IXYS说明书大全
IXYS IXFH 22N55 数据手册
这是IXFH 22 N55的数据手册，它是一款N沟道增强型雪崩额定、高dv/dt、低trr功率MOSFET。它的最大电压为550 V，连续电流为22 A，开关时间为250 ns。
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IXYS IXFH 26N50P, IXFV 26N50P, IXFV 26N50PS 数据手册
26N50P是IXYS公司生产的一款N沟道MOSFET，其最大导通电流为26A，最小导通电阻为230mΩ，最大电压为500V。
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IXYS IXFH/IXFT 24N50Q, IXFH/IXFT 26N50Q 数据手册
IXFH/IXFT 24N50Q 和 26N50Q 是 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型 Avalanche 额定、低 Qg、高 dv/dt 功率 MOSFET。
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IXYS IXFH 26N60/IXFT 26N60/IXFK 28N60 数据手册
IXFH/IXFT IXFK是IXYS公司的N沟道增强型高dv/dt、低trr的600V功率MOSFET，其最大电压为600V，最大电流为26A/28A，开关速度快（trr为250ns），可用于电机驱动、开关电源等应用。
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IXYS IXFH 26N60Q, IXFT 26N60Q 数据手册
本文档是关于IXFH 26N60Q的数据手册，介绍了该产品的特点特性，包括最大额定值、特性值、封装形式等
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IXYS IXFH 28N50F, IXFT 28N50F 数据手册
该文件是关于IXYS公司的HiPerRFTM Power MOSFETs F-Class产品的技术信息文档。该产品是N通道增强型击穿额定、低Qg、低内部Rg、高dV/dt、低trr的RF电源MOSFET。
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IXYS IXFH 16N90Q, IXFK 16N90Q, IXFT 16N90Q 数据手册
该文档主要介绍了 IXYS 公司的 Q-Class N 沟道增强型雪崩额定低 Qg、高 dv/dt 功率 MOSFET 产品的特点特性，包括最大额定值、特征值、封装形式、安装尺寸、典型应用电路等。
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IXYS IXFH20N80Q, IXFK20N80Q, IXFT20N80Q 数据手册
IXFH20N80Q和IXFK20N80Q是IXYS公司的一款N沟道增强型雪崩额定低Qg、高dv/dt功率MOSFET。主要特点是低RDS(on)低Qg、雪崩能量和电流额定、快速本征整流器、易于安装、节省空间、高功率密度。
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IXYS IXFH 140N10P, IXFT 140N10P 数据手册
IXFH 140N10P是XYS公司推出的一款N沟道增强型快速原生二极管，具有UIS额定值，低封装电感，易于驱动和保护。
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IXYS IXFH/IXFT/IXFX14N100, IXFH/IXFT/IXFX15N100 数据手册
该文件介绍了IXYS的N沟道增强型MOSFET产品的特点和特性，包括最大额定值、最大工作温度、最大电流等。
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IXYS IXFH14N100Q2 数据手册
这份文件介绍了IXYS的HiPerFETTM功率MOSFET产品。该产品采用双金属工艺，具有低栅极电阻、国际标准封装、阻燃性能符合UL 94 V-0等特点。此外，该产品还具有低RDS(on)、低Qg、耐电压冲击和电流冲击等特性，适用于多种应用场景，如DC-DC转换器、开关模式和谐振模式电源、DC斩波器等。
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IXYS IXFH 15N100Q, IXFK 15N100Q, IXFT 15N100Q 数据手册
本数据表提供了IXFH 15N100Q的数据信息，包括最大额定值、特性值、图标、封装等。
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IXYS IXFH14N80, IXFH15N80 数据手册
14N80和15N80是IXYS公司生产的高dv/dt、低trr、HDMOSTM系列N沟道增强型功率MOSFET，其特点包括国际标准封装、低RDS（on）、HDMOSTM工艺、坚固的多晶硅栅极单元结构、未钳制感性开关（UIS）额定、低封装电感、易于驱动和保护、快速内在整流器，应用于DC-DC转换器、同步整流器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、DC斩波器、交流电动机控制、温度和照明控制、低压继电器等。
文件类型: PDF 大小:97 KB
IXYS IXFH 15N80Q, IXFT 15N80Q 数据手册
该文件介绍了IXYS公司的高功率MOSFET产品，包括特点和特性，如低RDS(on)，易于安装，空间节省，高功率密度等。
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IXYS IXFH/IXFM10N90, IXFH/IXFM12N90, IXFH13N90 数据手册
该数据表格列出了HiPerFETTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family TO-247 AD (IXFH) TO-204 AA (IXFM)的最大额定值、特性值、封装信息等参数。
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IXYS IXFH/IXFM11N80, IXFH/IXFM13N80 数据手册
IXFH/IXFM 11N80和13N80是IXYS公司的高压N沟道增强型功率MOSFET，具有低RDS(on)、高dv/dt和低trr特性，采用TO-247和TO-204封装。
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IXYS IXFH 12N100F, IXFT 12N100F 数据手册
该文件介绍了IXYS公司的HiPerRFTM功率MOSFETs产品的特点和特性，包括RF能力、低门电阻、抗击穿能力、低电感封装等。
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