Fairchild说明书大全

FAIRCHILD FDP8870 N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 156A, 4.1mΩ 数据手册

FDP8870是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道MOSFET,额定电压为30V,额定电流为156A,其特点是导通电阻低(4.1mΩ),开关速度快

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FAIRCHILD FDP8030L/FDB8030L N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 数据手册

这份文件介绍了一款N沟道逻辑电平功率MOSFET,专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC / DC转换器的整体效率而设计。这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的门电荷,比其他具有相似RDS(on)规格的MOSFET更容易和更安全地驱动(即使在非常高的频率下),并且具有更高的整体效率。

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FAIRCHILD FDP75N08 75V N-Channel MOSFET 数据手册

该文档介绍了Fairchild半导体公司生产的FDP75N08 75V N-Channel MOSFET的特点和特性,包括75A的电流、0.011Ω的RDS(on)、低栅极电荷和低Crss等。

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FAIRCHILD FDP7045L/FDB7045L 数据手册

该文档是关于FDP7045L和FDB7045L两个型号MOSFET产品的参数信息

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FAIRCHILD FDP7030BL/FDB7030BL N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 数据手册

FDP7030BL/FDB7030BL N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款低RDS(ON)、低门极电荷、高开关速度的N沟道逻辑级MOSFET,采用TO-220 FDP系列和TO-263AB FDB系列封装。

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FAIRCHILD FDP7030L / FDB7030L 数据手册

FDP7030L和FDB7030L是Fairchild生产的高密度DMOS N通道逻辑级增强型功率场效应晶体管。这些器件非常适合低压应用,如DC/DC转换器和开关电源。

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FAIRCHILD FDP6670S/FDB6670S 数据手册

FDP6670S/FDB6670S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET™是Fairchild Semiconductor Corporation发布的具有低RDS(ON)和低门极电荷的30V MOSFET,适用于同步DC:DC电源中作为低侧开关。

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FAIRCHILD FDP6676S / FDB6676S 数据手册

该文档为FDP6676S/FDB6676S的数据手册,介绍了该产品的特点特性,包括产品型号、封装、引脚、典型应用电路、特性参数等。

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FAIRCHILD FDP6690S/FDB6690S 数据手册

FDP6690S/FDB6690S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET™ 是用于同步 DC:DC 电源的 N 沟道 MOSFET,该 MOSFET 设计用于最大限度地提高功率转换效率,提供低 RDS(ON) 和低栅极电荷。

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FAIRCHILD FDP6670AS/FDB6670AS 数据手册

FDP6670AS/FDB6670AS 30V N-Channel PowerTrench® SyncFET™是一种用于同步DC:DC电源的MOSFET。它通过提供低RDS(ON)和低栅极电荷,最大限度地提高电源转换效率。

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FAIRCHILD FDP6670AL/FDB6670AL 数据手册

FDP6670AL/FDB6670AL是一款逻辑级MOSFET,具有快速开关和低栅极电荷的特点,非常适合设计高效率的DC/DC电源。

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FAIRCHILD FDP6644S/FDB6644S 数据手册

该文件介绍了一种30V N沟道功率MOSFET,该MOSFET设计用于在同步DC:DC电源中替代单个MOSFET和并联的肖特基二极管。它具有低RDS(ON)和低栅极电荷,可最大限度地提高功率转换效率。此外,该MOSFET还包括一个使用Fairchild的单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。

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FAIRCHILD FDP6644/FDB6644 数据手册

本文件是关于FDP6644/FDB6644 30V N-Channel PowerTrench MOSFET的技术手册。该器件具有50A、30V、RDS(ON) = 8.5 mΩ @ VGS = 10 V、RDS(ON) = 10.5 mΩ @ VGS = 4.5 V、低栅极电荷(27 nC 典型值)、快速开关速度、高性能沟槽技术,用于极低 RDS(ON) 的DC/DC电源设计。

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FAIRCHILD FDP61N20 数据手册

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FAIRCHILD FDP603AL / FDB603AL 数据手册

FDP603AL/FDB603AL是Fairchild生产的N通道逻辑级增强模式功率场效应晶体管,具有极低的RDS(ON),最大结温为175°C。

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FAIRCHILD FDP6035L/FDB6035L 数据手册

FDP6035L/FDB6035L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种低压应用的N沟道逻辑级增强型功率场效应晶体管,其特点是低导通电阻,快开关速度,低线损和抗瞬变性

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FAIRCHILD FDP6035AL/FDB6035AL 数据手册

FDP6035AL/FDB6035AL N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款N沟道逻辑级MOSFET,它具有48 A,30 V RDS(ON) = 12 mΩ @ VGS = 10 V,RDS(ON) = 14 mΩ @ VGS = 4.5 V,Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature,High performance trench technology for extremely low RDS(ON),175°C maximum junction temperature rating等特点。

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FAIRCHILD FDP6030L / FDB6030L 数据手册

FDB6030L是Fairchild生产的N通道逻辑级增强型功率场效应晶体管,具有低栅极电荷(典型值为34 nC)、低Crss(典型值为175 pF)和快速开关速度。该器件适用于需要快速开关、低在线功耗和抗瞬态干扰的低压应用,如DC/DC转换器和高效开关电路。

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FAIRCHILD FDP6030BL/FDB6030BL 数据手册

FDP6030BL/FDB6030BL是一种N沟道逻辑电平功率场效应晶体管,具有40A、30V的特点。它采用高性能沟道技术,具有极低的导通电阻。具有175°C的最大结温额定值。

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