IXYS说明书大全

该文件是关于IXYS公司的产品技术信息，介绍了其特点和性能参数。该产品采用低RDS (on) HDMOSTM工艺，具有坚固的多晶硅栅电池结构，适用于电机控制、直流斩波器、开关电源、直流-直流转换器和线性稳压器等应用领域。

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IXTK 33N50是IXYS公司生产的一款大功率N沟道增强型MOSFET，其最大导通电流为33A，最大漏源电压为500V，开关速度快，应用于电机控制、DC斩波器、不间断电源供应(UPS)、开关电源和谐振电源等领域。

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IXTK 62N25是一款高电流N通道增强型MOSFET，具有低RDS(on)、坚固的聚硅栅极单元结构、国际标准封装、快速切换时间等特点，适用于电机控制、DC斩波器、开关电源等应用场合。

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IXTQ 82N25P是IXYS的一款N沟道增强型功率MOSFET，其特点是采用国际标准封装，具有无钳位感应开关(UIS)额定值，封装电感低，易于驱动和保护。

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ixth/ixtm 6 n80/6 n80a 是 ixys 生产的一款功率 mosfet，具有低 rds(on)、hdmostm 工艺、坚固的多晶硅栅极单元结构、低封装电感（<5 nH）等特点

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该文件介绍了IXYS的N沟道增强型MegaMOSTMFET产品的特点和特性，包括最大额定值、测试条件、特性数值等。

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该文件介绍了IXYS Corporation的MegaMOSTMFET N沟道增强型功率场效应晶体管的特点和特性。这款晶体管具有700V的最大耐压、15A的最大电流、0.45Ω的开态电阻、低RDS(on)值等。它适用于开关模式和谐振模式电源、电机控制、不间断电源等应用领域。

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该文件介绍了IXYS的一款P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Standard Power MOSFET（IXTH 16P20），具有国际标准封装、低RDS(on)、坚固的多晶硅栅极单元结构、无限电感开关（UIS）等特点。

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IXTH / IXTM 21N50 和 24N50 是 IXYS 公司的 MegaMOSTMFET N 沟道增强型 MOSFET，最大电压为 500 V，最大电流为 21 A 和 24 A，最大功率为 300 W。

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该文件介绍了IXTH 30N50型号的产品特点和特性。

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IXTH 35N30/40N30/40N30 MegaMOSTMFET N-Channel Enhancement Mode功率MOSFET器件，最大工作电压300V，最大电流35A/40A/40A，开关时间快，应用于开关电源、逆变器、电机驱动等领域。

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该文件介绍了IXYS公司的MegaMOSTMFET N-Channel Enhancement Mode产品的特点和特性，包括国际标准封装、低导通电阻、坚固的多晶硅栅电池结构、低封装电感、快速开关时间等。该产品适用于开关模式和谐振模式电源、电机控制、不间断电源和直流斩波器等应用。

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该文件介绍了IXYS公司的IXTH 50P10标准功率MOSFET产品的特点和特性，包括国际标准封装、低RDS(on)值、坚固的多晶硅栅电池结构、抗击穿能力强、低封装电感等。该产品适用于高侧开关、推挽放大器、直流斩波器、自动测试设备等应用领域，具有易于安装、节省空间和高功率密度的优点。

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5N100 和 5N100A 是 IXYS 生产的 N 沟道增强型标准功率 MOSFET，具有国际标准封装、低 RON、高可靠性等特点。该产品适用于开关模式和谐振模式电源、电机控制、不间断电源 (UPS) 和 DC 斩波器等应用。

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这份文件介绍了IXYS公司的高电流功率MOSFET产品。产品特点包括国际标准封装、3000V的隔离电压、低RDS（on）值、坚固的多晶硅栅结构、低漏极-壳体电容和低封装电感等。该产品适用于各种应用领域。

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IXTH 12N90是一款TO-247封装的N沟道增强型MOSFET，其最大电压为900V，最大电流为12A，开关时间快，适用于开关电源、逆变器等应用。

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本文件为IXTQ 110N055P的datasheet，主要介绍了该产品的最大电压、额定电流、漏极电流、栅极-源极电压、漏极-源极电压、栅极-源极电流、漏极-源极电阻等参数。

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该文件介绍了IXYS公司2005年生产的一款N-Channel Enhancement Mode功率MOSFET产品的特点和特性，包括国际标准封装、无钳位感应开关、低封装电感等。该产品易于安装，节省空间，具有高功率密度。

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该文件介绍了 IXYS 公司生产的 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 产品的特点和特性，包括高电压、低 RDS(on)、坚固的多晶硅栅结构、快速开关时间等。该产品适用于开关模式和谐振模式电源、飞回式逆变器、直流斩波器、高频匹配等应用。

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