飞利浦说明书大全
philips PBSS5140U 40 V low VCEsat PNP transistor 数据手册
该文档介绍了PBSS5140U 40 V低VCEsat PNP晶体管的特点和特性，包括低集电极-发射极饱和电压、高电流能力、降低热量生成、在SOT323（SC-70）塑料封装中的PNP低VCEsat晶体管。
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philips PBSS5140T 40 V low VCEsat PNP transistor 数据手册
PBSS5140T是飞利浦半导体推出的一种低Vcesat PNP晶体管，具有低集电极-发射极饱和电压、高电流能力和低发热的特点。该晶体管可用于通用开关和静音、LCD背光、电源线开关电路等应用。
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philips PBSS5140S 40 V low VCEsat PNP transistor 数据手册
PBSS5140S是飞利浦公司的一款低压饱和电压PNP晶体管，具有高功耗（830毫瓦）、超低集电极-发射极饱和电压、1安连续电流、高电流开关等特点。
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philips PBSS5140D 40 V low VCEsat PNP transistor 数据手册
该文件介绍了PBSS5140D型号的40V低VCEsat PNP晶体管的特点和应用领域。
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philips PBSS5120T 20 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 数据手册
PBSS5120T是菲利普半导体公司推出的一款PNP BISS晶体管，具有超低VCEsat和RCEsat参数。该晶体管适用于电源管理、DC/DC转换、供电线切换、电池充电器、LCD背光等应用。
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philips PBSS4540Z NPN medium power transistor 数据手册
该文件介绍了一种NPN中功率晶体管PBSS4540Z的初步规格。该晶体管具有高电流（最大10A）、低电压（最大40V）和低VCEsat的特点。适用于重型便携设备（汽车、电信和音视频）和低电源电压集成电路应用等领域。
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philips PBSS4540X 40 V, 5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 数据手册
PBSS4540X是一款高hFE和低VCEsat的NPN低VCEsat晶体管，具有高集电极电流能力(IC最大4A)和高效率，降低了发热量。适用于中功率外围驱动器(如风扇和电机)、DSC和手机的闪光灯单元、TFT显示器的逆变应用、LAN和ADSL系统的电源开关、中功率DC-DC转换和电池充电器。
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philips PBSS4520X 20 V, 5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 数据手册
PBSS4520X是Philips Semiconductors生产的一款NPN低Vcesat (BISS)晶体管，其特点是高hFE和低Vcesat，最高电流为5A，高效率，低热量
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philips PBSS4480X 80 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 数据手册
PBSS4480X是一款高hFE和低VCEsat的NPN低VCEsat（BISS）晶体管，具有高电流能力和高效率。它适用于中功率外围驱动器、闪光灯单元、逆变器、电源开关、中功率DC-DC转换和电池充电器等应用。
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philips PBSS4250X 50 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 数据手册
该数据表提供了50V，2A NPN低VCEsat（BISS）晶体管PBSS4250X的特性、应用、描述、引脚、参数等信息。
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philips PBSS4320T 20 V low VCEsat NPN transistor 数据手册
PBSS4320T是一款20V低VCEsat NPN晶体管，具有低的集电极-发射极饱和电压VCEsat和相应的低RCEsat，高集电极电流能力，高集电极电流增益以及降低热量产生带来的改进效率等特点。
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philips PBSS4320X 20 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 数据手册
PBSS4320X是PHILIPS生产的一款低VCEsat（BISS）型号的NPN晶体管，其特点是SOT89（SC-62）封装，低饱和压降，高效率，低发热，适用于驱动功率转换器，电池充电器，LCD背光等应用
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philips PBSS4330X 30 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 数据手册
PBSS4330X是一款30V、3A的NPN低VCEsat (BISS)晶体管。它具有低饱和压降、高集电极电流能力、更高的效率以及减少的PCB需求。
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philips PBSS4350D NPN transistor 数据手册
PBSS4350D是一款NPN型晶体管，具有高电流能力和低VCEsat特性。适用于重型电池供电设备（汽车、通信和音视频）以及VCEsat关键应用。可用于各种电池驱动设备以节省电池功耗。
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philips PBSS4350S 50 V low VCEsat NPN transistor 数据手册
该文件是关于PBSS4350S型50V低VCEsat NPN晶体管的产品说明书。该晶体管具有高功率耗散、超低集电极-发射极饱和电压、3A连续电流和高电流开关等特点。适用于中功率开关、线性稳压器、DC/DC转换器、供电线路开关电路、电池管理应用、闪光灯单元和重型电池供电设备等应用。
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philips PBSS4350SA 50 V low VCEsat NPN transistor 数据手册
本文档介绍了PBSS4350SA型号的低VCEsat NPN晶体管的特点和特性，包括低饱和电压VCEsat和相关的等效电阻RCEsat、高集电极电流能力IC和ICM、高集电极电流增益hFE以及更高效率的热量生成等。该晶体管适用于低中功率DC/DC转换器、低电压调节(LDO)、MOSFET驱动器、供电线开关和电池充电器等应用。
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philips PBSS4350T 50 V low VCEsat NPN transistor 数据手册
该文档介绍了PBSS4350T型号的50V低VCEsat NPN晶体管的特点和特性，包括低集电极-发射极饱和电压VCEsat和相应的低等效电阻RCEsat，高集电流能力，高集电流增益以及由于降低热量而提高的效率。该晶体管适用于功率管理应用、低功率和中功率直流/直流变换器、供电线开关、电池充电器以及低压降（LDO）的线性电压调节。
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philips PBSS4240Y 40 V low VCEsat NPN transistor 数据手册
PBSS4240Y是一款高性能的40V低Vcesat NPN晶体管。它具有低收集器-发射极饱和电压、高电流能力和增强的性能。它广泛应用于电源线切换电路、电池管理应用、DC/DC转换器应用、闪光灯单元和重型电池供电设备(电动机和灯驱动器)。
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