Fairchild说明书大全

FAIRCHILD RUR1S1560S 15A, 600V Ultrafast Diode 数据手册

RUR1S1560S是一款超快恢复特性的15A,600V的肖特基二极管,其低压降和硅氮化物钝化离子注入,外延平面构造,适用于各种开关电源和其他功率开关应用中的自由轮和箝位二极管和整流器。

文件类型: PDF 大小:113 KB

FAIRCHILD RS1M 数据手册

该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的RS1A - RS1M系列快速整流器的特点和特性,包括玻璃钝化结,适用于表面贴装应用,具有内置应变缓解功能,适合自动化放置,通过UL认证。文档还列出了该系列产品的最大可重复反向电压、平均整流正向电流、非重复峰值前向浪涌电流、存储温度范围和工作结温等绝对最大额定值。此外,文档还提供了该系列产品的功率耗散、热阻、正向电压、反向恢复时间、反向电流和总电容等电性能参数。

文件类型: PDF 大小:114 KB

FAIRCHILD RHRP3060 30A, 400V - 600V Hyperfast Diodes 数据手册

RHRP3060是一种超快速二极管,具有软恢复特性(trr < 40ns)。它们具有超快速二极管的一半恢复时间,并具有硅氮化物钝化离子注入外延平面结构。这些器件用作多种开关电源和其他功率开关应用中的自由轮/夹持二极管和整流器。它们的低存储电荷和超快速软恢复能够减少许多功率开关电路中的震荡和电噪声,从而减少开关晶体管的功率损耗。

文件类型: PDF 大小:665 KB

FAIRCHILD RHRP30120 30A, 1200V Hyperfast Diode 数据手册

RHRP30120 30A, 1200V Hyperfast Diode 是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款超快恢复二极管。它具有半超快二极管的恢复时间,并且是硅氮化物钝化离子注入外延平面构造。该设备旨在用于各种高频开关电源和其他电源开关应用中作为自由轮/钳位二极管和整流器。其低寄生电荷和超快软恢复可最大程度地减少许多功率开关电路中的振铃和电气噪声,从而降低开关晶体管中的功耗。

文件类型: PDF 大小:75 KB

FAIRCHILD RHRP1540, RHRP1560 15A, 400V - 600V Hyperfast Diodes 数据手册

RHRP1540, RHRP1560是半导体公司生产的超高速二极管,该二极管具有软恢复特性,恢复时间为35ns,具有半导体二极管的恢复时间,其低储能和超高速软恢复可减少许多电源开关电路中的振荡和电气噪声,降低了开关晶体管的功耗。

文件类型: PDF 大小:358 KB

FAIRCHILD RHRP15120 15A, 1200V Hyperfast Diode 数据手册

RHRP15120是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款15A、1200V的超快恢复二极管。该二极管具有超快的软恢复特性(trr < 65ns)。它恢复时间是超快二极管的一半,并且采用硅氮化物钝化离子注入外延平面结构。这种器件旨在用作各种开关电源和其他电源开关应用中的自由轮/钳位二极管和整流器。其低储能和超快软恢复可最小化许多电源开关电路中的振铃和电气噪声,从而降低开关晶体管中的功耗。

文件类型: PDF 大小:348 KB

FAIRCHILD RHRG75120 75A, 1200V Hyperfast Diode 数据手册

RHRG75120是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种超快软恢复二极管,特点是恢复时间短于超快二极管,适用于各种高频开关电源和其他电源开关应用。

文件类型: PDF 大小:114 KB

FAIRCHILD RHRG5060 50A, 600V Hyperfast Diode 数据手册

RHRG5060是一种具有软恢复特性(trr < 45ns)的超快速二极管。它具有超快速二极管的一半恢复时间,并采用硅氮化物钝化离子注入外延平面结构。该器件适用于各种开关电源和其他功率开关应用中的反转二极管和整流器。其低储存电荷和超快速软恢复可在许多功率开关电路中减少振铃和电气噪音,从而减少开关晶体管的功率损耗。前称研发型号TA49065。

文件类型: PDF 大小:349 KB

FAIRCHILD RHRG3040CC, RHRG3060CC 30A, 400V - 600V Hyperfast Dual Diodes 数据手册

RHRG3040CC和RHRG3060CC是超快二极管,具有软恢复特性(trr < 40ns)。它们的恢复时间是超快二极管的一半,并且是硅氮化物钝化离子注入外延平面结构。这些器件旨在用作各种开关电源和其他功率开关应用中的自由轮/钳位二极管和整流器。它们的低储能和超快速软恢复可最大限度地减少许多功率开关电路中的环振和电气噪声,从而降低开关晶体管中的功率损耗。以前是开发型号TA49063。

