INFINEON说明书大全
INFINEON IKP01N120H2 说明书
IKP01N120H2是一款高速功率半导体产品，采用软、快速恢复反并联EmCon HE二极管。适用于开关电源、灯泡镇流器、零电压开关转换器等软开关/谐振拓扑应用。该产品在1200V应用中采用第二代高速技术，具有降低谐振电路损耗、温度稳定行为、并联开关能力、参数分布紧密、适用于IC=1A的Eoff优化等特点。
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INFINEON IDT12S60C 说明书
IDT12S60C 2nd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode是IDT公司生产的一种新型肖特基二极管，它具有无反向恢复/无正向恢复、高浪涌电流能力、铅免焊等特点，适用于CCM PFC、电机驱动等快速开关应用场合。
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INFINEON SPN02N60C3 说明书
SPN02N60C3 CoolMOSTM 功率晶体管具有新颖的革命性高压技术、超低栅极电荷、超低有效电容和极端dv/dt额定值。
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INFINEON XC886/888CLM 说明书
这是一款由Infineon Technologies AG发布的8位单片微控制器，型号为XC886/888CLM。
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INFINEON IPP90R1K0C3 说明书
IPP90R1K0C3 CoolMOS™ 功率晶体管具有最低的功率损耗 RON x Qg，极端的 dv/dt 额定值，高峰电流能力，符合 JEDEC1) 目标应用的合格认证，无铅焊料，符合 RoHS 标准，极低的栅极电荷。CoolMOS™ 900V 适用于以下应用：准谐振反激/正向拓扑、PC 银盒和消费类应用、工业 SMPS。
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INFINEON SPA15N60CFD 说明书
SPA15N60CFD 是意法半导体生产的一种功率晶体管，该产品具有内置的快速恢复体二极管、极低的反向恢复电荷、超低的栅极电荷、极端的dv/dt额定值、高峰值电流能力，并且根据JEDEC1)针对目标应用进行了认证。该产品适用于软开关PWM阶段和LCD和CRT电视。
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INFINEON IPP60R199CP 说明书
IPP60R199CP CoolMOSTM功率晶体管具有最低的R ONxQg值、超低的栅极电荷、极高的dv/dt额定值、高峰值电流能力，符合JEDEC1)的目标应用要求，采用无铅镀层，符合RoHS标准。CoolMOS CP专为服务器和电信的硬开关拓扑设计。
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INFINEON SPW47N60CFD 说明书
SPW47N60CFD是CoolMOSTM功率晶体管，具有新的革命性高压技术，内置快速恢复体二极管，极低的反向恢复电荷，超低门极电荷，极端的dv/dt额定值，高峰电流能力，周期性雪崩额定值，符合JEDEC1) 的目标应用要求，无铅铅镀层；RoHS 兼容。
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INFINEON IKW15T120 说明书
IKW15T120是英飞凌推出的一款大功率IGBT模块，采用NPT技术，具有低EMI、低门极电荷、低损耗、短路承受时间为10微秒、非常柔软的快速恢复反并联EmCon HE二极管等特点，适用于频率转换器和不间断电源等应用。
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INFINEON BSP135 说明书
BSP135 SIPMOS®是N通道、耗尽型、dv/dt额定的小信号晶体管，其最大额定值为T j=25°C，除非另有说明。
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INFINEON PROFET ITS 640S2 说明书
该文档介绍了PROFET® ITS 640S2 Infineon Technologies AG的特点和应用，包括短路保护、电流限制、负载电流感应、CMOS兼容输入等。
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INFINEON BSS138W G 说明书
BSS138W G SIPMOS® 小信号晶体管具有以下特点：N 型通道、增强型、逻辑电平、dv/dt 额定、无铅镀锡；符合 RoHS 标准
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INFINEON IPD60R520CP 说明书
该文件介绍了IPD60R520CP CoolMOSTM功率晶体管的特点和特性，包括最低的R ON x Qg值、超低的栅极电荷、极高的dv/dt耐压能力、高峰值电流能力等。
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INFINEON IPA60R520CP 说明书
IPA60R520CP CoolMOSTM 功率晶体管具有最低的 RON x Qg 比率、超低的栅极电荷、极端的 dv/dt 额定值以及高峰值电流能力。它根据 JEDEC1) 的目标应用进行合格评定，并且符合 RoHS 标准。
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INFINEON TDA5251 F1 ASK/FSK 315MHz Wireless Transceiver 说明书
TDA5251 F1 ASK/FSK 315MHz 无线收发机初步规范
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