ROHM说明书大全

QS8J4是一款P-通道MOSFET，具有低导通电阻、高功率封装和低电压驱动等特点，适用于开关应用。

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QS8J5是ROHM公司生产的一款Pch + Pch MOSFET，具有低导通电阻、高功率封装、低电压驱动等特点，适用于开关应用场合。

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QS8K13是ROHM公司生产的一款低压驱动Nch+Nch MOSFET，具有低导通电阻、高功率封装、低压驱动等特点，适用于开关应用。

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TCFG系列是带有开关功能的贴片钽电容，具有安全设计、宽电容范围和热冲击筛选等特点。

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QS8K21是罗姆公司生产的Nch + Nch MOSFET，具有低导通电阻、高功率封装、低电压驱动等特点，适用于开关应用。

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该文件介绍了ROHM公司生产的2.5V驱动Nch MOSFET QS8K2的特点和特性，包括低导通电阻、高功率封装和2.5V驱动等。

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QS8M12是一款低压驱动的Nch+Pch MOSFET，具有低压驱动、高功率、低导通电阻的特点，主要用于开关电源。

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该文件是关于ROHM QS8M13 4V驱动Nch + Pch MOSFET的数据表。该MOSFET具有低导通电阻、高功率封装和低电压驱动等特点，适用于开关应用。

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QS8M51是一种4V驱动的Nch + Pch MOSFET，具有低导通电阻和小尺寸表面贴装封装。适用于开关应用。

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QS5U16是一种具有Nch MOSFET和肖特基势垒二极管的晶体管。它具有低导通电阻、快速开关速度、低电压驱动和低正向电压等特点。适用于负载开关和直流/直流转换等应用。

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QS5U17是2.5V驱动Nch+SBD MOS FET，具有低导通电阻、快速开关、低电压驱动（2.5V）等特点，广泛应用于负载开关和DC/DC转换等领域。

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QS5U21是2.5V驱动的Pch+SBD MOS FET。该管子具有低导通电阻和快开关特性，内置肖特基二极管，正向压降低，适用于负载开关和DC/DC转换等应用。

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QS5U26 Transistor Rev.B是一款Pch+ SBD MOSFET，具有低阻态电阻、快速开关速度、低电压驱动和低正向电压等特点。适用于开关应用。

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QS5U27是2.5V驱动Pch+SBD MOS FET，具有低压驱动、低导通电阻、快速开关、内置肖特基二极管等特点，应用于负载开关、DC/DC转换等场合。

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QS5U28 是一款低压驱动 Pch+SBD MOS FET，具有低开关损耗和低正向压降，适用于负载开关和 DC/DC 转换等应用。

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QS5U33是一款4V驱动Pch+SBD MOSFET，具有低压驱动、低导通电阻、快速开关等特点，适用于负载开关和DC/DC转换等应用。

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QS5U34是一种集成了Nch MOSFET和肖特基势垒二极管的器件，具有低通态电阻、快速开关速度、低电压驱动等特点。适用于负载开关和直流/直流转换。

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