AMD说明书大全

1

文件类型: PDF 大小:0 KB

DS42585 是 AMD 开发的一款叠层多芯片封装（MCP）闪存和 SRAM 产品，由 Am29DL324D 底部引导 32 兆位（4 M x 8 位/2 M x 16 位）CMOS 3.0 伏特仅限、同时操作闪存和 8 兆位（1 M x 8 位/512 K x 16 位）静态 RAM 组成。

文件类型: PDF 大小:492 KB

该文件介绍了AMD DS42553 Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM 的特性特点。

文件类型: PDF 大小:482 KB

该文件介绍了AMD DS42516 Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM产品的特点特性，包括：该产品的供电电压为2.7到3.3伏，最高性能为90纳秒，包装为73-Ball FBGA，工作温度为–25°C到+85°C。

文件类型: PDF 大小:481 KB

DS42515是AMD正在研发的一款存储器产品，该产品采用3.0伏电压，最大访问时间为85ns，工作温度为-25°C到+85°C。该产品具有同时读写、零延迟、安全存储、零电力等特点。

文件类型: PDF 大小:379 KB

该文档介绍了Advanced Micro Devices正在开发的一款产品的信息，旨在帮助用户评估该产品。该产品是一款堆叠式多芯片封装闪存和静态RAM。闪存容量为16兆比特，静态RAM容量为4兆比特。具有2.7至3.3伏的电源电压，85纳秒的最大访问时间，69球FBGA封装，工作温度为-25至+85摄氏度。闪存具有同时读写操作、安全硅区域、零功率操作等特点。

文件类型: PDF 大小:379 KB

1

文件类型: PDF 大小:3764 KB

Am29LV200B是AMD公司正在研发的2兆位（256千字节×8位/128千字节×16位）CMOS3.0伏特仅启动扇区闪存，具有单电源供电、高性能、超低功耗、灵活扇区架构和扇区保护等特点。

文件类型: PDF 大小:49 KB

AMD Am29LV800B 8 Megabit 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory 是一款单电源供电、高性能、低功耗的存储器芯片，具有灵活的扇区架构和扇区保护功能。

文件类型: PDF 大小:49 KB

Am29F400B是一种4兆位的CMOS闪存存储器，具有单电源供电、高性能、低功耗等特点。

文件类型: PDF 大小:227 KB

Am28F512是AMD的512K位闪存，组织为64KB的8位。它提供最具成本效益和可靠的读写非易失性随机存取存储器。

文件类型: PDF 大小:257 KB

这份文档介绍了AMD旗下的Am186TMED/EDLV系列高性能、80C186-和80C188兼容的16位嵌入式微控制器，该系列微控制器具备增强的总线接口、更低的系统成本、更高的性能，并支持3.3V±0.3V的操作

文件类型: PDF 大小:1295 KB

这份文件介绍了 Am29LV004 4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory 的特性，包括单电源供电、高性能、超低功耗、灵活扇区架构等

文件类型: PDF 大小:429 KB

AM25LS2519查询供应商

文件类型: PDF 大小:167 KB

该数据表提供了AMD MACH110-12/15/20的高密度EE CMOS可编程逻辑的特点特性。该器件具有大约三倍于流行的PAL22V10的逻辑宏单元能力，而不会降低速度。

文件类型: PDF 大小:184 KB

PALCE29MA16H-25是一款高性能半定制逻辑替代器，其电气可擦除（EE）技术允许重新编程。

文件类型: PDF 大小:296 KB

Am29LV800B 是 8 兆位 (1 M x 8 位/512 K x 16 位) CMOS 3.0 伏特专用引导扇区闪存芯片，具有单电源操作、高性能、低功耗、灵活的扇区结构、扇区保护功能、解锁旁路编程命令、顶部或底部引导块配置等特点。

文件类型: PDF 大小:81 KB

文件类型: PDF 大小:1475 KB

Am29F016B 16兆位（2 M x 8位）CMOS 5.0伏特-仅，均匀扇区闪存

文件类型: PDF 大小:234 KB

Am27X64是一种可编程一次可擦除可编程只读存储器 (OTP EPROM)，由美国摩托罗拉公司制造。它具有短引导时间、低功耗、高噪声免疫性和兼容 JEDEC 认证的 EPROM 引脚排列等特点。

文件类型: PDF 大小:67 KB