NPN说明书大全
NPN BC 337 / BC 338 General Purpose Transistors 数据手册
BC 337 / BC 338 是通用硅NPN晶体管，封装采用TO-92，塑料外壳，UL94V-0 认证。
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NPN BC 817 / BC 818 General Purpose Transistors 数据手册
BC 817 / BC 818 是德国西门子公司生产的通用用途三极管，集电极极电流为 800 mA，发射极极电流为 200 mA，其特点是功耗小，功率损耗为 310 mW，封装类型为 SOT-23 塑料外壳。
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NPN BCV27, BCV47 Darlington Transistors 数据手册
BCV27, BCV47是NPN型硅基平面达林顿晶体管，封装形式为SOT-23，功耗为250mW，最大集电极-发射极电压为30V或60V，最大集电极-基极电压为40V或80V，最大发射极-基极电压为10V。
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NPN BCW 65, BCW 66 General Purpose Transistors 数据手册
该文档介绍了BCW 65和BCW 66型号的通用NPN表面贴装晶体管的特点和特性。这些晶体管具有250mW的功率耗散和800mA的直流集电极电流。它们适用于在电路板上进行表面贴装。
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NPN General Purpose Transistors BCW 60 数据手册
BCW60是施耐德电气的一种表面贴装型NPN三极管，功耗为250毫瓦，封装为SOT-23。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVU012 数据手册
该文件介绍了Advanced Semiconductor公司的电子元器件产品ASITVU012的特性和特点，包括BVCEO、BVCER、BVEBO、ICES、hFE等参数。该产品是一种NPN硅射频功率晶体管，适用于860MHz频率，具有输入匹配网络和Omnigold™金属化系统。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVU014 数据手册
ASI TVU014是一款NPN硅RF功率晶体管，其特点包括Omnigold™金属化系统、最大电流2 x 2.6 A、最大电压45 V、最大功率65 W、最大工作温度范围-65 °C至+200 °C、最大存储温度范围-65 °C至+150 °C、热阻2.5 °C/W。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVU020 数据手册
该文件介绍了ADVANCED SEMICONDUCTOR, INC.（ASI）的TVU020型号NPN硅射频功率晶体管的特性和特点。该晶体管具有输入匹配网络和Omnigold™金属化系统。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVU100 数据手册
该文件介绍了ASI TVU100型号的NPN硅射频功率晶体管的特性和特点，包括电流、电压、功率、频率等参数。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVU150 数据手册
该文档介绍了Advanced Semiconductor公司的TVU150型号的特点和特性。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVV005 数据手册
本文件是ASI TVV005数据表，介绍了该产品的特点特性，包括最大电流、最大电压、最大功率、最大工作温度等。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVV007 数据手册
该文件介绍了ASI TVV007型号的特点和特性，包括最大额定值、引脚布局和尺寸。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVV010 数据手册
ASI TVV010 是一款 NPN 硅 RF 功率晶体管，最大电流为 10A，最大电压为 60V，最大功耗为 140W。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVV014 数据手册
该文件介绍了ASI TVV014型号的NPN硅射频功率晶体管的特性和性能。该晶体管具有最大电流和电压等级，适用于高频应用。其特点包括Omnigold™金属化系统和最大功率耗散能力。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVV014A 数据手册
该PDF文件是关于ASI TVV014A数据表，介绍了该产品的特点特性，如BVCEO、BVCER、BVEBO、ICES、hFE、PG、IMD1等。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVV020 数据手册
这是一份关于Advanced Semiconductor公司的产品ASITVV020的规格说明书。该产品是一种NPN硅射频功率晶体管，具有最大8.0A的工作电流和最大140W的功耗。它采用了Omnigold™金属化系统，具有优异的性能和特性。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVV030 数据手册
本文件为ASI TVV030的特性参数表，主要介绍了该器件的最大电流、最大电压、最大功耗、最大工作温度等参数。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVV030A 数据手册
该数据表格列出了ASI TVV030A的特性，包括BVCBO、BVCER、BVCEO、BVEBO、hFE、COB、PG、IMD1等。
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