Fairchild说明书大全

FFB3906 / FMB3906 / MMPQ3906 是PNP 多芯片通用放大器，设计用于10 µA 至 100 mA 的集电极电流的通用放大器和开关应用。

文件类型: PDF 大小:82 KB

该数据表提供了 FEP16AT - FEP16JT 16 安培玻璃钝化超快速整流器的绝对最大额定值、电气特性、特征和参数。

文件类型: PDF 大小:37 KB

该文档介绍了2003年Fairchild Semiconductor Corporation生产的FDS7066N7型号的N沟道MOSFET功率器件。该器件采用了低侧同步整流操作，具有极低的RDS(ON)值和高效能的特点。适用于同步整流和DC/DC转换器等应用。

文件类型: PDF 大小:167 KB

FDS3601是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款1.3A，100V的N-Channel MOSFET，它具有快速的开关速度、低的门极电荷和高性能的沟槽技术，非常适合用于DC/DC转换器。

文件类型: PDF 大小:86 KB

20A、30V、0.016欧姆、N通道、逻辑电平超级FET功率MOSFET

文件类型: PDF 大小:215 KB

HUF76121P3, HUF76121S3S 47A, 30V, 0.021 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs 高性能47A N-通道超低阻抗逻辑电平MOSFET

文件类型: PDF 大小:221 KB

HUF75945G3, HUF75945P3, HUF75945S3ST 38A, 200V, 0.071 Ohm, N-Channel, UltraFET® Power MOSFETs 产品特性包括超低导通电阻、模拟模型和热阻模型

文件类型: PDF 大小:211 KB

HUF75939P3, HUF75939S3ST 22A, 200V, 0.125 Ohm, N-Channel, UltraFET® Power MOSFET，特点是低导通电阻 rDS(ON) = 0.125Ω，温度补偿的 PSPICE®和 SABER© 电气模型，Spice和 SABER© 热阻模型

文件类型: PDF 大小:197 KB

该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的HUF75925P3和HUF75925D3ST型号的UltraFET®功率MOSFET的特点和特性。其中包括超低导通电阻、仿真模型、峰值电流与脉冲宽度曲线以及UIS评级曲线。

文件类型: PDF 大小:199 KB

HUF75831SK8是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道超低阻抗功率MOSFET，其最大导通电阻为0.095欧姆，最大电压为150伏。

文件类型: PDF 大小:250 KB

1

文件类型: PDF 大小:0 KB

NC7SZ19是Fairchild Semiconductor的一款1-of-2解码器/解复用器，具有高输出驱动和低静态功耗。它具有超高的速度和广泛的VCC工作范围(1.65V至5.5V)。当VCC为0V时，输入和输出处于高阻状态。输入可以容忍高达5.5V的输入电压，而不管VCC工作范围如何。

文件类型: PDF 大小:229 KB

该文件介绍了5 G D S J210 J211 J212 N-Channel RF放大器的设计用途、特点和特性，适用于HF/VHF混频放大器和对接收器要求高增益和低噪声的应用。

文件类型: PDF 大小:188 KB

MM74HC574是一款高速八位D型边沿触发触发器，采用先进的硅门P井CMOS技术。它具有标准CMOS集成电路的高抗干扰性和低功耗，能够驱动15个LS-TTL负载。由于具有较大的输出驱动能力和3态特性，该器件非常适用于总线组织系统中的总线线路接口。该器件为正沿触发型触发器，满足设置和保持时间要求的D输入数据在时钟（CK）输入上升沿时传输到Q输出。当将高电平应用于输出控制（OC）输入时，无论其他输入信号和存储单元的状态如何，所有输出都进入高阻态。

文件类型: PDF 大小:102 KB

1N5221B-1N5279B 是Fairchild Semiconductor Corporation的齐纳二极管，其最大功率耗散为500 mW，最大结温为200°C。

文件类型: PDF 大小:82 KB

1

文件类型: PDF 大小:0 KB

MOC8020和MOC8021是光电隔离型光电耦合器。该设备具有一个砷化镓红外发射二极管，与一个硅达林顿光电晶体管耦合。

文件类型: PDF 大小:66 KB

该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的HUF75823D3和HUF75823D3S型号的特点和特性，包括超低导通电阻、仿真模型、峰值电流与脉冲宽度曲线以及绝对最大额定值。

文件类型: PDF 大小:214 KB

HUF75652G3 75A, 100V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET® Power MOSFET 是Fairchild Semiconductor Corporation 生产的一款低阻抗功率MOSFET。产品特点包括超低导通电阻 - rDS(ON) = 0.008Ω, VGS = 10V，以及模拟模型、绝对最大额定值、封装信息等。

文件类型: PDF 大小:194 KB

HUF75645P3, HUF75645S3S 75A, 100V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET® Power MOSFETs 是Fairchild Semiconductor Corporation 的产品，特点是Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.014Ω, VGS = 10V, 封装是JEDEC TO-220AB和JEDEC TO-263AB

文件类型: PDF 大小:203 KB