Fairchild说明书大全

FAIRCHILD FFB3906 数据手册

FFB3906 / FMB3906 / MMPQ3906 是PNP 多芯片通用放大器,设计用于10 µA 至 100 mA 的集电极电流的通用放大器和开关应用。

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FAIRCHILD FEP16AT - FEP16JT 数据手册

该数据表提供了 FEP16AT - FEP16JT 16 安培玻璃钝化超快速整流器的绝对最大额定值、电气特性、特征和参数。

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FAIRCHILD FDS7066N7 30V N-Channel PowerTrench  MOSFET 数据手册

该文档介绍了2003年Fairchild Semiconductor Corporation生产的FDS7066N7型号的N沟道MOSFET功率器件。该器件采用了低侧同步整流操作,具有极低的RDS(ON)值和高效能的特点。适用于同步整流和DC/DC转换器等应用。

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FAIRCHILD FDS3601 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册

FDS3601是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款1.3A,100V的N-Channel MOSFET,它具有快速的开关速度、低的门极电荷和高性能的沟槽技术,非常适合用于DC/DC转换器。

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FAIRCHILD HUF76129D3, HUF76129D3S 数据手册

20A、30V、0.016欧姆、N通道、逻辑电平超级FET功率MOSFET

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FAIRCHILD HUF76121P3, HUF76121S3S 数据手册

HUF76121P3, HUF76121S3S 47A, 30V, 0.021 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs 高性能47A N-通道超低阻抗逻辑电平MOSFET

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FAIRCHILD HUF75945G3, HUF75945P3, HUF75945S3ST 数据手册

HUF75945G3, HUF75945P3, HUF75945S3ST 38A, 200V, 0.071 Ohm, N-Channel, UltraFET® Power MOSFETs 产品特性包括超低导通电阻、模拟模型和热阻模型

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FAIRCHILD HUF75939P3, HUF75939S3ST 数据手册

HUF75939P3, HUF75939S3ST 22A, 200V, 0.125 Ohm, N-Channel, UltraFET® Power MOSFET,特点是低导通电阻 rDS(ON) = 0.125Ω,温度补偿的 PSPICE®和 SABER© 电气模型,Spice和 SABER© 热阻模型

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FAIRCHILD HUF75925P3, HUF75925D3ST 数据手册

该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的HUF75925P3和HUF75925D3ST型号的UltraFET®功率MOSFET的特点和特性。其中包括超低导通电阻、仿真模型、峰值电流与脉冲宽度曲线以及UIS评级曲线。

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FAIRCHILD HUF75831SK8 数据手册

HUF75831SK8是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道超低阻抗功率MOSFET,其最大导通电阻为0.095欧姆,最大电压为150伏。

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FAIRCHILD QSE122 DATA SHEET

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FAIRCHILD NC7SZ19 TinyLogic UHS 1-of-2 Decoder/Demultiplexer 数据手册

NC7SZ19是Fairchild Semiconductor的一款1-of-2解码器/解复用器,具有高输出驱动和低静态功耗。它具有超高的速度和广泛的VCC工作范围(1.65V至5.5V)。当VCC为0V时,输入和输出处于高阻状态。输入可以容忍高达5.5V的输入电压,而不管VCC工作范围如何。

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FAIRCHILD MMBFJ210 MMBFJ211 MMBFJ212 Data Sheet

该文件介绍了5 G D S J210 J211 J212 N-Channel RF放大器的设计用途、特点和特性,适用于HF/VHF混频放大器和对接收器要求高增益和低噪声的应用。

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FAIRCHILD MM74HC574 3-STATE Octal D-Type Edge-Triggered Flip-Flop Data Sheet

MM74HC574是一款高速八位D型边沿触发触发器,采用先进的硅门P井CMOS技术。它具有标准CMOS集成电路的高抗干扰性和低功耗,能够驱动15个LS-TTL负载。由于具有较大的输出驱动能力和3态特性,该器件非常适用于总线组织系统中的总线线路接口。该器件为正沿触发型触发器,满足设置和保持时间要求的D输入数据在时钟(CK)输入上升沿时传输到Q输出。当将高电平应用于输出控制(OC)输入时,无论其他输入信号和存储单元的状态如何,所有输出都进入高阻态。

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FAIRCHILD 1N5221B - 1N5279B Data Sheet

1N5221B-1N5279B 是Fairchild Semiconductor Corporation的齐纳二极管,其最大功率耗散为500 mW,最大结温为200°C。

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FAIRCHILD AN7820/24 应用笔记

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FAIRCHILD MOC8020 Data Sheet

MOC8020和MOC8021是光电隔离型光电耦合器。该设备具有一个砷化镓红外发射二极管,与一个硅达林顿光电晶体管耦合。

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FAIRCHILD HUF75823D3, HUF75823D3S 数据手册

该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的HUF75823D3和HUF75823D3S型号的特点和特性,包括超低导通电阻、仿真模型、峰值电流与脉冲宽度曲线以及绝对最大额定值。

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FAIRCHILD HUF75652G3 数据手册

HUF75652G3 75A, 100V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET® Power MOSFET 是Fairchild Semiconductor Corporation 生产的一款低阻抗功率MOSFET。产品特点包括超低导通电阻 - rDS(ON) = 0.008Ω, VGS = 10V,以及模拟模型、绝对最大额定值、封装信息等。

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FAIRCHILD HUF75645P3, HUF75645S3S 数据手册

HUF75645P3, HUF75645S3S 75A, 100V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET® Power MOSFETs 是Fairchild Semiconductor Corporation 的产品,特点是Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.014Ω, VGS = 10V, 封装是JEDEC TO-220AB和JEDEC TO-263AB

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