日立说明书大全
日立 2SC1162 说明书
2SC1162是一种硅NPN外延型晶体管，用于低频功率放大器。它与2SA715互补，适用于互补对。它具有较低的噪音系数和较高的增益带宽积。
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HITACHI 1SS277 Silicon Epitaxial Planar Diode for UHF/VHF tuner Band Switch 数据手册
1SS277是ADE的一种硅单片平面二极管，用于UHF/VHF调谐器带切换。1SS277具有低的正向电阻(rf = 0.5Ω 最大)和超小玻璃封装(UMD)，易于安装，可靠性高。
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HITACHI 1SS286 Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching 数据手册
1SS286是用于各种检测器，高速度开关的硅肖特基势垒二极管，具有非常低的反向电流，检测效率很好，小玻璃封装（MHD）可以实现易于安装和高可靠性。
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HITACHI 1SS199 Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching 数据手册
1SS199硅肖特基势垒二极管适用于各种探测器和高速开关，具有良好的检测效率和小的温度系数。小型玻璃封装（MHD）易于安装，可靠性高。
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HITACHI 1SS120 Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching 数据手册
1SS120 是Si Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching，具有低电容（C = 3.0pF max）和短的反向恢复时间（trr = 3.5ns max）等特点。
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HITACHI 1SS119 Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching 数据手册
该文档介绍了1SS119硅外延平面二极管的特点，包括低电容、短的反向恢复时间和小型玻璃封装。该二极管适用于高速开关应用。
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HITACHI 1SS118 Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching 数据手册
1SS118是德州仪器生产的一种硅平面二极管，具有高平均正向电流和高可靠性。
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HITACHI 1SS110 Silicon Epitaxial Planar Diode for Tuner Band Switch 数据手册
1SS110是希捷公司生产的一款硅外延平面二极管，适用于5mm间距的高速自动插入，具有低正向电阻和小尺寸的玻璃封装
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HITACHI 1SS108 Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching 数据手册
1SS108 是一种硅肖特基势垒二极管，用于各种探测器和高速开关。该二极管具有优异的探测效率、小温度系数和玻璃密封的高可靠性。
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HITACHI HD74ALVCH16831 1-to 4 Address Register / Driver with 3-state Outputs
HD74ALVCH16831是一个1到4位地址寄存器/驱动器，适用于2.3V至3.6V的VCC操作。该设备可用于驱动四个独立的内存位置的单个地址总线的应用。根据选择（SEL）输入的逻辑电平，可将HD74ALVCH16831用作缓冲器或寄存器。当SEL为逻辑高时，设备处于缓冲模式。输出跟随输入，并由两个输出使能（OE）控制。每个OE控制两组九个输出。当SEL为逻辑低时，设备处于寄存器模式。寄存器是一个边沿触发的D型触发器。在时钟（CLK）输入的正跳变上升沿时，存储在A输入处的数据被存储在内部寄存器中。OE控制在缓冲模式下的操作与之相同。当OE为逻辑低时，输出处于正常逻辑状态（高或低逻辑电平）。当OE为逻辑高时，输出处于高阻抗状态。为了在上电或掉电时保持高阻抗状态，OE应通过上拉电阻连接到VCC；电阻的最小值由驱动器的电流下沉能力确定。SEL和OE不影响触发器的内部操作。在输出处于高阻抗状态时，可以保留旧数据或输入新数据。
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HITACHI 2SA1484 DATA SHEET
2SA1484是一种硅PNP外延应用低频放大器，具有集电极到基极电压、集电极到发射极电压和发射极到基极电压等特性。
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HITACHI 2SJ317 数据手册
2SJ317 是一种高压、高频、低导通电阻的 P 型 MOSFET。适用于相机或 VCR 马达驱动电路、电源开关、电磁铁驱动等。
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HITACHI 2SJ318(L),2SJ318(S) 数据手册(3)
该文件是从www.ICminer.com电子图书馆服务下载的，查询了2SJ318(L)供应商。该供应商提供2SJ318(L)产品的信息。
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HITACHI 2SJ318(L),2SJ318(S) 数据手册(1)(1)
2SJ318L 是 NXP 公司的一款 P 沟道 MOS FET，适用于高压开关应用。它具有低导通电阻、高开关速度和低驱动电流。
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HITACHI 2SJ318(L),2SJ318(S) 数据手册(1)
2SJ318(L), 2SJ318(S)是一款硅P通道MOS FET，具有低导通电阻、高开关速度和低驱动电流等特点，适用于开关稳压器、DC-DC转换器等应用。
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HITACHI 2SJ319(L),2SJ319(S) 数据手册
这份文档介绍了2SJ319(L), 2SJ319(S)硅P-通道MOS FET的应用领域和特点，包括低导通电阻、高速开关、低驱动电流和适用于开关稳压器、DC-DC转换器等。
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HITACHI 2SJ247 Silicon P-Channel MOS FET 数据手册
2SJ247硅P通道MOSFET，应用于高速度功率开关，具有低阻值、高速度开关、低驱动电流等特点，适用于开关调节器、DC-DC转换器。
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