Fairchild说明书大全

该文档介绍了FDG311N N-Channel MOSFET的特点和特性，使用了Fairchild Semiconductor的PowerTrench工艺，具有低开态电阻和低栅电荷，适用于便携式电子设备应用。

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FDG312P是Fairchild Semiconductor生产的P通道MOSFET，采用了先进的PowerTrench工艺，可以实现低导通电阻和低栅极电荷，适用于便携式电子应用。

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FDG315N是Fairchild Semiconductor公司生产的N沟道逻辑级MOSFET，其最大电压为30V，最大电流为2A。这款器件具有极低的导通电阻，适合低电压和电池供电的应用场合。

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文档介绍了FDG316P型号的P-Channel Logic Level MOSFET产品的特点和特性，采用了Fairchild Semiconductor公司的PowerTrench工艺，具有低导通电阻和快速开关性能，适用于低压和电池供电应用。

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该文件是Fairchild Semiconductor Corporation发布的一款FDG1024NZ Dual N-Channel Power Trench® MOSFET的技术手册

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FDG327N是Fairchild公司生产的一款N沟道MOSFET，它具有非常低的RDS(ON)和门极电荷，非常适合应用在小型开关电源中。

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FDG327NZ 20V N-Channel PowerTrench™ MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款产品，主要用于DC/DC转换器、电源管理和负载开关等应用。这款产品具有低RDS(ON)、低门控电荷、高性能和高功率等特点。

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FDG328P是Fairchild Semiconductor生产的P通道MOSFET，它具有2.5V门极驱动电压、1.5A最大电流和-20V最大漏源电压。它采用了Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench工艺，具有低栅极充电、高性能沟槽技术和紧凑的SC70-6表面贴装封装。

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FDG330P是Fairchild Semiconductor公司生产的P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET，它具有低门极电容，极低的RDS(ON)，适用于电池管理等应用场合

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FDG410NZ是一款单N沟道功率晶体管，具有极低的rDS(on)和门控电荷(Qg)，适用于DC/DC转换器、电源管理和负载开关等应用。

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FDG6301N是一款双N通道数字场效应晶体管，其最大电压为25 V，最大电流为0.22 A。它具有低阈值电压、高密度工艺和紧凑的封装，非常适合低压应用。

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FDG6303N是一款双N沟道数字场效应晶体管，具有对称的引脚布局和低电压应用特性。

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该文档介绍了1999年7月发布的FDG6304P双通道P-Channel数字场效应晶体管的特点和特性。

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该文件介绍了FDG6308P P-Channel MOSFET的特点和特性，适用于电池管理和负载开关应用。

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该文档介绍了2001年Fairchild Semiconductor Corporation生产的FDG6316P型号的P-Channel 1.8V MOSFET产品的特点和特性，适用于电池管理和负载开关等应用。

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FDG6317NZ是双N通道MOSFET，特点是RDS(ON)极低，适合应用于DC/DC转换器、电源管理和负载开关等场合。

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FDG6318P是由Fairchild Semiconductor生产的双P通道逻辑级增强模式MOSFET，使用PowerTrench工艺，电阻小，适用于低压应用

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这是一份关于FDG6318PZ双P通道数字型增强模式MOSFET的文件。该产品特点是具有低开态电阻和低门极驱动要求，适用于电池管理等领域。

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