Freescale说明书大全

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MRF5S9100NR1/NBR1是一种射频功率场效应晶体管，用于宽带商业和工业应用，频率最高可达1000 MHz。它具有高增益和宽带性能，适用于26伏基站设备中的大信号共源放大器应用。该产品具有优异的性能，能够处理10:1的驻波比，工作电压最高可达32伏。

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MRFG35010NT1是一种射频功率场效应晶体管，适用于WLL/MMDS/BWA或UMTS驱动应用，频率范围为1.8至3.6 GHz。该设备适用于Class AB线性基站应用，具有高增益、高效率和高线性特性。

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MRF9135LR3和MRF9135LSR3是Freescale Semiconductor生产的RF功率场效应晶体管。它们设计用于频率在865到895 MHz之间的宽带商业和工业应用。这些器件具有高增益和宽带性能，非常适合26伏基站设备中的大信号常用源放大器应用。它们在880 MHz、26伏、IDQ = 1100 mA的典型N-CDMA性能下，输出功率为25瓦，功率增益为17.8 dB，效率为25%，相邻信道功率为750 kHz，30 kHz带宽下的衰减为-47 dBc。这些器件具有处理10:1驻波比的能力，在26伏直流电压、880 MHz频率下，连续波输出功率可达135瓦。它们具有易于使用的内部匹配特性，高增益、高效率和高线性性能，集成ESD保护，设计用于最大增益和插入相位平坦度，具有优异的热稳定性，通过系列等效大信号阻抗参数进行表征，引线上的金电镀厚度较低，符合RoHS标准。它们以卷筒形式供应。

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本文档介绍了MCF51JM128系列产品的特点和特性，该系列是ColdFire 32位精简指令集计算（RISC）微处理器家族的成员，具有高度集成和多样化的功能。它基于V1 ColdFire核心，处理器核心速度可达50.33MHz。作为Freescale Controller Continuum®的一部分，它是MC9S08JM60系列8位微控制器设计的理想升级选择。

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MCF5222x系列是一款高度集成的32位嵌入式控制器，采用流行的2.0版ColdFire内核，具有高性能和内存要求。它集成了USB On-The-Go控制器，适用于需要USB Device或Host功能的应用。该系列还集成了标准ColdFire通信外设，包括UART、I2C和QSPI，以满足系统内的外设通信需求。

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该数据表格提供了MRF9060NR1 RF功率场效应晶体管的特性参数，如最大额定值、典型参数、温度特性等。该器件适用于26V基站设备的大信号、共源放大器应用。

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MRF18090AR3 RF射频功率场效应晶体管是Freescale Semiconductor（飞思卡尔半导体）的N沟道增强型侧向MOSFET，适用于频率从1800到2000 MHz的GSM和GSM EDGE基站应用。

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MRF6S23140HR3 MRF6S23140HSR3 是 Freescale Semiconductor 生产的 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs，适用于 CDMA 基站应用，频率范围从 2300 到 2400 MHz，适用于 WiMAX、WiBro 和多载波放大器应用。

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MRF5S9101MR1/MBR1是Freescale Semiconductor生产的一款射频功率场效应晶体管，适用于GSM和GSM EDGE基站应用，频率范围为869至960MHz，最大输出功率为100瓦。

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