intersil说明书大全
intersil ISL6425 数据手册
ISL6425是一种高度集成的解决方案，用于从先进的卫星机顶盒（STB）模块向低噪声块（LNB）提供电源和控制信号。该设备由电流模式提升PWM和低噪声线性稳压器组成，以及用于I2C设备接口和向LNB提供DiSEqC标准控制信号的电路。在先进的卫星STB应用中，输出端子（VOUT）上可提供稳压输出电压以支持天线端口的操作。通过使用I2C总线上的电压选择命令（VSEL），可以将稳压输出设置为13V或18V。此外，为了补偿同轴电缆中的电压降，可以使用线长补偿（LLC）功能将电压增加1V。在I2C总线上发送的使能命令可用于控制PWM和线性组合的待机模式，禁用输出以节省电源。电流模式升压转换器为线性稳压器提供输入电压，该电压设置为所需的输出电压加1.2V（典型值），以确保最小功耗。这保持了线性通过元件的恒定电压降，同时允许足够的电压范围进行音调注入。该设备能够提供750mA（典型值）。
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intersil ISL6423B 数据手册
ISL6423B是一种高度集成的电压调节器和接口集成电路，专为将电源和控制信号从先进的卫星机顶盒（STB）模块供应到单天线端口的低噪声块（LNB）而设计。该设备由一个电流模式升压PWM和一个低噪声线性调节器组成，以及所需的用于22kHz音调生成、调制和I2C设备接口的电路。该设备使整个LNB供应设计简单、高效、紧凑，外部元件数量少。电流模式升压转换器提供线性调节器的输入电压，该电压设置为最终输出电压，再加上通常为0.8V，以确保每个线性调节器的最小功耗。这在允许音调注入的同时，保持线性传导元件上的恒定电压降。最终调节的输出电压可在输出端子上获得，以支持单个调谐器的天线端口的操作。每个PWM的输出可以通过I2C的VTOP和VBOT位进行全面控制，或者将I2C设置为较低范围（即13V/14V），并使用SELVTOP引脚切换到较高范围（即18V/19V）。该IC上的所有功能都通过将8位字写入系统寄存器（SR）来通过I2C总线进行控制。相同的寄存器可以重复使用。
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intersil ISL6423 数据手册
ISL6423是一款高度集成的电压调节器和接口IC，专为向单天线端口的低噪声块（LNB）提供电源和控制信号而设计。该器件由电流模式升压PWM和低噪声线性调节器组成，以及所需的22kHz音调生成、调制和I2C设备接口电路。该器件使得整个LNB供电设计简单、高效、紧凑，外部组件数量少。电流模式升压转换器提供的输入电压由设置为最终输出电压的值加上通常为0.8V，以确保在线性调节器上的最小功耗。这样可以在线性通过元件上保持恒定的电压降，并允许足够的电压范围进行音调注入。最终调节的输出电压可在输出端口上提供，以支持单调谐器的操作。每个PWM的输出可以通过I2C的VTOP和VBOT位进行全控制，也可以将I2C设置为较低范围（即13.3V/14.3V），并使用SELVTOP引脚切换到较高范围（即18.3V/19.3V）。该IC上的所有功能都通过向系统寄存器（SR）写入8位字来进行I2C总线控制。
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intersil ISL6111 数据手册
ISL6111是一个用于PCI和PCI-X应用的电源开关控制器，可提供对主板的保护，防止异常的PCI负载卡。它能控制PCI或PCI-X槽的四个电源供应（-12V，+12V，+5V，+3.3V），集成了+12V和-12V的电流感测和调节开关，提供了电流调节保护功能。
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intersil HIP1011B 数据手册
HIP1011B是一款电子断路器，用于监控、报告和保护电路免受过大负载电流的影响。它与HIP1011兼容，适用于CompactPCI外围板和PCI热插拔系统。
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intersil HIP1011A 数据手册
HIP1011A是Intersil推出的第二代PCI热插拔电压总线控制器。它是HIP1011的替代品，具有可调的MOSFET开关断开时间和故障报告功能。HIP1011A与HIP1011具有相同的外形、适配性和功能，通过离散功率MOSFET和少量被动元件可以实现简单的电源控制解决方案。它可以控制四个独立电源：+5V、+3.3V、+12V和-12V。+12V和-12V的开关已经集成。对于+5V和+3.3V电源，通过检测外部电流感应电阻上的电压来提供过流(OC)保护。对于+12V和-12V电源，内部提供OC保护。此外，使用片上参考电压来监测+5V、+3.3V和+12V输出的欠压(UV)条件。PWRON输入控制开关的状态。在任何输出发生OC条件或+5V、+3.3V或+12V输出发生UV条件时，FLTN输出置为低电平(0V)，并且所有MOSFET断开。FLTN信号变为低电平和MOSFET断开的时间由FLTN引脚到地之间的单个电容决定。这个附加功能允许系统操作系统完成对受影响卡片的未计划关闭的准备工作。当PWRON输入再次被切换为低电平时，FLTN锁存器被清除。在主VCC电源(+12V)初始上电期间
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intersil ISL6113 数据手册
