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该数据表提供了NEC's NE681系列的NPN晶体管的规格。该系列晶体管具有高增益带宽积、低噪声系数和高关联增益，适用于低噪声、高增益、低成本放大器应用。

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NEC的NE680系列是NPN外延硅晶体管，设计用于低噪声、高增益和低成本应用。适用于高达6 GHz的应用。NE680芯片和微型版本都适用于高达6 GHz的应用。NE680芯片还提供了六种不同的低成本塑料表面贴装封装样式。NE680的高fT使其非常适合低电压/低电流应用，最低可达0.5 V / 0.5 mA。NE680系列的最大IC为35 mA。对于更高电流应用，请参阅NE681系列。

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NE674是NEC的一种L到Ku波段低噪声GaAs MESFET，采用凹入0.3微米的栅极和三重外延技术，具有低噪声系数和高关联增益。该器件适用于放大器和振荡器应用。该器件采用锡密封的金属陶瓷封装，用于提高太空应用的可靠性。

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NE677M04是NEC的一种高频NPN三极管，具有高增益带宽、高输出功率和高线性增益等特性。该产品采用NEC的HFT3晶圆工艺制造，封装为M04，具有SOT-343的接脚布局和0.59mm的高度。

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NEC的NE6510179A是一款GaAs HJ-FET，专为中功率移动通信、固定无线接入、ISM、WLL、PCS、IMT-2000和MMDS发射机和用户应用而设计。它能够在高线性增益、高效率和优异线性度的条件下，在3.5V时提供1.8瓦的输出功率，5V时提供3瓦的输出功率。NEC通过严格的质量控制程序确保可靠性和性能一致性。

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NE650103M是NEC公司设计的一款10W GaAs MESFET，适用于PCS、W-CDMA、WLL等应用，能够以高线性增益、高效率和卓越的线性度提供10瓦的输出功率

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NE552R479A是NEC公司的一款N-通道硅功率横向扩散MOSFET，专门设计用于移动和固定无线应用中的发射功率放大器。

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该文档介绍了一款名为NE5520379A的N通道硅功率MOSFET，作为3.2V GSM900手机的传输功率放大器。它具有高输出功率、高线性增益和高功率添加效率等特点。

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NEC's NE5520379A是一款N通道硅功率MOSFET，专为3.2V GSM900手机的发射功率放大器而设计。该器件可以在915MHz和3.2V时提供35.5dBm的输出功率，或者在2.8V时通过调节门电压作为功率控制功能以提供34.6dBm的输出功率。

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NE5520279A是NEC设计的用于3.2V DCS1800手机的N通道硅功率MOSFET，最大输出功率32dBm，线性增益10dB，功率附加效率45%，工作电压2.4-6V。

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NE5520279A是NEC推出的一款低成本、高性能、高可靠性的LD-MOSFET，适用于0.7-2.5GHz的固定无线、移动无线等应用。

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NE5511279A是一款N通道硅功率LD-MOS FET，专为7.5V无线电系统的传输功率放大器而设计。该器件可在7.5V电源电压下以900MHz的频率提供40.0dBm输出功率和48%功率增益。

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NE5510279A 是一款专为 3.5V GSM1800 手机设计的 N 通道硅功率 MOSFET。它采用 NEC 的 NEWMOS 技术 (NEC 的 0.6 µm WSi 栅极横向 MOSFET) 制造，并采用表面贴装封装。该器件可以在 3.5V 电源电压下输出 32dBm 输出功率，并具有 45% 的功率附加效率。

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NE5510179A是NEC公司推出的一款3.5V GSM1800和GSM 1900手机的射频功率MOSFET。该器件采用NEC的NEWMOS技术（NEC的0.6µm WSi gate侧向MOSFET）制造，并采用表面贴装封装。该器件可以在3.5V电源电压下以1.9GHz的频率提供29.5dBm的输出功率和50%的功率增益效率，或者可以在3.5V电源电压下提供29dBm的输出功率。

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NE5500179A是NEC公司生产的一款N沟道硅功率MOS FET，专为4.8V GSM 1 800和GSM 1 900手机的传输驱动放大器设计。

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UPG2118K是NEC公司生产的1.5W GaAs MMIC功率放大器，采用E-mode FET技术，具有高效率和高线性度，工作电压单一，为+3.2V。应用于DCS/PCS1800、915和2450 ISM频段。

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NEC的870MHz GaAs CATV推挽放大器MC-7831 MC-7832 MC-7833具有低失真、高线性增益、低回损、低温度变化增益等特点，可用于79、110和132通道应用。

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PS710E-1A,PS710EL-1A是NEC的6-PIN DIP, 0.08 Ω LOW ON-STATE RESISTANCE 2.0 A CONTINUOUS LOAD CURRENT 1-ch Optical Coupled MOS FET Solid State Relay OCMOS FET，具有低导通电阻、大连续负载电流、1通道、低LED工作电流、AC/DC切换线切换器设计、小包装、低偏置电压等特点。

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NEC的NX8563LA系列是一种1 550nm多量子阱（MQW）结构的分布反馈（DFB）激光二极管模块，带有单模光纤。它被设计为直接调制光源，非常适合光传输系统。该设备可根据ITU-T建议提供DWDM波长，适用于广泛的应用。

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