ST说明书大全
ST AN3161 Application note 数据手册
本应用笔记介绍了如何在高功率应用中并联使用STGW35HF60WD 35 A、600 V超快PT IGBT,并介绍了这种器件的特性。
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ST AN3232 Application note 数据手册
本应用笔记主要介绍了STAC® boltdown封装的STAC244B和STAC265B(带法兰)封装和STAC244F和STAC265F(无法兰)封装的封装技术,以及这些封装在放大器或应用电路板(PCB)中的安装方法。
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ST AN3267 Application note 数据手册
本应用笔记介绍了功率MOSFET栅极驱动电压对单相同步降压转换器电源管理和开关行为的影响,并通过OrCAD®仿真和台架测试结果对不同功率MOSFET栅极-源极电压对转换器效率和主电路节点波形的影响进行了详细分析。
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ST AN3973 Application note 数据手册
该文档介绍了使用STD3N62K3功率MOSFET和STD845DN40 BJT器件的电子镇流器的应用。该电子镇流器具有主动功率因数校正(PFC),谐波失真(THD)和电效率方面的优化。
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ST AN3994 Application note 数据手册
本文介绍了STMicroelectronics的MDmesh™ V系列超结技术,该技术在给定封装中提供了极低的RDS(on)值,无法在标准HV MOSFET中获得。此外,超结MOSFET在瞬态方面非常快速,当更高性能的技术替换旧版本时,可能会出现一些问题。本文对ST超结MOSFET系列的两个主要组成部分(MDmesh™ II和MDmesh™ V)进行了分析和比较,包括能量损耗、电压和电流率。同时还专门讨论了布局寄生效应及其对MOSFET行为的影响。最后得出结论,布局在管理非常快速的瞬态时至关重要,必须仔细规划,以帮助MOSFET发挥其最佳潜力。
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ST AN4016 Application note 数据手册
本应用笔记介绍了一种2 kW-100 V、123 MHz类AB峰值功率放大器(PPA)的设计,该放大器用于3 Tesla MRI应用。它几乎是以前使用标准陶瓷封装的MOSFET晶体管的放大器的输出功率的两倍。设计技术和构造实践进行了详细描述,以允许放大器的复制。
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ST AN2686 Application note 数据手册
该文档介绍了液晶显示屏的一般原理和闪烁的原因,并提出了使用STVM100(LCD VCOM校准器)自动最小化闪烁的解决方案。
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ST AN3110 Application note 数据手册
本应用笔记简要介绍了电子纸(e-paper)的基本原理,以便用户了解精确设定VCOM电压的必要性以及如何使用STMV100 VCOM校准器完成这一目标。
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ST AN392 Application note 数据手册
本文档介绍了使用微控制器(MCU)和晶闸管控制器(TRIAC)构建的两种不同的应用:通用电机驱动和灯光调光器。
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ST AN303 Application note 数据手册
该应用笔记介绍了晶闸管 (SCR) 和晶闸管 (TRIAC) 的门控电流 (IG) 和保持电流 (IL) 的概念。还提供有关测量 IG 和 IL 的步骤,以及有关 IL 与工作条件和设备灵敏度变化的说明。
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ST AN307 APPLICATION NOTE 数据手册
本文主要介绍了使用晶闸管控制交流电源时,电路中可能会发生的现象,以及如何通过控制晶闸管的触发方式来避免这些现象,从而保证电路正常工作。
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ST AN308 APPLICATION NOTE 数据手册
AN308是ST发布的Application Note,介绍了如何使用TRIAC控制电感性负载,包括了不同控制方式的介绍和分析,最后给出了一种简单的可靠的控制电路
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ST AN440 Application note 数据手册
该文件介绍了一种使用正电源的系统中实现对第二和第三象限TRIAC触发的触发电路。通过添加电容器和二极管,新的系列TRIAC可以取代传统的TRIAC。
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ST AN442 Application note 数据手册
本文介绍了如何连接ST的触发二极管(triac)和微控制器(microcontroller),并提出了一种新的解决方案,该解决方案通过改进触发二极管的灵敏度和微控制器的输出能力,实现了不需要缓冲晶体管的简单连接。
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ST AN533 Application note 数据手册
本文介绍了关于半导体器件的热管理预防措施,包括如何计算适合的散热器和处理、安装和焊接技术的注意事项。
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