工业器械说明书大全
NEC NE66719 数据手册
NE66719是NEC的NPN硅高频晶体管，适用于2 GHz及以上的振荡器或低噪声放大器应用。该器件采用NEC的UHS0 25 GHz fT晶片工艺制造。
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NEC NE664M04 数据手册
NE664M04是NEC公司生产的一款NPN型硅高频功率晶体管。该晶体管具有高增益带宽、高输出功率和高线性增益等特点，适用于移动或固定无线应用的输出或驱动级。
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NEC NE662M16 数据手册
NE662M16是NEC公司的一款NPN硅高频晶体管，具有高增益带宽（fT=25GHz），低噪声系数（NF=1.1dB@2GHz），高最大稳定增益（20dB@f=2GHz），采用低封装（M16），高度仅为0.50mm。
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NEC NE651R479A 数据手册
NE651R479A是一款0.4W GaAs HJ-FET，适用于移动通信和无线PC LAN系统的中功率发射机应用。它具有高线性增益、高效率和优秀的失真性能，并可作为NE6510179A和NE6510379A的驱动放大器。
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NEC NE6510379A 数据手册
NE6510379A是一款3W GaAs HJ-FET，设计用于移动通信系统的中功率发射机应用。它具有高线性增益、高效率和优异的失真特性。
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CEL NE6510179A NEC's 3W, L&S-BAND MEDIUM POWER GaAs HJ-FET 数据手册
NEC的NE6510179A是一款GaAs HJ-FET，专为中功率移动通信、固定无线接入、ISM、WLL、PCS、IMT-2000和MMDS发射机和用户应用而设计。它能够在高线性增益、高效率和优异线性度的条件下，在3.5V时提供1.8瓦的输出功率，5V时提供3瓦的输出功率。NEC通过严格的质量控制程序确保可靠性和性能一致性。
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NEC N-CHANNEL GaAs MES FET NE650R279A 0.2 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET 数据手册
NE650R279A是NEC公司推出的一款0.2W GaAs MES FET，用于中功率发射器应用，适用于移动通信手柄和基站系统。该产品具有高线性增益、高效率、优异失真，可作为NE6500379A等产品的驱动放大器。
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CEL NE650103M NEC'S 10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET 数据手册(1)
NE650103M是NEC公司设计的一款10W GaAs MESFET，适用于PCS、W-CDMA、WLL等应用，能够以高线性增益、高效率和卓越的线性度提供10瓦的输出功率
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NEC N-CHANNEL GaAs MES FET NE6500379A 3W L, S-BAND POWER GaAs MESFET 数据手册
NE6500379A是一款3W GaAs MESFET，用于中功率发射机应用，如移动通信手机和基站系统。它能够以高线性增益、高效率和卓越的失真提供3瓦的输出功率（CW）。NEC严格的质量和控制程序确保了可靠性和性能均一性。
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