ROHM说明书大全
ROHM QST5 说明书
QST5晶体管产品说明书，该产品适用于低频放大器，具有大电流和低压降的特点
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ROHM QST4 说明书
这份文件是关于QST4型号的Transistors Rev.C 1/2 低频放大器的应用和特点。其特点包括：1）大的集电流；2）最大VCE(sat)为-250mV，在IC=-1.5A，IB=-30mA时。该产品主要用作低频放大器驱动器。
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ROHM QST3 说明书
QST3 晶体管是一款低频放大器驱动器，具有大的电流和低的饱和电压。
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ROHM QST2 说明书
QST2 是 ROHM 公司生产的一款功率晶体管，它的应用场景包括低频放大器和驱动器。其特点是集电极电流大，集电极饱和电压低，集电极-发射极饱和电压为 -250mV，当集电极电流为 -3A 时，发射极电流为 -60mA。
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ROHM QST6 说明书
QST6是一种低频放大器和驱动器，具有大的集电极电流和低的饱和电压。它适用于低频放大器和驱动器应用。
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ROHM QSX1 说明书
QSX1 是 ROHM 生产的一款通用放大器，可以用于低频放大。其特点是集电极电流大，集电极饱和电压低。
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ROHM QSX3 说明书
qsx3是rohm公司的一款低频放大器，具有大电流和低压降的特点。主要应用于驱动电路。
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ROHM QSX4 说明书
QSX4 Transistors是ROHM公司生产的一款低频放大器，最大集电极电流为1.5A，集电极-发射极饱和电压为370mV。
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ROHM QSX5 说明书
QSX5是一款低频放大器驱动器，具有大的集电极电流和低的饱和电压。
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ROHM QSX6 说明书
QSX6 低频放大器，具有大电流和低 VCE(sat) 特性，适用于低频放大器、驱动器等应用。
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ROHM QS5K2 说明书
QS5K2是Nch+Nch MOSFET，具有低RDS（on），适用于开关应用。
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ROHM QS6K21 说明书
这份数据表介绍了QS6K21这个产品的特性，包括封装、外形尺寸、最大工作电压、最大电流、最大功率等信息
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ROHM QS6M3 说明书
QS6M3是由东芝生产的一款Nch+Pch MOSFET，其特点是低导通电阻，内置G-S保护二极管，封装形式为TSMT6。该产品适用于电源开关、DC/DC转换器等应用场合。
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ROHM QS6M4 说明书
QS6M4是双管MOS管，其特点是低开关损耗，低驱动电压，适用于负载开关和逆变器等应用。
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ROHM QS8J11 说明书
QS8J11是ROHM公司生产的一款Pch + Pch MOSFET，其特点是低导通电阻、小型高功率封装、低电压驱动（1.5V驱动）。
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ROHM QS8J12 说明书
该文件介绍了ROHM公司的1.5V驱动Pch + Pch MOSFET QS8J12的特点和特性，包括低导通电阻、小型高功率封装和低电压驱动等。
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