文件类型: PDF 大小:340 KB

FAIRCHILD RHRG3040, RHRG3060 30A, 400V - 600V Hyperfast Diodes 数据手册

RHRG3040和RHRG3060是具有软恢复特性的超快二极管(trr<40ns)

文件类型: PDF 大小:382 KB

FAIRCHILD RGP10A/RGP10B/RGP10D/RGP10G/RGP10J/RGP10K/RGP10M Fast Rectifiers 数据手册

该文件介绍了RGP10A-RGP10M系列快速整流器的绝对最大额定值、特性和电气特性,包括1.0安培工作电流、高温冶金键合结构、玻璃钝化无空腔结构等。

文件类型: PDF 大小:47 KB

FAIRCHILD RGF1A/RGF1B/RGF1D/RGF1G/RGF1J/RGF1K/RGF1M Fast Rectifiers 数据手册

该文件介绍了RGF1A-RGF1M快速整流器的绝对最大额定值、电气特性和热特性。该产品具有玻璃过渡层结、适用于表面贴装应用、低正向电压降、高电流能力、易于拾取和放置、高浪涌电流能力等特点。

文件类型: PDF 大小:48 KB

FAIRCHILD ISL9R860PF2 8A, 600V Stealth(TM) Diode 数据手册

ISL9R860PF2是一种Stealth™二极管,专为高频硬开关应用的低损耗性能进行优化。该系列具有低反向恢复电流(IRRM)和在典型工作条件下具有异常软的恢复特性。该器件适用于电源和其他电力开关应用中的自由轮或提升二极管。低IRRM和短ta相位可减少开关晶体管的损耗。软恢复可最小化振铃,扩大了无需额外阻尼电路的情况下使用二极管的范围。建议将Stealth™二极管与SMPS IGBT一起使用,以提供最高效和功率密度最高的设计,并降低成本。以前的开发型号为TA49409。

文件类型: PDF 大小:143 KB

FAIRCHILD ISL9R860P2/ISL9R860S3ST 8A, 600V Stealth Diode 数据手册

ISL9R860P2,ISL9R860S3ST是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种8A,600V Stealth™二极管,该二极管采用了特殊的设计,在高频硬开关应用中具有低损耗性能。

文件类型: PDF 大小:326 KB

FAIRCHILD ISL9R8120P2 / ISL9R8120S3S 8A, 1200V Stealth Diode 数据手册

ISL9R8120P2 / ISL9R8120S3S是Fairchild Semiconductor Corporation生产的8A,1200V Stealth™二极管。该二极管具有低逆恢复电流和极低的恢复时间,适用于电源供应器和其他电力开关应用。

文件类型: PDF 大小:146 KB

FAIRCHILD ISL9R460PF2 4A, 600V Stealth Diode 数据手册

ISL9R460PF2是Fairchild Semiconductor Corporation的一款优化的4A,600V Stealth™二极管,适用于高频硬开关应用,具有低恢复电流和极其软的恢复特性,适用于电源供应器和其他电源开关应用中作为自由轮和提升二极管。

文件类型: PDF 大小:666 KB

FAIRCHILD ISL9R3060G2, ISL9R3060P2 30A, 600V Stealth Diode 数据手册

ISL9R3060G2, ISL9R3060P2是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种30A,600V Stealth™二极管,适用于高频硬开关应用,具有低反向恢复电流和非常软的恢复特性,可作为功率转换应用中的续流二极管或升压二极管使用。

文件类型: PDF 大小:220 KB

FAIRCHILD ISL9R30120G2 30A, 1200V Stealth(TM) Diode 数据手册

ISL9R30120G2是一种Stealth™二极管,专为高频硬开关应用中的低损耗性能进行优化。Stealth™系列具有低反向恢复电流(IRM(REC))和在典型工作条件下具有异常软性恢复的特点。该器件可用作电源和其他功率开关应用中的自由轮和升压二极管。低IRM(REC)和短ta相位可降低开关晶体管的损耗。软恢复可以最小化振铃,扩大了在无需使用附加嗡嗡电路的情况下使用该二极管的条件范围。建议与1200V NPT IGBT一起使用Stealth™二极管,以实现更高效、更高功率密度的设计,成本更低。以前是开发型号TA49415。

文件类型: PDF 大小:144 KB

没找到合适的结果? 您可以留下电子邮箱,我们帮您找一找

品牌



产品