ROHM说明书大全

ROHM SH8K11 说明书

该文件介绍了ROHM公司的4V驱动Nch + Nch MOSFET SH8K11的特点和特性,包括低导通电阻、内置G-S保护二极管以及小型表面贴装封装(SOP8)等。

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ROHM SH8K12 数据手册

SH8K12是ROHM公司生产的一款4V驱动的Nch+Nch MOSFET,主要应用于开关电路。该器件具有低导通电阻、内置G-S保护二极管以及小型封装等特点。

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ROHM SH8K13 说明书

该文件是关于ROHM公司生产的4V驱动Nch + Nch MOSFET SH8K13的数据表。该产品具有低导通电阻、内置G-S保护二极管和小型表面贴装封装等特点。主要应用于开关电路。

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ROHM SH8K14 说明书

SH8K14是ROHM生产的一种Nch + Nch MOSFET器件,具有低导通电阻、内置G-S保护二极管和小型表面贴装封装等特点,适用于开关应用领域。

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ROHM SH8K15 说明书

SH8K15是ROHM公司生产的一款Nch+Nch MOSFET。该器件具有低导通电阻、内置G-S保护二极管、小型表面贴装封装(SOP8)等特点,适用于开关应用。

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ROHM SH8K22 说明书

SH8K22是一款由ROHM公司生产的N-通道MOSFET,其特点是内置了G-S保护二极管和小型表面安装封装(SOP8)

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ROHM SH8M11 说明书

SH8M11是一款低压驱动Nch+Pch MOSFET,具有低导通电阻、高功率封装和低压驱动等特点,适用于开关应用。

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ROHM SH8M12 说明书

SH8M12是ROHM公司生产的一款Nch+Pch MOSFET,其特点是低导通电阻、高功率封装、低电压驱动。

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ROHM SH8M13 说明书

SH8M13是ROHM公司生产的一款低压驱动的Nch+Pch MOSFET,具有以下特性:1)低导通电阻;2)内置G-S保护二极管;3)小尺寸的表面贴装封装(SOP8)。

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ROHM SH8M14 说明书

该文件介绍了一种4V驱动低电压MOSFET,具有低通阻、高功率封装和低电压驱动的特点。适用于开关应用。

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ROHM SH8M24 数据手册

这是一个 datasheet ,详细介绍了 SH8M24 的产品信息,包括外观结构、封装尺寸、功能特点、应用场景、典型应用电路、封装代码、内部电路、最大工作条件、引脚图、电气特性等。

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ROHM SH8M41 数据手册

该文档介绍了ROHM公司的4V驱动Nch + Pch MOSFET SH8M41的特点和应用。该产品具有低导通电阻、内置G-S保护二极管和小封装等特点。

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ROHM SH8M70 数据手册

该文件介绍了ROHM公司的10V驱动Nch+Pch MOSFET SH8M70,包括产品的结构、尺寸、特点和应用。产品具有低导通电阻、内置G-S保护二极管和小型表面贴装封装等特点,适用于电源开关和DC/DC转换器。

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ROHM SP8K80 说明书

SP8K80是ROHM的一款N沟道MOSFET,最大工作电压为500V,最大工作电流为0.5A,具有体内保护二极管和小型表面安装封装(SOP8)。

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ROHM US6T4 说明书

US6T4晶体管是罗姆半导体推出的一款低频放大器驱动器,其特点是集电极电流较大,集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))最大可达-250mV。

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ROHM US6T5 Data Sheet (1)

US6T5是一款低频放大器,特点是具有较大的集电极电流和低的集电极-发射极饱和电压

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ROHM US6T6 Data Sheet

该文件介绍了US6T6型号晶体管的特点和特性,主要用途是低频放大器和驱动器。该型号晶体管具有较大的集电流和低的集电极饱和电压。

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ROHM US6T7 说明书

该文件是关于US6T7晶体管的说明。US6T7是一款低频放大器,适用于驱动低频放大器。其特点是集电流较大,并且在IC = -1A / IB = -50mA条件下,VCE(sat)的最大值为-370mV。

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ROHM US6X3 说明书

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ROHM US6X4 说明书

US6X4是一款低频放大器,最大集电极电流为2A。

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