SGS-THOMSON说明书大全

SGS-THOMSON STP6N60FI 说明书(1)

STP6N60FI是一种功率MOS晶体管,具有N沟道增强模式,典型RDS(on) = 1Ω,具备100%的雪崩测试,适用于高电流、高速开关等应用场景。

文件类型: PDF 大小:178 KB

SGS-THOMSON STP6N60FI 说明书(1)(1)

该文件介绍了STP6N60FI型号的N沟道增强型功率MOS晶体管的特点和特性,包括低电阻、耐压高、高速开关、可靠性测试等。适用于高电流、高速开关的应用领域,如开关模式电源、斩波调节器、转换器、电机控制和工业消费者环境的照明。

文件类型: PDF 大小:178 KB

SGS-THOMSON STP6N50 STP6N50F1 说明书

该文件提供了关于现货库存、技术资料、百科信息和热点资讯的内容,以及鼎好公司的精彩产品特点和特性。

文件类型: PDF 大小:221 KB

SGS-THOMSON STP6N50 STP6N50F1 说明书

本页面展示了所有型号的现货库存信息,技术资料,百科信息,热点资讯,欢迎大家来鼎好选购!

文件类型: PDF 大小:221 KB

SGS-THOMSON STP6N25 STP6N25FI 说明书(1)

STP6N25 STP6N25FI是鼎好的产品,是一款N沟道增强型功率MOS晶体管。该产品具有典型RDS(on)=0.7Ω,应用于高快速开关、不间断电源供应(UPS)、电机控制、音频放大器、工业执行器、电信、工业和消费环境的DC-DC和DC-AC转换器,特别适用于电子荧光灯镇流器。

文件类型: PDF 大小:201 KB

SGS-THOMSON STP6N25 STP6N25FI 说明书(1)(1)

该文件介绍了STP6N25和STP6N25FI型号的N沟道增强型功率MOS晶体管的特点和特性,包括典型的导通电阻、耐压能力、应用领域等。

文件类型: PDF 大小:201 KB

SGS-THOMSON STP6LNC60 STP6LNC60FP 说明书

STP6LNC60 是 600V 耐压,1 欧姆导通电阻,5.8A 最大电流的 N 沟道 PowerMesh™II MOSFET,特点是极高 dv/dt 能力,100% 雪崩测试,新一代高压基准,最小化栅极电荷。

文件类型: PDF 大小:759 KB

SGS-THOMSON STP80N05-09 说明书

STP80N05-09是鼎好旗下的N沟道增强型超高密度功率MOS晶体管,其典型RDS(on)为7m欧,拥有超高密度技术、低门极电荷、高电流能力和175℃工作温度。应用范围包括同步整流器、高电流、高速度开关和DC-DC&DC-AC转换器。

文件类型: PDF 大小:123 KB

SGS-THOMSON STP80N03L-06 说明书(1)

STP80N03L-06是STMicroelectronics生产的一款高性能N沟道增强型超高密度功率MOSFET。该器件具有优异的导通电阻(RDS(on))和高耐压特性,可在高温、高电压下稳定工作。STP80N03L-06适用于各种高频、大功率应用,如电机控制、DC-DC转换器和逆变器等。

文件类型: PDF 大小:141 KB

SGS-THOMSON STP80N03L-06 说明书

STP80N03L-06是德州仪器推出的一款N沟道增强型高密度功率MOS晶体管,其特点是典型RDS(on)为0.005欧姆,具有电压应力高、电流容量大、工作温度范围广等优点,可应用于高频、高功率开关电路、电机驱动、DC-DC/DC-AC转换器等场合。

文件类型: PDF 大小:141 KB

SGS-THOMSON STP7NB60 STP7NB60FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET 数据手册

