NEC说明书大全

NE661M04 是一款高频 NPN 硅晶体管，具有高增益带宽、高功率增益、低噪声系数和高最大稳定增益。

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NE651R479A是一款0.4W GaAs HJ-FET，适用于移动通信和无线PC LAN系统的中功率发射机应用。它具有高线性增益、高效率和优秀的失真性能，并可作为NE6510179A和NE6510379A的驱动放大器。

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NE6510379A是一款3W GaAs HJ-FET，设计用于移动通信系统的中功率发射机应用。它具有高线性增益、高效率和优异的失真特性。

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NE650R279A是NEC公司推出的一款0.2W GaAs MES FET，用于中功率发射器应用，适用于移动通信手柄和基站系统。该产品具有高线性增益、高效率、优异失真，可作为NE6500379A等产品的驱动放大器。

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NE6501077是一种功率GaAs场效应晶体管，具有高增益、高效率和高输出功率，在L、S频段提供高性能。

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NE6500379A是一款3W GaAs MESFET，用于中功率发射机应用，如移动通信手机和基站系统。它能够以高线性增益、高效率和卓越的失真提供3瓦的输出功率（CW）。NEC严格的质量和控制程序确保了可靠性和性能均一性。

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BB1系列是N型小信号晶体管，使用了片内电阻，可减少组件数量，缩小组件的体积，特别适合用于VCR和电视机等家用电子产品和OA设备。

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该数据表提供了 NE68035 的非线性模型参数和封装信息。

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NE52118是一款低噪声放大器，具有1.0dB典型噪声系数，15.0dB典型增益和15.0dB典型增益乘积。它采用4针超迷你包装，并具有接地发射极。

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NE85001系列是一款1 W C频段功率GaAs MES FET N-CHANNEL GaAs MES FET。它适用于商用放大器、振荡器等应用。该器件采用了钛铝栅和二氧化硅玻璃化工艺，具有高功率输出和高可靠性。

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该文件介绍了NEC的第一款V810系列微处理器µPD70732（也称为V810），适用于嵌入式控制应用。该产品采用了RISC架构，具有高速实时响应、高速整数运算指令、位串指令、浮点运算指令等特点，并实现了显著的高性价比，适用于传真机、数字PPC、文字处理器、图像处理器、实时控制设备等应用。

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该数据表介绍了µPD45128441, 45128841, 45128163 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL 的特点特性

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UPA831TC是一种NPN硅外延双晶体管，采用超小封装，适用于便携式无线应用。具有低高度轮廓、降低引线电感、两种不同的芯片类型等特点。

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NEC EP2S / EP1S系列是适用于各种电机控制和其他需要高质量和性能的应用的PC板安装型汽车继电器。EP2S / EP1S系列的声压级在继电器操作时为57分贝，继电器释放时为49分贝。

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