Fairchild说明书大全

该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FDD5N53/FDU5N53 N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括低导通电阻、低门电荷、快速开关等。

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本文件为FDD5N60NZ N-Channel MOSFET的技术手册。该器件是一款N沟道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild公司专有的平面条纹DMOS技术。该技术经过专门定制，可最大限度地降低导通电阻，提供更快的开关速度，并具有优异的dv/dt 能力。

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FDD6030L是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道MOSFET，其特点是低RDS(ON)、低门控电荷、高开关速度。

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FDD6296/FDU6296 30V N-Channel Fast Switching PowerTrench MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款高性能MOSFET，具有低门控电荷、低RDS(ON)和快速开关速度的特点，适用于DC/DC转换器和电源管理等应用。

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FDD6630A是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款20V N通道MOSFET，具有低导通电阻、低开关损耗、高开关速度等特点

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FDD6612A/FDU6612A是一款30V N通道PowerTrench MOSFET，应用于DC/DC转换器和电机驱动。其特点是RDS(ON)低，封装小，适合大电流应用。

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FDD6630A是一款30V N通道MOSFET，具有低门极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度。应用场景包括DC/DC转换器和电机驱动。

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FDD6635 35V N-Channel PowerTrench® MOSFET 是采用Fairchild Semiconductor 专有的PowerTrench 技术生产的N 沟道 MOSFET，可提供低Rdson 和优化的Bvdss 功能，以在应用中提供卓越的性能优势。

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FDD6637是Fairchild Semiconductor公司生产的一款35V P型通道PowerTrench MOSFET。其特点是RDS(ON)非常低，只有11.6 mΩ @ VGS = –10 V。该器件采用TO-252 D-PAK封装。

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FDD6670A 30V N-Channel PowerTrench MOSFET是Fairchild Semiconductor Corp.推出的一款N沟道MOSFET，该器件具有低门极电荷、低RDS(ON)、快速开关速度和极低RDS(ON)等特性，适用于DC/DC转换器和电机驱动等应用。

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FDD6680AS是一种30V N-沟道PowerTrench® SyncFET™，设计用于替代同步DC:DC电源中的单个MOSFET和肖特基二极管。该器件具有低RDS(ON)和低栅极电荷，可最大限度地提高功率转换效率。FDD6680AS采用Fairchild的单片SyncFET技术，包括集成的Schottky二极管。作为同步整流器的低侧开关，FDD6680AS的性能与FDD6680A与肖特基二极管并联时的性能无差别。

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FDD6682/FDU6682 30V N-Channel PowerTrench MOSFET，是一款低门极电荷、低 RDS( ON) 和快速开关速度的 MOSFET，适用于 DC/DC 转换器和电机驱动应用。

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FDD6685 30V P通道 PowerTrench MOSFET 是一款坚固耐用的栅极版本，采用 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench 工艺。它经过优化，可满足需要广泛的栅极驱动电压额定值 (4.5V - 25V) 的电源管理应用。

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该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FDD6688/FDU6688型号的N-Channel PowerTrench MOSFET，它专为DC/DC转换器的效率提升而设计，具有低门电荷、低RDS(ON)和快速开关速度的优化特性。

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该文档介绍了Fairchild Semiconductor公司生产的FDD6690A 30V N-Channel PowerTrench MOSFET的特点和特性，采用了先进的PowerTrench工艺，能够实现低导通电阻和低栅极电荷，具有优异的开关性能。

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FDD6760A是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道功率MOSFET，具有低门控电荷、低rDS(on)和快速开关速度，适用于桌面计算机和服务器的Vcore DC-DC转换器以及中间总线架构的VRM。

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FDD6770A N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款MOSFET器件，具有最大rDS(on)为4.0 mΩ、最大栅极电荷为24 A、采用TO-252封装，应用于桌面计算机和服务器的Vcore DC-DC和VRM for Intermediate Bus Architecture等场景。

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FDD6778A N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款N通道MOSFET，其最大特点为低栅极电荷、低RDS(on)和快速开关速度。该器件可用于改进使用同步或常规开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率。

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FDD6780A / FDU6780A_F071 N-Channel Power Trench® MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 推出的一款 25 V、8.6 mΩ 的 MOSFET，适用于桌面计算机和服务器的 Vcore DC-DC 和 VRM 应用。该器件具有低门极电荷、低 rDS(on) 和快速开关速度。

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FDD6796A/FDU6796A_F071是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N-Channel PowerTrench® MOSFET，最大rDS(on)为5.7 mΩ，最大ID为20 A，已通过100% UIL测试，符合RoHS标准。

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