ISL6113, ISL6114是针对PCI-Express Add-in卡热插拔应用的双插槽PCI-E热插拔控制器。每插槽配备一对N通道和P通道MOSFET，以及两个检测电阻，可为任何组合的两个PCI-Express X1、X4、X8或X16插槽提供兼容的热插拔电源控制。ISL6113, ISL6114具有可编程电流调节(CR)最大级别，可在可编程时间内对每个电压负载进行调节，从而提供故障隔离保护和电气瞬态不受影响。对于每个+12V电源，CR级别由电阻值设置，该电阻值取决于要供电的PCI-Express连接器(X1、X4、X8或X16)的需要。该电阻是一个低欧姆标准值电流检测电阻，每个插槽一个，该电阻两端的电压与50mV参考电压进行比较，以提供适当高于特定插槽最大限度的额定CR保护电平。3.3V电源使用15mΩ检测电阻与50mV参考电压进行比较，以提供3.3A的最大调节电流，用于所有插头尺寸。3.3VAUX被内部监控和控制，以提供额定最大1A的AUX输出电流。每个插槽的CR时间由关联的CFILTER引脚上的单独外部电容设置。一旦CR时间到期，IC就会快速关闭其相关的FET，从而卸载有故障的卡从电源电压轨道。始终必须在AUXI引脚上存在额定3.3V，以便对电源进行监控。
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intersil ISL6142/ISL6152 说明书
ISL6142/52 是 14 引脚、负电压热插拔控制器，可安全地插入或从活动回路上移除电路板。通过控制外部 N 通道通断晶体管的栅极电压，可将浪涌电流限制为可编程值。如果输入电压低于欠压阈值或高于过压阈值，则关闭通断晶体管。PWRGD/PWRGD 输出可直接用于启用电源模块。当门极和漏极电压都被视为正常时，输出将被锁定在活动状态。IntelliTripTM 电子断路器和可编程电流限制功能可保护系统免受短路。当超过过电流阈值时，在断路器跳闸并关闭 FET 之前，输出电流会被限制一段时间。通过连接到 CT 引脚的外部电容器，可以编程时间限制。如果故障在编程的时间限制之前消失，则恢复正常操作。此外，IntelliTripTM 电子断路器具有快速硬开关功能，可在电流达到过电流阈值时立即关闭 FET。
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intersil ISL6140/ISL6150 数据手册
ISL6140, ISL6150是Intersil公司生产的负电压热插拔控制器，该控制器可以让电路板安全地插入和移除活电背板。通过控制外部N通道开关管的门极电压，可以限制浪涌电流至一个可编程的值。如果输入电压低于欠压阈值或高于过压阈值，开关管将关闭。一个可编程的电子电路断路器可保护系统免受短路。ISL6140的PWRGD信号为低电平，ISL6150的PWRGD信号为高电平。
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intersil ISL6173 数据手册
ISL6173双低压热插拔控制器是一款双电压热插拔控制器，可在+2.5V至+3.3V(额定)偏置电源电压范围内进行双电压热插拔应用，第二个低压电源轨至低于1V。它具有驱动外部N通道MOSFET的充电泵、稳压电流保护和持续时间、输出欠压监视和报告、可选的锁定关闭或重试响应以及可调软启动。对于每个电源轨，电流调节级别(CR)由两个外部电阻设置，每个CR持续时间由TIM引脚上的外部电容设置。CR持续时间到期后，IC会快速拉低关联的GATE(s)输出，从而关闭其外部FET(s)。ISL6173提供锁存输出或无限自动重试工作模式。
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intersil ISL6161 数据手册
ISL6161是一款热插拔双供电分配控制器，可用于PCI-Express应用。它通过驱动两个外部N沟MOSFET来分配和控制电源，并提供负载故障隔离。在开机时，每个外部N沟MOSFET的栅极通过一个10微安的电流源进行充电。每个栅极上的电容（请参见典型应用图），创建一个可编程的斜坡（软开机），以控制浪涌电流。内建的电荷泵为12V供电的N沟MOSFET开关提供栅极驱动。通过两个外部电流感应电阻和场效应晶体管来实现过电流保护。当任一电阻上的电流超过用户设置的值时，控制器进入电流调节模式。超时电容CTIM在控制器进入超时周期时开始充电。一旦CTIM充电至2V阈值，两个N沟MOSFET将锁存关闭。在至少是设定电流限制级别的三倍的严重故障情况下，t
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intersil HIP1020 数据手册
HIP1020是一种单、双或三输出热插拔控制器，通过线性电压斜坡应用于3.3V、5V和12V MOSFET的栅极。内部电荷泵将12V偏置增加一倍或将5V偏置增加三倍，以提供使用更具成本效益的N通道MOSFET时所需的高侧驱动能力。内部控制的上升时间符合设备机架规格。如果需要较慢的速率，可以使用可选的外部电容器覆盖内部确定的上升时间。当VCC = 12V时，电荷泵将HGATE上的电压从零上升到22V，大约需要4ms。这允许标准或逻辑电平MOSFET作为12V电源控制的高侧开关时完全增强。LGATE上的电压从零上升到16V，同时控制3.3V和/或5V MOSFET。当VCC = 5V时，电荷泵进入三倍电压模式。HGATE上的电压在大约3ms内从零上升到12.5V，而LGATE上升到12.0V。该模式非常适用于在无12V偏置的情况下控制用于3.3V和5V电源开关的高侧MOSFET开关。
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