Microsemi说明书大全

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这份PDF文件介绍了一种名为TVSarray™ Series的产品，是一种用于电路板级别保护的4引脚1线双向超低电容数组。该产品能够保护3.3V至24V的电子元器件，适用于静电放电、快速电磁干扰和次级闪电引起的电压暂变。它采用SOT-143封装形式，重量约为0.035克。具有电气隔离保护和超低电容5 pF等特点。

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USB0403 至 USB0424 TVSarray ™ 系列是一款设计用于在需要在电路板级保护电压瞬变，电涌和静电放电(ESD)情况下应用的产品的4 引脚1 线单向超低电容阵列。

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该文件介绍了一种16引脚2线双向低电容阵列，用于保护电路板级别的应用。该产品具有防静电放电、电快速瞬变和次级闪电效应等电压突变的保护功能。其特点包括600瓦的峰值脉冲功率，可用于电话线的次级浪涌保护，可在共模或差模应用中使用。

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1N2970-1N3015B 1N3993-1N4000A 10瓦齐纳二极管由Microsemi公司提供，可在3.9V至200V的广泛电压范围内提供电压调节，可在适当的支架和散热片上工作至10W。

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2N7372是PNP型号，2N7373是NPN型号，2N7372和2N7373是互补型功率晶体管，采用绝缘的TO-254AA封装，具有高可靠性、高频率、快速开关等特点

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2N7371是PNP达林顿功率硅晶体管，最高额定电压100V，最大集电极电流12A，工作温度范围-65到+175度。

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2N7370 JAN系列是高功率硅晶体管，具有最大集电极-发射极电压100Vdc、最大集电极-发射极击穿电压100Vdc、最大发射极-基极电压5.0Vdc、最大基极电流0.2Adc、最大集电极电流12Adc、最大总功耗100W，工作温度范围-65至+175℃。

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该文件介绍了一种PNP高功率硅晶体管，符合MIL-PRF-19500/621标准，具有80V的集电极-发射极电压，80V的集电极-基极电压，7.0V的发射极-基极电压，4.0A的基极电流，10A的集电极电流，115W的最大功率耗散等特性。

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这份文件介绍了一个NPN高功率硅晶体管的技术数据，包括最大额定值、热特性和电性能参数。

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LX8221是Microsemi推出的一款双路150mA CMOS低压差稳压器，具有低压差、快响应、高精度、超低静态电流等特点。

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1N3016B-1N3051B 1瓦金属外壳齐纳二极管是1N3016到1N3051 JEDEC注册的金属外壳DO-13封装中经过良好验证的齐纳二极管系列，提供6.8至200伏的玻璃密封

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SMCGLCE6.5, SMCGLCE170A, SMCJLCE6.5, SMCJLCE170A 是 Microsemi 的 1500 瓦低电容表面贴装瞬态电压抑制器，具有低电容、低阻抗、高峰值电流和快速响应时间等特点，适用于保护高频应用、电磁开关环境或涉及 IEC61000-4-5 二次雷电效应的电气系统，以及 RTCA/DO-160D 或 ARINC 429 中使用的航空电子设备

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这是一份关于NPN硅晶体管的PDF文件，该文件中包含了该产品的各项性能指标，包括最大额定值、工作温度范围、封装类型等

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