摩托罗拉说明书大全
MOTOROLA Semiconductor MPC1710A 数据手册
该文件内容主要是关于DataSheet4U.com网站的信息，介绍了该网站的特点和特性。
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MOTOROLA Semiconductor BC372/BC373 数据手册
BC372/D是Motorola公司生产的一款NPN型小信号硅晶体管，其最大集电极-发射极电压为100V，最大集电极-基极电压为100V，最大发射极-基极电压为12V，最大集电极电流为1.0A，总功率耗散为625mW，工作温度范围为-55到+150°C。
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MOTOROLA NPN BC368, -25 PNP BC369 数据手册
本文档是关于Motorola公司的BC368-25小信号晶体管的特性参数，包括最大额定值、热特性、电气特性等。
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MOTOROLA BUD44D2 数据手册
This is a datasheet for BUD44D2 transistor. It is a high speed and high gain bipolar transistor. It has high dynamic characteristics and minimum spread. It is suitable for light ballast applications.
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MOTOROLA MUR10120E 数据手册
这是 MUR10120E 数据表，它是一款 1200 伏特阻断电压的二极管，可以用于高分辨率显示器的水平偏转电路中。
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MOTOROLA MMSF7P03HD 数据手册(1)
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data is an advanced series of power MOSFETs which utilize Motorola’s High Cell Density TMOS process. HDTMOS devices are designed for use in low voltage, high speed switching applications where power efficiency is important. Typical applications are dc–dc converters, and power management in portable and battery powered products such as computers, printers, cellular and cordless phones. They can also be used for low voltage motor controls in mass storage products such as disk drives and tape drives.
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MOTOROLA MMSF7N03Z 数据手册
该文件介绍了Motorola TMOS Power MOSFET Transistor的特点和特性。这些器件采用了Motorola的High Cell Density TMOS工艺，并包含单片的反向并联稳压二极管，提供了防静电击和突发电压的保护。这些微型表面贴装MOSFET具有超低的RDS(on)和真正的逻辑电平性能。它们能够承受雪崩和换向模式中的高能量，并且漏极-源极二极管具有非常低的反向恢复时间。EZFET器件设计用于低电压、高速开关应用，具有重要的功率效率。典型应用包括DC-DC转换器、便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、手机和无绳电话。它们还可用于磁存储产品（如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制。
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MOTOROLA MMSF7N03HD 数据手册
Motorola TMOS Power MOSFET晶体管是一种中功率表面贴装产品，采用Motorola的High Cell Density HDTMOS工艺。这些微型表面贴装MOSFET具有超低的RDS（on）和真正的逻辑电平性能。它们能够承受雪崩和换向模式中的高能量，且漏极-源极二极管具有非常低的反向恢复时间。MiniMOS器件设计用于低压、高速开关应用，重视功率效率。典型应用包括DC-DC转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、手机和无绳电话。它们还可以用于磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品中的低压电机控制。雪崩能量的规定消除了在开关感应负载时设计中的猜测，并为意外电压瞬变提供了额外的安全裕量。
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MOTOROLA MMSF5P02HD 数据手册
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data介绍了MiniMOS系列的功率MOSFETs产品特点，包括超低RDS(on)和真正的逻辑电平性能。该产品适用于低压、高速开关应用，能够承受高能量的雪崩和换向模式，并具有非常低的漏-源二极管反向恢复时间。
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