NPN说明书大全
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVV100 数据手册
这是一款NPN硅RF功率晶体管，其特点是输入匹配网络和Omnigold™金属化系统。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR UFT15-28S 数据手册
UFT15-28S是ASI公司设计的NPN硅功率晶体管，具有Omnigold™金属化系统，最大额定电流为10A，最大额定电压为60V和35V，最大功耗为140W。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR UFT30-28 数据手册
UFT30-28是用于Class A和B功率放大器设计的硅RF功率晶体管，工作频率可达500MHz。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR TVU004 数据手册
该文档介绍了ASI TVU004型号的特点和特性，包括最大电流、最大电压、最大功率等参数。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF20-12S 数据手册
该文件介绍了ASI HF20-12S型号的特点和特性，具有18 dB最小的功率增益，20 W/30 MHz时的最大-30 dBc IMD3，以及Omnigold™金属化系统。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF50-12F 数据手册
HF50-12F是ASI公司设计的一款NPN硅RF功率晶体管，其特点是PG = 16 dB min. at 50 W/30 MHz，IMD3 = -30 dBc max. at 30 W(PEP)，并采用了Omnigold™金属化系统
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF50-12S 数据手册
该文档介绍了ASI HF50-12S型号的NPN硅射频功率晶体管的特点和特性，包括最大额定电流、最大额定电压、最大额定功耗等。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF100-12 数据手册
ASI HF100-12是一款NPN硅RF功率晶体管，其特点是： * PG=12 dB min. at 100 W/30 MHz。 * IMD3=-30 dBc max. at 100 W(PEP)。 * Omnigold™ Metalization System。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF8-28F 数据手册
ASI HF8-28F 是一款 NPN 硅射频功率晶体管，其特点是： PG 为 21 dB 最小，在 8 W/30 MHz，IMD3 为 -30 dBc 最大，在 8 W(PEP) 时。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF8-28S 数据手册
该文件介绍了ASI HF8-28S型号的特点和特性，包括电压和电流等参数。该产品具有高功率、低失真等特点。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF10-12F 数据手册
ASI HF10-12F是NPN硅RF功率晶体管，最大电流为4.5 A，最大电压为36 V和18 V，最大功率为80 W。它具有20 dB min. at 10 W/30 MHz的PG和-30 dBc max. at 10 W(PEP)的IMD3。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF5-12S 数据手册
HF5-12S是ASI公司生产的一款NPN硅RF功率晶体管，具有PG = 20 dB min. at 5 W/30 MHz和IMD3 = -30 dBc max. at 5 W(PEP)等特点
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF5-12F 数据手册
该文档介绍了ASI HF5-12F型号的NPN硅射频功率晶体管的特性和参数。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR FMB175 数据手册
该文件是关于Advanced Semiconductor公司的FMB175 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR的规格说明。该产品具有65V的BVCO、36V的VCEO、4.0V的VEBO和20A的IC等特点。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR FMB150 数据手册
该文件是ASI FMB150的规格书，介绍了该产品的特点特性，包括最大电流、最大电压、最大功率等。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR FMB075 数据手册
该文件是关于Advanced Semiconductor Inc.（高级半导体公司）的产品规格。文档中介绍了NPN硅射频功率晶体管FMB075的特点和特性。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR CBSL150 数据手册
CBSL150是用于900MHz类AB蜂窝基站放大器的NPN硅射频功率晶体管。它具有以下特点：内部输入/输出匹配、PG = 9.0 dB典型值在150W/900MHz时、Omnigold™金属化系统。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR CBSL100 数据手册
CBSL100是ASI公司生产的一款功率晶体管，具有输入匹配网络和Omnigold金属化系统，最大电流25A，最大电压60V，最大功率310W。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR CBSL60B 数据手册
该文件是ASI CBSL60B的datasheet，介绍了该产品的特点特性，包括BVCBO、BVCEO、BVEBO、IC、VCBO、VCEO、VEBO、PDISS、TJ、TSTG、θθJC等参数。
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR CBSL30 数据手册
该数据表提供了CBSL30的特性参数，包括BVCBO、BVCER、BVCEO、BVEBO、ICBO、hFE、COB、PG、IMD3、VSWR1、VSWR2、OVD等。
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