日立说明书大全

2SK1169, 2SK1170是两款高压功率开关型N沟道MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度、低驱动电流、无二次击穿等特点，适用于开关电源和DC-DC转换器。

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该文件介绍了2SK1167和2SK1168硅N沟道MOS FET的应用，其特点包括低导通电阻、高速开关、低驱动电流、无二次击穿，并适用于开关稳压器和DC-DC转换器。

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2SK1163, 2SK1164是东芝生产的一种高压大电流N沟道MOSFET器件，适用于开关电源和DC-DC转换器。

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该文件介绍了一种高速功率开关产品的特点和特性，包括低导通电阻、高速开关、低驱动电流等。该产品适用于电机驱动、DC-DC转换器、电源开关和电磁阀驱动等应用。

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2SK1094是一款硅N通道MOSFET，适用于电机驱动、DC-DC转换器、功率开关和电磁阀驱动等场景。其特点是低导通电阻、高开关速度、低驱动电流，可由5V电源驱动。

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2SK1093是日本富士通公司生产的一款高性能N沟道MOSFET开关管，具有低导通电阻、高开关速度、低驱动电流等特点，适用于电机驱动、DC-DC转换器、电源开关和线圈驱动等应用

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2SK1070是一种硅N型沟道结型场效应管，适用于低频/高频放大器应用。

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本文件介绍了2SC4877的特点特性，包括应用、绝对最大工作条件、电气特性等

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HD74LVC125A是一种具有四个总线缓冲器门的器件，适用于低电压和高速操作。其特点包括低功耗、高输出电流和高阻抗状态控制。

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该文件是关于StarBoard BT-2G用户指南的请求和使用说明。用户需要详细阅读和理解安全说明，保存好指南作为参考。另外，该文件还包含了关于WEEE（废弃电子电器设备指令）的信息。

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HD74ALVCH16827是20位缓冲器/驱动器，具有3状态输出。它由两个带有分离输出使能信号的10位部分组成。对于任何10位缓冲区部分，两个输出使能(1OE1和1OE2或2OE1和2OE2)输入必须同时为低，以使相应的Y输出处于活动状态。如果任何一个输出使能输入为高，该10位缓冲区部分的输出处于高阻抗状态。提供有源总线保持电路，以在未使用或浮动的数据输入上保持有效的逻辑电平。

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HM62256B 系列是一款 32,768 字 × 8 位高速 CMOS 静态 RAM，采用 0.8 µm Hi-CMOS 工艺技术，实现了更高的性能和更低的功耗。该器件采用 8 × 14 毫米 TSOP、8 × 13.4 毫米 TSOP（厚度为 1.2 毫米）、450 毫米 SOP（印刷电路板引脚间距）和 600 毫米塑料 DIP 或 300 毫米塑料 DIP 封装，可用于高密度安装。该器件可提供低功耗待机功耗，因此适用于电池备份系统。

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HD155101BF是用于GSM和EGSM系统的RF单片线性集成电路。它集成了大部分收发器的功能，包括RF LNA的偏置电路、第一混频器、第一中频放大器、第二混频器、自动增益控制放大器、接收机的IQ正交解调器，以及发射机的IQ正交调制器和偏置PLL。它还包括了第一和第二本振信号的分频器和90°相位分裂器，以及实现省电模式的控制电路。该芯片可以在2.7V下工作，并采用48引脚LQFP SMD封装。通过添加PLL频率合成器芯片、功率放大器和一些外部元件，HD155101BF可以组成一个小型的GSM和EGSM收发器手机。详情请参见第7页“配置”。HD155101BF采用0.6µm双多晶硅Bi-CMOS工艺制造。

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HD74ALVCHS162830是一款1-bit到2-bit地址驱动器，适用于2.3 V到3.6 V VCC操作。该驱动器具有高输出电流±12 mA(@VCC=3.0 V)，并且可以在输入端使用引脚来消除外部上拉/下拉电阻器的需要。该驱动器还具有钳位过冲的二极管，以减少过冲和欠冲。

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HD404358系列是一种4位HMCS400系列微型计算机，旨在提高程序生产力并整合大容量存储器。每个微型计算机都有一个A/D转换器，输入捕获计时器和两种低功耗模式。HD404358系列包括七个芯片：HD404354、HD40A4354（带4K字节ROM）、HD404356、HD40A4356（带6K字节ROM）、HD404358、HD40A4358（带8K字节ROM）、HD407A4359（带16K字节PROM）。HD40A4354、HD40A4356、HA40A4358和HD407A4359是高速版本（最小指令周期时间：0.47微秒）。HD407A4359是PROM版本（ZTAT微型计算机）。可以通过PROM编写器将程序写入PROM，这可以大大缩短系统开发周期，并使调试到大批量生产过程更加顺畅。（ZTAT版本兼容27256）。ZTAT：零转向时间，ZTAT是日立公司的商标。

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Hitachi HM5118165是一种CMOS动态RAM，组织为1,048,576字×16位。它采用了最先进的0.5微米CMOS技术，具有高性能和低功耗。HM5118165提供了扩展数据输出（EDO）页面模式作为高速访问模式。它采用42引脚塑料SOJ和50引脚塑料TSOP II封装。

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该文档介绍了HZ-L系列硅外延平面稳压二极管的低噪声应用，具有比HZ系列低约1/3-1/10的二极管噪声水平，适用于稳定电源等应用。它具有低泄漏电流、低稳压二极管阻抗和最大功率耗散400mW的特点。其5.2V至38V的宽频谱稳压电压提供了灵活的应用。

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