最大反向电压为80V，最大反向电流为85V，最大正向电流为200mA，最大非重复峰值冲击正向电流为4.5A，总功耗为250mW，结温为150°C，存储温度为-65~150°C。

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SPW11N60S5是Cool MOS™大功率三极管，其特点是新型革命性高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、超低有效电容和改进的传导率。

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BFR183W是NPN硅射频晶体管，适用于2mA至30mA的低噪声、高增益宽带放大器。

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SPP15N65C3 CoolMOS功率晶体管的特征包括低栅极电荷、极端dv/dt额定值和高峰值电流能力。该产品通过JEDEC1)认证，适用于目标应用，并符合铅无铅铅镀层和RoHS要求。CoolMOS C3设计用于笔记本电源适配器。

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IPA50R520CP 是 CoolMOSTM 功率晶体管，具有最低的 RON x Qg 比值、超低栅极电荷、极端的 dv/dt 额定值、高峰值电流能力、无铅铅镀层和 RoHS 合规性。

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SPP11N60CFD 是一款高压功率晶体管,具有新颖的革命性高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、高峰电流能力、固有快速恢复体二极管和极低的反向恢复电荷

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该文件介绍了CoolSET™-F3系列的电源管理和供应产品，包括多个型号的ICE3A(B)0365/0565/1065/1565、ICE3A(B)2065/2565、ICE3A0565Z/2065Z、ICE3A(B)2065I/3065I/3565I、ICE3A(B)5065I/5565I、ICE3A(B)2065P/3065P/3565P和ICE3A(B)5065P/5565P。这些产品是离线开关电源电流模式控制器，集成了650V启动电池/消耗型CoolMOS™。

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该文档是关于Infineon Technologies AG的8位XC878CLM单片式微控制器的数据手册。文档介绍了该微控制器的特点和特性。

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