General说明书大全
GENERAL SEMICONDUCTOR US1A THRU US1J Data Sheet
US1A THRU US1J SURFACE MOUNT ULTRAFAST EFFICIENT RECTIFIER是ON Semiconductor的一种表面贴装超快速高效整流器产品，额定反向电压为50至600伏，额定正向电流为1.0安培。该产品具有塑料外壳、低功耗、高效率、高温焊接等特点。
文件类型: PDF 大小:80 KB
GENERAL SEMICONDUCTOR UF5400 THRU UF5408 Data Sheet
该文档介绍了UF5400-UF5408系列超快高效塑料整流器产品的特点特性，包括反向电压、正向电流、反向恢复时间、正向电压、漏电、浪涌能力、高温焊接等。
文件类型: PDF 大小:37 KB
GENERAL SEMICONDUCTOR RGP10A THRU RGP10M 数据手册
RGP10A THRU RGP10M 玻璃钝化结快换开关二极管 反向电压为 50 至 1000 伏，正向电流为 1.0 安培
文件类型: PDF 大小:60 KB
GENERAL SEMICONDUCTOR LCE6.5 THRU LCE28A SERIES Data Sheet
LCE6.5至LCE28A系列是一种低电容的TransZorb™瞬态电压抑制器。其特点包括：塑料封装具有UL 94V-0防火等级、玻璃钝化结界、1500W峰值脉冲功率能力、优异的压制能力、低的浪涌电阻、快速响应时间、适用于数据线应用等。
文件类型: PDF 大小:39 KB
GENERAL SEMICONDUCTOR RGP25A THRU RGP25M Data Sheet
RGP25A到RGP25M是玻璃钝化结构的快速开关整流器，反向电压范围为50至1000伏特，正向电流为2.5安培。该产品具有高温度冶金键合结构、玻璃钝化无腔结构、无热失控的2.5安培工作、低反向漏电流、快速开关以实现高效率等特点。
文件类型: PDF 大小:60 KB
GENERAL SEMICONDUCTOR BZX79 SERIES Data Sheet
BZX79系列硅平面齐纳二极管，特点是齐纳电压按国际E24标准分档，提供±2%、±3%和±5%的容差，可根据要求提供更高的齐纳电压和1%的容差。
文件类型: PDF 大小:324 KB
GENERAL SEMICONDUCTOR BZX84 Series 数据手册
该文件介绍了9/28/00特性、硅平面功率稳压二极管、国际E 24标准下的Zener电压分级、标准Zener电压公差、其他封装样式和配置以及最大额定值和热特性。
文件类型: PDF 大小:404 KB
GENERAL SEMICONDUCTOR P6KA6.8 THRU P6KA43A Data Sheet
P6KA6.8 THRU P6KA43A 汽车瞬态电压抑制器，额定击穿电压为6.8至43伏特，最大脉冲功率为600瓦特。该产品具有耐高温、快速响应、低阻抗等特点，适用于汽车的各种应用场景。
文件类型: PDF 大小:62 KB
GENERAL SEMICONDUCTOR AZ23-C2V7 THRU AZ23-C51 数据手册
该文件介绍了AZ23-C2V7 THRU AZ23-C51双向稳压二极管的特点和特性。该二极管采用双硅平面结构，共阳极设计。它符合国际E24标准，具有分级的稳压电压。该二极管的参数适用于一个封装内的两个二极管，两个二极管的∆VZ和∆rzj小于5%。此外，该二极管还可以在其他封装和配置中获得，包括型号为DZ23的双向稳压二极管共阴极配置，型号为BZX84C的单向稳压二极管SOT-23封装，以及型号为BZT52C的单向稳压二极管SOD-123封装。
文件类型: PDF 大小:397 KB
GENERAL SEMICONDUCTOR DF005S THRU DF10S MINIATURE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER 数据手册
这份文件介绍了DF005S至DF10S系列的迷你玻璃钝化单相表面贴装整流器。其特点包括塑料封装具有UL94V-0防火等级、玻璃钝化芯片结构、高浪涌过载能力、适用于印刷电路板、高温焊接性能以及各项最大额定值和电气特性。
文件类型: PDF 大小:93 KB
GENERAL SEMICONDUCTOR BAT42W/BAT43W 数据手册
Schottky二极管是一种具有低通态电压和快速开关特性的二极管。该文件介绍了BAT42W和BAT43W型号的特点和机械数据，包括尺寸、重量和最大额定值。这些二极管具有反向击穿电压、正向连续电流和重复峰值正向电流等电气特性。此外，它们还具有保护性二极管，可防止过高电压引起的损害。这些二极管可用于一般用途应用。
文件类型: PDF 大小:39 KB
GENERAL SEMICONDUCTOR GBPC12, 15, 25 AND 35 SERIES 数据手册
GBPC12, 15, 25和35系列玻璃钝化单相桥式整流器，反向电压为50至1000伏，电流电压为12.0至35.0安培
文件类型: PDF 大小:70 KB
GENERAL SEMICONDUCTOR BYV28-50 THRU BYV28-200 GLASS PASSIVATED FAST EFFICIENT RECTIFIER Reverse Voltage - 50 to 200 Volts Forward Current - 3.5 Amperes 数据手册
BYV28-50 THRU BYV28-200是玻璃钝化快速高效整流器，反向电压为50至200伏，正向电流为3.5安培。该产品具有高温冶金键合结构、玻璃钝化无腔结、超快恢复时间、低正向电压和高电流能力，可以满足MIL-S-19500的环境标准，并且具有低泄漏电流、高浪涌能力和高温焊接保证。
文件类型: PDF 大小:53 KB
GENERAL SMAJ5.0 THRU SMAJ170CA SURFACE MOUNT TRANSZORB™ TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 数据手册
SMAJ5.0至SMAJ170CA是表面贴装式TransZorb™瞬态电压抑制器，其特点是具有优化的局域网保护应用、符合IEC 1000-4-2（IEC801-2）标准的数据线ESD保护、符合IEC1000-4-4（IEC801-4）标准的数据线EFT保护、具有UL 94V-0防燃塑料包装、玻璃钝化结构、优异的夹持能力、低增量浪涌电阻、快速响应时间等特性。
文件类型: PDF 大小:68 KB
GENERAL SEMICONDUCTOR BAV19W THRU BAV21W 数据手册
BAV19W THRU BAV21W是德州仪器生产的一款小信号二极管产品，主要特性为反向电压为120V-250V，最大正向电流为250mA，最高工作温度为150℃。
文件类型: PDF 大小:153 KB