ST说明书大全
ST ST5R00 SERIES MICROPOWER VFM STEP-UP DC/DC CONVERTER 数据手册
ST5R00系列是STMicroelectronics公司的一款低功耗升压DC/DC转换器,输入电压范围宽,输出电压可调,可用于电池供电设备中。
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ST SMP50-xxx 数据手册
SMP50-xxx系列是一种双向防护电流限制器,适用于保护电信设备免受由交流电源线引起的雷击和瞬态干扰。其特点包括电压范围从62V到270V,低电容从15pF到30pF(在50V时),低漏电流(最大IR = 2µA),保持电流(最小IH = 150mA)和重复峰值脉冲电流(IPP = 50A)。
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ST SMAJ5.0A-TR,CA-TR Data Sheet
该文件介绍了SMAJ系列TRANSILTM二极管的特点和特性,包括峰值脉冲功率、耐压范围、单向和双向类型、低压降系数、快速响应时间等。
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ST uPSD3234A, uPSD3234BV, uPSD3233B, uPSD3233BV 数据手册
uPSD3234A/B、uPSD3233B/BV是快闪可编程系统器件,内置8032微控制器核心和64 kbit SRAM。
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ST STP6NC80Z - STP6NC80ZFP STB6NC80Z - STB6NC80Z-1 N-CHANNEL 800V - 1.5Ω - 5.4A TO-220/FP/D²PAK/I²PAK Zener-Protected PowerMESH III MOSFET 数据手册
STP6NC80Z/FP是STMicroelectronics公司生产的一款N沟道MOSFET。它具有800V的最大漏源电压、1.5Ω的典型漏源电阻和5.4A的最大连续漏源电流。该器件采用TO-220/FP/D²PAK/I²PAK封装。
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ST STP20NK50Z - STW20NK50Z STB20NK50Z - STB20NK50Z-S N-CHANNEL 500V -0.23Ω- 17A TO-220/D2 PAK/I 2 SPAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH MOSFET 数据手册
STB20NK50Z/STW20NK50Z是一款500V/17A的N通道MOSFET,具有极低的开关损耗和非常好的dv/dt能力,适用于各种高频开关电源应用。
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ST STV9432TAP 数据手册
该文件介绍了一款正在开发或评估中的新产品。该产品是一种多功能显示屏,包括屏幕大小和居中自动设置功能,可测量水平同步信号、垂直同步信号和视频定时信号,并具有高频率PLL以实现无抖动的显示。它还具有可编程ROM和RAM,用于显示自定义字符和文本。该产品还具有I2C总线MCU接口和PWM DAC输出等特性。
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ST STS8NF30L 数据手册
STS8NF30L是STMicroelectronics公司生产的一款低压大电流的N沟道功率MOS管,其最大电压为30V,最小导通电阻为0.018欧姆,封装形式为SO-8。
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ST STLC1511 数据手册
stlc1511是st公司推出的一款新型宽动态范围的模拟前端芯片,它采用14位nyquist速率da转换器和可编程增益放大器,支持0~-32db的传输增益和0~40db的接收增益,集成了锁相环和lc或晶体振荡器,功耗低,仅为300mw。
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ST AM83135-015 DATA SHEET
AM83135-015是安森美半导体推出的一款高功率S波段NPN射频晶体管,适用于脉冲输出和驱动应用。该晶体管具有100微秒脉宽和10%的占空比,但能够在各种脉宽、占空比和温度范围内工作,并且能够承受3:1输出VSWR和+1dB的输入过载。AM83135-015采用IMPAC™金属/陶瓷封装,内置输入/输出阻抗匹配电路,适用于军事和其他高可靠性应用。
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ST 74LX1G126 数据手册
74LX1G126是一款低压CMOS单总线缓冲器,采用亚微米硅栅极和双层金属互连C2MOS技术制造。3状态控制输入G必须设置为低电平,以将输出置于高阻状态。所有输入都具有掉电保护,并且可以从0到7V接收输入,而不管电源电压如何。此设备可用于接口5V到3V。所有输入和输出都配备了防静电保护电路。
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ST M68AW127B 数据手册
M68AW127B 1Mbit (128K x8), 3.0V Asynchronous SRAM 是 3.0V 的异步 SRAM,具有低功耗和低电压数据保持特性。它具有 128K x 8 位、低待机电流和等效周期和访问时间。
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ST M54/74HC292/7292, M54/74HC294/7294 数据手册
54/74HC292/7292 M54/74HC294/7294 是高速度 CMOS PROGRAMMABLE DIVIDER/TIMER ,采用 C2MOS 工艺制造,实现了高性能、低功耗。
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ST M28256 数据手册
M28256 256 Kbit (32Kb x8) Parallel EEPROM with Software Data Protection 是一款低功耗并行 EEPROM,具有 64 字节页写操作,支持 5V 和 3V 供电,使用 ST Microelectronics 专有的双多晶硅 CMOS 技术。
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ST M27C4001 数据手册
M27C4001是一款4 Mbit的EEPROM芯片,可通过紫外线擦除(UV)或一次性编程(OTP)两种方式操作。该芯片适用于需要大程序的微处理器系统,每个芯片有524,288个8位的存储单元。具有低功耗,供电电压为5V ± 10%,读取操作的访问时间为35ns。
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ST L9822E 数据手册(1)
L9822E是八通道低侧继电器驱动器,采用多功率BCD技术,特别适合驱动灯泡、继电器和电磁阀,内部集成了36V钳位和短路保护,还具有低功耗和串行输入数据功能
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ST L6919E 数据手册
该文件介绍了一款用于高电流微处理器的高性能DC/DC转换电源控制器。该设备实现了具有每个相位之间180°相移的双相降压控制器。精确的5位数字到模拟转换器(DAC)允许通过管理即时VID代码更改将输出电压从0.800V调整到1.550V,步长为25mV。高精度内部参考确保所选的输出电压在±0.6%范围内。高峰值电流门极驱动器可实现与外部功率MOS的快速开关,从而降低开关损耗。该设备可以快速保护负载过流和过/欠载。
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ST ST1S03 data sheet
ST1S03是一个降压DC-DC转换器,优化用于在HDD应用中为低电压数字核心供电,并且通常在功耗可能导致应用环境过热时替代高电流线性解决方案。它在输入电压范围为3V到16V之间提供高达1.5A的输出电流。高开关频率(1.5MHz)允许使用微型表面贴装元件:除了电阻分压器来设置输出电压值之外,只需要一个电感、一个肖特基二极管和两个电容。此外,通过电流模式PWM拓扑和低ESR SMD陶瓷电容的使用,可以保证低输出纹波。该器件具有热保护和电流限制功能,以防止因意外短路而造成损坏。ST1S03可在DFN6封装中获得。
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ST SMP100LC DATA SHEET
本文件介绍了SMP100LC系列低电容瞬态浪涌保护器,该系列保护器具有双向防护,电压范围从8V到400V,低电容从20pF到45pF,漏电流为IR = 2µA max,保持电流为IH = 150 mA min,重复峰值脉冲电流为IPP = 100 A (10/1000µs)。这些产品广泛应用于对雷电及功率交叉敏感的设备中,如通信设备、数据通信设备、音视频设备等。
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ST PSD5XX ZPSD5XX 数据手册
PSD5XX/ZPSD5XX是低成本的可编程微控制器外围设备,具有单供电电压、高达1Mbit的UV EPROM、高达16Kbit的SRAM、输入锁存器、可编程I/O端口、页逻辑和可编程安全性。
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