Fairchild说明书大全

MMBT3904T是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型晶体管，适用于一般放大、开关和放大应用。

文件类型: PDF 大小:133 KB

本文介绍了MMBT3906SL PNP外延硅晶体管的特点和特性，适用于一般放大和开关应用，尤其适用于便携式设备。建议与互补型号NPN MMBT3904SL配套使用。

文件类型: PDF 大小:141 KB

D45C8是一种PNP功率放大器，具有集电极-发射极电压为-60V，集电流连续为-4.0A的特点。

文件类型: PDF 大小:139 KB

D45H2A是一种PNP功率放大器，适用于功率放大器、稳压器和需要速度的开关电路。

文件类型: PDF 大小:33 KB

这是FFB5551的数据表

文件类型: PDF 大小:113 KB

FJMA790是一款PNP外延硅晶体管，适用于便携式应用中的负载管理，具有高集电极电流和低集电极-发射极饱和电压。

文件类型: PDF 大小:2091 KB

FJT44是高压NPN型晶体管，其特点是：1、集电极-发射极电压范围为400V；2、集电极-发射极电流范围为300mA；3、工作温度范围为-55至+150°C。

文件类型: PDF 大小:116 KB

该文档介绍了FJV1845 NPN外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性。该晶体管具有高达120V的集电极-基极电压和集电极-发射极电压，最大集电极电流为50mA。此外，该晶体管具有高增益和低饱和电压。

文件类型: PDF 大小:69 KB

FJV42是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN高压晶体管，其最大集电极-发射极电压为350V，最大集电极-发射极电流为500mA，最大集电极-基极电流为100uA，最大发射极-基极电压为6V，最大集电极功率耗散为350mW。

文件类型: PDF 大小:98 KB

FJV992是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款PNP型硅晶体管，其最大集电极-发射极电压为-120V，最大集电极-基极电压为-120V，最大发射极-基极电压为-5V，最大集电极电流为-50mA，最大集电极功耗为300mW，最大结温为150°C，最大储存温度为-55~150°C。

文件类型: PDF 大小:76 KB

FJX1182是Fairchild Semiconductor Corporation生产的低频功率放大器，其最大集电极-基极电压为-35V，最大集电极-发射极电压为-30V，最大发射极-基极电压为-5V，最大集电流为-500mA，最大集电极功耗为150mW，最大结温为150°C，存储温度范围为-55~150°C。

文件类型: PDF 大小:45 KB

FJX2222A — NPN Epitaxial Silicon Transistor 是 Fairchild Semiconductor 生产的 600 mA NPN Epitaxial Silicon Transistor，最大集电极-发射极电压为 40V，最大集电极功耗为 325 mW。

文件类型: PDF 大小:160 KB

FJX2907A是Fairchild Semiconductor生产的PNP型三极管，其最大集电极-发射极电压为-60V，最大集电极-基极电压为-60V，最大发射极-基极电压为-5V，最大集电极电流为-600mA，最大集电极功耗为325mW，最大存储温度为150°C。

文件类型: PDF 大小:41 KB

FJX3904是一款NPN外延硅晶体管，用于通用目的。它具有60V的集电极-基极电压，40V的集电极-发射极电压和6V的发射极-基极电压。它还具有200mA的集电极电流和350mW的集电极功耗。

文件类型: PDF 大小:131 KB

本文档介绍了FJX3906 PNP外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性。它提供了集电极-基极电压、集电极-发射极电压、发射极-基极电压、集电流、集电功耗和存储温度的最大额定值。此外，还提供了集电极-基极击穿电压、集电极-发射极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极截止电流、直流电流增益、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压、电流增益带宽积、输出电容、噪声系数、开启时间和关闭时间的电气特性。

文件类型: PDF 大小:42 KB

该文件介绍了FJX733 PNP外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性，包括电压、电流、功率等参数。该晶体管适用于低频放大器应用。

文件类型: PDF 大小:48 KB

FJX945是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型硅晶体管，具有高集电极-基极电压VCBO=60V和高电流增益带宽积fT=300MHz（典型）的特点。

文件类型: PDF 大小:50 KB

该产品是一款PNP音频频率低噪声放大器，具有高压、高hFE等特点。

文件类型: PDF 大小:212 KB

该文件是FMB100的规格书，介绍了该产品的特性和参数

文件类型: PDF 大小:51 KB

FMBA06是Fairchild Semiconductor生产的一款NPN多芯片通用放大器。其绝对最大额定值为：集电极-发射极电压为80V、集电极-基极电压为80V、发射极-基极电压为4.0V、集电极电流为500mA、工作温度范围为-55到+150°C。

文件类型: PDF 大小:58 KB