该文档介绍了STP7NB60和STP7NB60FP型号的N沟道增强模式PowerMESH MOSFET的特点和性能。该MOSFET采用最新的高压MESH OVERLAY工艺,具有极高的dv/dt能力,低内在电容和最小化的门电荷。适用于高电流、高速开关、开关电源、直流-交流变换器以及电焊设备和不间断电源和电机驱动等应用。

文件类型: PDF 大小:123 KB

SGS-THOMSON STP7NB40 STP7NB40FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET数据手册

该文档介绍了STP7NB40和STP7NB40FP两款N沟道增强模式功率MOSFET的特点。这些器件采用最新的高压MESH OVERLAY工艺,具有出色的性能。它们具有极高的dV/dt能力,100%的雪崩测试,非常低的内在电容,最小化的门电荷和切换特性。

文件类型: PDF 大小:113 KB

SGS-THOMSON STP7NB40 STP7NB40FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET 数据手册

STP7NB40是飞利浦公司生产的一款N沟道增强型场效应晶体管,具有极低的RDS(on)为0.75欧姆,极高的dv/dt能力,100%雪崩测试,非常低的内在电容,最小化的栅极电荷。该产品主要应用于高电流、高速度开关、开关电源(SMPS)、逆变器等领域

文件类型: PDF 大小:75 KB

SGS-THOMSON STP7NA60 STP7NA60FI 说明书(1)

STP7NA60是一款N沟道增强型快速功率MOS晶体管,具有低导通电阻和门电荷、卓越的可靠性和开关性能。

文件类型: PDF 大小:210 KB

SGS-THOMSON STP7NA60 STP7NA60FI 说明书(1)(1)

STP7NA60是鼎好科技生产的一款高压场效应晶体管,其特点是导通电阻低、开关速度快、适用于高电流高频率开关应用。

文件类型: PDF 大小:210 KB

SGS-THOMSON STP7NA40 STP7NA40FI 说明书(1)

STP7NA40STP7NA40FI是鼎好半导体生产的一款N沟道增强型快速功率MOS管,典型RDS(on)为0.82欧姆,±30V栅源电压额定值,100%雪崩测试,重复雪崩数据100oC,低本征电容,门极电荷最小化,降低阈值电压分布。应用于高电流、高速度开关、开关模式电源供应器(SMPS)、焊接设备和不间断电源供应器和电机驱动。

文件类型: PDF 大小:205 KB

SGS-THOMSON STP7NA40 STP7NA40FI 说明书(1)(1)

STP7NA40 / STP7NA40FI N 通道增强型快速功率 MOS 晶体管具有典型的 RDS(on) = 0.82 欧姆、±30V 栅极至源极电压额定值、100% 雪崩测试、100oC 的反复雪崩数据、低固有电容、最小化的栅极充电和减少的阈值电压分散。

文件类型: PDF 大小:205 KB

SGS-THOMSON L7800 SERIES POSITIVE VOLTAGE REGULATORS数据手册

L7800系列正向电压稳压器具有输出电流高达1.5A,输出电压为5V、5.2V、6V、8V、8.5V、9V、12V、15V、18V和24V,具有过热保护、短路保护和输出过渡安全区保护的特点。

文件类型: PDF 大小:361 KB

SGS-THOMSON L7800 SERIES 说明书

L7800系列正电压稳压器具有高输出电流和多种输出电压选择,适用于广泛的应用。它们具有内部电流限制、热关断和安全区域保护等特点,可以提供本地板上调节,消除了单点调节的分布问题。同时,它们还可以与外部元件结合使用,实现可调电压和电流。

文件类型: PDF 大小:361 KB

SGS-THOMSON VIPer31SP 数据手册

VIPer31SP是一款综合了PWM控制和高压电源MOSFET的IC芯片。其特点包括输出电流调节、固定开关频率、辅助电压调节、软启动和关断控制、自动爆发模式操作等。

文件类型: PDF 大小:216 KB

没找到合适的结果? 您可以留下电子邮箱,我们帮您找一找

品牌



产品